Тезисы докладов XIV Российской конференции по физике полупроводников «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019», 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск

Т. 2. Издательство "Перо", 2019.

Конференция посвящена фундаментальным проблемам физики полупроводников.Основные разделы программы:

1. Объемные полупроводники: электрические и оптические свойства, релаксация носителей заряда, сверхбыстрые явления, экситоны, фононы, фазовые переходы, упорядочение.
2. Поверхность, пленки, слои: эпитаксия, атомная и электронная структура поверхности, адсорбция и поверхностные реакции, процессы формирования (самоорганизации) нанокластеров, СТМ и АСМ, оптическая микроскопия ближнего поля.
3. Гетероструктуры, сверхрешетки, одномерные системы: структурные и оптические свойства, электронный транспорт.
4. Двумерные системы: структурные, электронные, магнитные и оптические свойства, туннелирование, локализация, фононы, плазмоны, квантовый эффект Холла, корреляционные эффекты.
5. Нульмерные системы (квантовые точки, нанокристаллы): энергетический спектр, оптические свойства, туннельный транспорт.
6. Спиновые явления, спинтроника, наномагнетизм.
7. Примеси и дефекты (объемные полупроводники и квантово-размерные структуры): примеси с мелкими и глубокими уровнями, магнитные примеси, структурные дефекты, неупорядоченные полупроводники.
8. Высокочастотные явления в полупроводниках (СВЧ и терагерцовый диапазон).
9. Углеродные и графеноподобные наноматериалы, монослои дихалькогенидов переходных металлов, перовскиты, органические полупроводники, молекулярные системы.
10. Фотонные кристаллы, микрорезонаторы и метаматериалы. Нанофотоника.
11. Полупроводниковые приборы и устройства: технология, методы исследования, наноприборы.
12. Нано- и оптомеханика.
13. Топологические изоляторы и полуметаллы Вейля.

 

Главы книги

Излучающие структуры для кремниевой фотоники на основе растянутых Ge микроструктур

Алёшкин В. Я., Байдакова Н. А., Вербус В. А. и др., В кн.: Тезисы докладов XIV Российской конференции по физике полупроводников «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019», 9-13 сентября 2019 г., НовосибирскТ. 2.: Издательство "Перо", 2019. С. 410–410.

Одним из путей увеличения эффективности источников излучения для Si фотоники на основе Ge является его растяжение, которое позволяет трансформировать Ge в прямозонный полупроводник . Однако необходимые для этого высокие значения деформации (двуосные 1.5-1.8% или одноосные 4.5-5%) для достаточно толстых слоев Ge могут быть реализованы только локально, с использованием различных методов. В работе представлены результаты по ...

Добавлено: 28 октября 2019 г.

Ключевые слова: semiconductors, полупроводники