Фотоэмиссия свободных носителей заряда в высокоомный полупроводник при освещении омических контактов

А. П. Лысенко; Ф. И. Григорьев; Н. И. Строганкова; В. А. Голубятников; М. Б. Шадов

?

Фотоэмиссия свободных носителей заряда в высокоомный полупроводник при освещении омических контактов

С. 220–222.

Лысенко А. П., Григорьев Ф. И., Строганкова Н. И., Голубятников В. А., Шадов М. Б.

Исследовалась фотоэмиссия свободных носителей заряда в высокоомный полупроводник, создаваемая освещением приконтактной области омических контактов к образцу теллурида кадмия. Выявлено, что засветка приконтактной области влияет как на переходное сопротивление контакта, так и на объемную проводимость кристалла за счет повышения концентрации основных носителей заряда. Предложена методика раздельного определения переходного сопротивления контакта и объема образца, пригодная для высокоомных полупроводников.

Язык: русский

Полный текст

Ключевые слова: semiconductors полупроводники омические контакты фотоэмиссия ohmic contacts photoemission

В книге

Вакуумная наука и техника: Материалы ХХ юбилейной научно-технической конференции

М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2013.

Методы детектирования взрывоопасных концентраций водорода: сравнительный анализ и преимущества оптических сенсоров

Кузьминых И. О., Кузин А. Ю., Флоря И. Н. и др., Нано- и микросистемная техника 2025 Т. 27 № 4 С. 184–194

В работе рассмотрены основные варианты детектирования водорода, а также приведены требования, которые предъявляются к сенсорам водорода. Проанализированы преимущества и недостатки существующих решений по детектированию водорода и проведен сравнительный анализ основных метрик коммерчески доступных сенсоров водорода. Было установлено, что оптические сенсоры преодолевают основную проблему существующих сенсоров – использование электрического тока в чувствительной зоне сенсоров. Данная обзорная ...

Добавлено: 30 апреля 2025 г.

Single-Ion Magnetism of the [DyIII(hfac)4]− Anions in the Crystalline Semiconductor {TSeT1.5}●+[DyIII(hfac)4]− Containing Weakly Dimerized Stacks of Tetraselenatetracene

Flakina A., Nazarov D., Faraonov M. и др., International Journal of Molecular Sciences 2024 Т. 25 № 25 С. 8068

Окисление тетраселенатетрацена (TSeT) тетрацианохинодиметаном в присутствии трис(гексафторацетилацетоната) диспрозия(III), DyIII(hfac)3, приводит к образованию черных кристаллов соли {TSeT1.5}.+[DyIII(hfac)4]− (1), которая сочетает в себе проводящие и магнитные подрешетки. Она содержит одномерные стопки, состоящие из частично окисленных молекул TSeT (формальный усредненный заряд равен +2/3). Димеры и мономеры могут быть выделены внутри этих стопок с перераспределением заряда и спиновой плотности. ...

Добавлено: 30 апреля 2025 г.

Влияние низких температур и термического отжига на оптические свойства квантовых точек InGaPAs

Андрюшкин В. В., Драгунова А. С., Комаров С. Д. и др., Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики 2022 Т. 22 № 5 С. 921–928

Предмет исследования. Представлены результаты исследования оптических свойств низкоплотных квантовых точек InGaPAs. Показано влияние на оптические и структурные свойства квантовых точек низких температур и параметров термического отжига. Метод. Квантовые точки InGaPAs получены методом молекулярно- пучковой эпитаксии за счет замещения фосфора на мышьяк в тонком слое InGaP непосредственно в процессе эпитаксиального роста. Оптические свойства квантовых точек InGaPAs ...

Добавлено: 3 июня 2024 г.

Hydrogenation-controlled band engineering of dumbbell graphene

Song Y., Chen M., Xie X. и др., Nano Energy 2024 Vol. 127 Article 109763

Добавлено: 24 мая 2024 г.

Local and Global Directionality Patterns of Electron Photoemission from Plasmonic Nanoparticles

Ихсанов Р. Ш., Protsenko I., Smetanin I. и др., Journal of Physical Chemistry C 2023 Vol. 127 No. 50 P. 24223–24232

Добавлено: 5 сентября 2023 г.

XXIV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников

Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, 2022.

Электронные свойства низкоразмерных систем ; Структура и свойства полупроводников с примесями переходных элементов ; Новые электронные явления и материалы ...

Добавлено: 7 декабря 2022 г.

Фотопроводящий ТГц детектор на основе новых функциональных слоев в многослойных гетероструктурах

Ячменев А. Э., Лаврухин Д. В., Хабибуллин Р. А. и др., Оптика и спектроскопия 2021 Т. 129 № 6 С. 741–746

Экспериментальное сравнение характеристик фотопроводящих антенн - детекторов терагерцевого (ТГц) излучения на основе сверхрешеточных гетероструктур InGaAs/InAs/InAlAs с различными типами упругих напряжений в слоях. ...

Добавлено: 10 ноября 2022 г.

23rd Russian Youth Conference on Physics of Semiconductors and Nanostructures, Opto- and Nanoelectronics (RYCPS 2021) 22/11/2021 - 26/11/2021 Online

IOP Publishing, 2022.

Добавлено: 19 октября 2022 г.

2022 International Conference Laser Optics (ICLO)

IEEE, 2022.

Добавлено: 27 сентября 2022 г.

Lack of Photon Antibunching Supports Supertrap Model of Photoluminescence Blinking in Perovskite Sub‐Micrometer Crystals

Eremchev I., Li J., Naumov A. и др., Advanced Optical Materials 2020 Vol. 9 No. 3

Добавлено: 20 мая 2022 г.

Trion Induced photoluminescence of a doped MoS2 monolayer

Zhumagulov Y., Вагов А. В., Gulevich D. и др., Journal of Chemical Physics 2020 Vol. 153 No. 4 Article 044132