• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Глава
  • Approach to the Clustering Modeling for the Strong Correlative Control Measurements for Estimation of Percent of the Suitable Integrated Circuits in the Semiconductor Industry
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
15 мая 2026 г.
В НИУ ВШЭ разрабатывают нейросеть для сферы науки и инноваций
Исследователи НИУ ВШЭ учат большие языковые модели понимать русскоязычную научную терминологию, увеличивая при этом их энергоэффективность. Адаптированная модель работает в 2,7 раза быстрее и требует на 73% меньше памяти, чем исходная открытая модель, что позволяет запускать ее на более доступном оборудовании. Программа прошла государственную регистрацию.
15 мая 2026 г.
Стартовал совместный спецпроект бренд-медиа Вышки IQ Media и iFORA ИСИЭЗ
В мае 2026 года стартовал научно-популярный проект «Искусственный интеллект: технологии, данные и будущее», который стал результатом работы двух команд — проекта iFORA Института статистических исследований и экономики знаний НИУ ВШЭ и редакции бренд-медиа IQMedia. Медийно-аналитический спецпроект посвящен современному развитию искусственного интеллекта и аналитике больших данных.
14 мая 2026 г.
<a>Ученые ФКН ВШЭ представили работы в сфере ИИ и биоинформатики на ICLR 2026
Ученые Института искусственного интеллекта и цифровых наук факультета компьютерных наук ВШЭи студенты трека «ИИ360: Инженерия искусственного интеллекта» бакалаврской программы «Прикладная математика и информатика» приняли участие в международной конференции ICLR — одном из самых авторитетных мировых форумов в области машинного обучения и представления данных. В этом году конференция состоялась в Рио-де-Жанейро (Бразилия).

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Approach to the Clustering Modeling for the Strong Correlative Control Measurements for Estimation of Percent of the Suitable Integrated Circuits in the Semiconductor Industry

Ch. 1. P. 1–4.
Ershov I., Стукач О. В.

The problem of increase of the suitable things percent exist in any manufacture. It may be solved by different
ways, both technological, and by the general methodology of quality control. In the paper, this problem related to the
semiconductor industry with own features is discussed. In particular, there is a problem of increase of the potential achievable percent of the suitable integrated circuit at a line production and simultaneous experimental designing on the same equipment. The technological path consists of several hundred operations, so revealing of their influence degree to result is a complicated problem demanding application of nonparametric statistics. On the other hand, the facility of modeling should be robust and simply, that allow to any operator make a decision on admission of a half-finished item to the further technological operations. The cluster analysis as a simple technique of the processes in semiconductor industry is given on example of the real data from semiconductor enterprise. The independent variable is the percent of the suitable integral circuit, and other variables represent results of the intermediate control on all extent of a technological path. The developed approach is illustrated by analysis of data from semiconductor enterprise, so received results have a practical value for manufacture of semiconductor devices.

Язык: английский
Полный текст
DOI
Текст на другом сайте
Ключевые слова: полупроводникиsemiconductor materials

В книге

2016 Dynamics of Systems, Mechanisms and Machines (Dynamics)
IEEE, 2016.
Похожие публикации
Методы детектирования взрывоопасных концентраций водорода: сравнительный анализ и преимущества оптических сенсоров
Кузьминых И. О., Кузин А. Ю., Флоря И. Н. и др., Нано- и микросистемная техника 2025 Т. 27 № 4 С. 184–194
В работе рассмотрены основные варианты детектирования водорода, а также приведены требования, которые предъявляются к сенсорам водорода. Проанализированы преимущества и недостатки существующих решений по детектированию водорода и проведен сравнительный анализ основных метрик коммерчески доступных сенсоров водорода. Было установлено, что оптические сенсоры преодолевают основную проблему существующих сенсоров – использование электрического тока в чувствительной зоне сенсоров. Данная обзорная ...
Добавлено: 30 апреля 2025 г.
Single-Ion Magnetism of the [DyIII(hfac)4]− Anions in the Crystalline Semiconductor {TSeT1.5}●+[DyIII(hfac)4]− Containing Weakly Dimerized Stacks of Tetraselenatetracene
Flakina A., Nazarov D., Faraonov M. и др., International Journal of Molecular Sciences 2024 Т. 25 № 25 С. 8068
Окисление тетраселенатетрацена (TSeT) тетрацианохинодиметаном в присутствии трис(гексафторацетилацетоната) диспрозия(III), DyIII(hfac)3, приводит к образованию черных кристаллов соли {TSeT1.5}.+[DyIII(hfac)4]− (1), которая сочетает в себе проводящие и магнитные подрешетки. Она содержит одномерные стопки, состоящие из частично окисленных молекул TSeT (формальный усредненный заряд равен +2/3). Димеры и мономеры могут быть выделены внутри этих стопок с перераспределением заряда и спиновой плотности. ...
Добавлено: 30 апреля 2025 г.
Влияние низких температур и термического отжига на оптические свойства квантовых точек InGaPAs
Андрюшкин В. В., Драгунова А. С., Комаров С. Д. и др., Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики 2022 Т. 22 № 5 С. 921–928
Предмет исследования. Представлены результаты исследования оптических свойств низкоплотных квантовых точек InGaPAs. Показано влияние на оптические и структурные свойства квантовых точек низких температур и параметров термического отжига. Метод. Квантовые точки InGaPAs получены методом молекулярно- пучковой эпитаксии за счет замещения фосфора на мышьяк в тонком слое InGaP непосредственно в процессе эпитаксиального роста. Оптические свойства квантовых точек InGaPAs ...
Добавлено: 3 июня 2024 г.
Hydrogenation-controlled band engineering of dumbbell graphene
Song Y., Chen M., Xie X. и др., Nano Energy 2024 Vol. 127 Article 109763
Добавлено: 24 мая 2024 г.
Материаловедение: учебник для вузов
Бондаренко Г. Г., Кабанова Т. А., Рыбалко В. В., М.: Юрайт, 2024.
В учебнике для вузов рассмотрены характеристики металлических, полупроводниковых и диэлектрических материалов, являющиеся базовыми для разработки систем управления качеством промышленной продукции. Приведены сведения о строении, свойствах и методах получения материалов. Подробно рассмотрены аспекты, связанные с влиянием на рабочие характеристики материалов режимов их производства, хранения и эксплуатации (температура, механические, радиационные и иные виды воздействий). ...
Добавлено: 7 апреля 2024 г.
XXIV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, 2022.
Электронные свойства низкоразмерных систем ; Структура и свойства полупроводников с примесями переходных элементов ; Новые электронные явления и материалы ...
Добавлено: 7 декабря 2022 г.
Фотопроводящий ТГц детектор на основе новых функциональных слоев в многослойных гетероструктурах
Ячменев А. Э., Лаврухин Д. В., Хабибуллин Р. А. и др., Оптика и спектроскопия 2021 Т. 129 № 6 С. 741–746
Экспериментальное сравнение характеристик фотопроводящих антенн - детекторов терагерцевого (ТГц) излучения на основе сверхрешеточных гетероструктур InGaAs/InAs/InAlAs с различными типами упругих напряжений в слоях. ...
Добавлено: 10 ноября 2022 г.
2022 International Conference Laser Optics (ICLO)
IEEE, 2022.
Добавлено: 27 сентября 2022 г.
Trion Induced photoluminescence of a doped MoS2 monolayer
Zhumagulov Y., Вагов А. В., Gulevich D. и др., Journal of Chemical Physics 2020 Vol. 153 No. 4 Article 044132
Добавлено: 24 февраля 2022 г.
Three-particle states and brightening of intervalley excitons in a doped MoS2 monolayer
Zhumagulov Y., Вагов А. В., Senkevich N. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2020 Vol. 101 No. 24 Article 245433
Добавлено: 24 февраля 2022 г.
Tailored-Potential Semiconductor Quantum Nanostructures Grown in Inverted Pyramids
Лазарев М. В., Infoscience EPFL 2019 P. 1–163
Добавлено: 29 октября 2021 г.
The drag of photons by electric current in quantum wells
Budkin G. V., Makhov I. S., Firsov D. A., Journal of Physics: Condensed Matter 2021 Vol. 33 No. 16 Article 165301
Добавлено: 8 октября 2021 г.
Экситоны и трионы в двумерных полупроводниках на основе дихалькогенидов переходных металлов
Дурнев М. В., Глазов М. М., Успехи физических наук 2018 Т. 188 № 9 С. 913–934
Представлены результаты теоретических и экспериментальных исследований экситонных эффектов в мономолекулярных слоях дихалькогенидов переходных металлов. В этих двумерных полупроводниках прямая запрещённая зона шириной порядка 2 эВ реализуется на границах зоны Бриллюэна, а энергия связи нейтральных и заряженных экситонов составляет сотни и десятки миллиэлектронвольт соответственно. Таким образом, оптические свойства монослоёв дихалькогенидов переходных металлов контролируются электронно-дырочными кулоновскими комплексами. Обсуждаются ...
Добавлено: 11 ноября 2020 г.
Proceedings of 34th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS) "Advances in Physics of Semiconductors"
Weinheim: Wiley-VCH, 2019.
Добавлено: 1 ноября 2019 г.
Тезисы докладов XIV Российской конференции по физике полупроводников «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019», 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск
Издательство "Перо", 2019.
Конференция посвящена фундаментальным проблемам физики полупроводников.Основные разделы программы: Объемные полупроводники: электрические и оптические свойства, релаксация носителей заряда, сверхбыстрые явления, экситоны, фононы, фазовые переходы, упорядочение. Поверхность, пленки, слои: эпитаксия, атомная и электронная структура поверхности, адсорбция и поверхностные реакции, процессы формирования (самоорганизации) нанокластеров, СТМ и АСМ, оптическая микроскопия ближнего поля. Гетероструктуры, сверхрешетки, одномерные системы: структурные и оптические свойства, электронный транспорт. Двумерные системы: структурные, электронные, магнитные ...
Добавлено: 28 октября 2019 г.
Quantum Interference Controls the Electron Spin Dynamics in n-GaAs
Belykh V. V., Кунцевич А. Ю., Glazov M. M. и др., Physical Review X 2018 Vol. 8 P. 031021-1–031021-8
Добавлено: 10 сентября 2018 г.
Радиационные изменения параметров полупроводниковых материалов. Учебное пособие по дисциплине: “Физика электронных приборов и средств связи”
Вологдин Э. Н., Лысенко А. П., М.: НИУ ВШЭ, 2018.
Основным содержанием учебного пособия является: рассмотрение вопросов взаимодействия основных видов радиации с твердым телом, рассматриваются структуры конкретных точечных и групповых радиационных дефектов в кремнии, германии и арсениде галлия, рассматриваются теоретические предпосылки для расчетов изменения основных электро-физических параметров полупроводников; дается сводка имеющихся в настоящее время эмпирических зависимостей основных параметров полупроводников от интегрального потока облучения различными видами радиационного воздействия. ...
Добавлено: 15 марта 2018 г.
Optical manifestation of the Stoner ferromagnetic transition in two-dimensional electron systems
Кукушкин И. В., Ваньков А. Б., Kaysin B., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2017 Vol. 96 P. 235401-1–235401-8
Добавлено: 19 декабря 2017 г.
Детектирование переноса спинового возбуждения в двумерной электронной системе по фотолюминесценции многочастичных экситонных комплексов
Горбунов А. В., Кулик Л. В., Кузнецов В. А. и др., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2017 Т. 106 № 10 С. 651–654
В настоящей работе мы показываем, как в GaAs/AlGaAs квантовой яме с помощью простых методик фотовозбуждения и детектирования фотолюминесценции двумерного электронного газа с пространственным разрешением можно создавать плотные ансамбли спиновых экситонов, переносить их на макроскопические расстояния порядка сотен микрон и регистрировать появление этих экситонов в области, пространственно удаленной от точки возбуждения. ...
Добавлено: 11 декабря 2017 г.
Bulk and surface electron transport in topological insulator candidate YbB6–δ
Глушков В. В., Божко А. Д., Богач А. В. и др., Physica Status Solidi - Rapid Research Letters 2016 Vol. 10 No. 4 P. 320–323
Добавлено: 25 февраля 2017 г.
Физика конденсированного состояния. Методические указания к курсовой работе
Строганкова Н. И., М.: РИО МИЭМ НИУ ВШЭ, 2012.
Описана методика расчета равновесных электрофизических параметров твердых тел и приведены справочные данные, необходимые для выполнения курсовых работ по дисциплине "Физика конденсированного состояния". ...
Добавлено: 17 февраля 2014 г.
Применение подсветки контактов для измерений проводимости высокоомных полупроводников
Лысенко А. П., Голубятников В. А., Григорьев Ф. И. и др., Приборы и техника эксперимента 2014 № 3 С. 93–96
Показано, что подсветка омических контактов к высокоомным образцам теллурида кадмия и арсе нида галлия влияет не только на переходное сопротивление контакта, но и на объемную проводи мость образцов за счет повышения концентрации свободных носителей заряда. Приведена модель, объясняющая увеличение объемной проводимости образца при засветке приконтактной области. Предложена методика раздельного определения переходного сопротивления омического контакта и ...
Добавлено: 14 января 2014 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • http://www.edu.ru
    Федеральный портал «Российское образование»
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика конфиденциальности
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору