?
XXIV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
Электронные свойства низкоразмерных систем ; Структура и свойства полупроводников с примесями переходных элементов ; Новые электронные явления и материалы
Галиуллин А. А., Соболевский О. А., Михайлов Н. Н. и др., В кн. : XXIV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников. : Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, 2022. С. 153.
Демонстрируется влияние длины края двумерного топологического изолятора на основе квантовой 8 нм ямы HgTe на нелокальный транспорт. Предложена и реализована геометрия структуры типа длинного края. Показано, что вклад длинного края в кондактанс мал по сравнению с вкладом короткого края. Данная геометрия позволяет полностью поляризовать ток по спину. ...
Добавлено: 7 декабря 2022 г.
Язык:
русский
Weinheim : Wiley-VCH, 2019
Добавлено: 1 ноября 2019 г.
Глушков В. В., Божко А. Д., Богач А. В. и др., Physica Status Solidi - Rapid Research Letters 2016 Vol. 10 No. 4 P. 320-323
Добавлено: 25 февраля 2017 г.
Издательство "Перо", 2019
Конференция посвящена фундаментальным проблемам физики полупроводников.Основные разделы программы:
Объемные полупроводники: электрические и оптические свойства, релаксация носителей заряда, сверхбыстрые явления, экситоны, фононы, фазовые переходы, упорядочение.
Поверхность, пленки, слои: эпитаксия, атомная и электронная структура поверхности, адсорбция и поверхностные реакции, процессы формирования (самоорганизации) нанокластеров, СТМ и АСМ, оптическая микроскопия ближнего поля.
Гетероструктуры, сверхрешетки, одномерные системы: структурные и оптические свойства, электронный транспорт.
Двумерные системы: структурные, электронные, магнитные ...
Добавлено: 28 октября 2019 г.
Лапшинов Б. А., Магунов А. Н., Приборы и техника эксперимента 2010 Т. 53 № 1 С. 159-164
Описывается установка для измерения температурной зависимости показателя преломления n(T) полупроводников и диэлектриков в диапазоне температур 300-700К на длинах волн He-Ne-лазера λ=0.633, 1.15 и 3.39 мкм. Образцы в виде плоскопараллельных пластинок выполняют роль эталонов Фабри-Перо, оптическая толщина которых изменяется с температурой. При нагревании и последующем остывании образца регистрируются интерференционные осцилляции интенсивности отраженного света, по которым определяется ...
Добавлено: 23 апреля 2012 г.
Belykh V. V., Кунцевич А. Ю., Glazov M. M. и др., Physical Review X 2018 Vol. 8 P. 031021-1-031021-8
Добавлено: 10 сентября 2018 г.
Zhumagulov Y., Вагов А. В., Senkevich N. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2020 Vol. 101 No. 24 Article 245433
Добавлено: 24 февраля 2022 г.
Фотоэмиссия свободных носителей заряда в высокоомный полупроводник при освещении омических контактов
Лысенко А. П., Григорьев Ф. И., Строганкова Н. И. и др., В кн. : Вакуумная наука и техника: Материалы ХХ юбилейной научно-технической конференции. : М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2013. С. 220-222.
Исследовалась фотоэмиссия свободных носителей заряда в высокоомный полупроводник, создаваемая освещением приконтактной области омических контактов к образцу теллурида кадмия. Выявлено, что засветка приконтактной области влияет как на переходное сопротивление контакта, так и на объемную проводимость кристалла за счет повышения концентрации основных носителей заряда. Предложена методика раздельного определения переходного сопротивления контакта и объема образца, пригодная для высокоомных ...
Добавлено: 11 октября 2013 г.
Горбунов А. В., Кулик Л. В., Кузнецов В. А. и др., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2017 Т. 106 № 10 С. 651-654
В настоящей работе мы показываем, как в GaAs/AlGaAs квантовой яме с помощью простых методик фотовозбуждения и детектирования фотолюминесценции двумерного электронного газа с пространственным разрешением можно создавать плотные ансамбли спиновых экситонов, переносить их на макроскопические расстояния порядка сотен микрон и регистрировать появление этих экситонов в области, пространственно удаленной от точки возбуждения. ...
Добавлено: 11 декабря 2017 г.
Кукушкин И. В., Ваньков А. Б., Kaysin B., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2017 Vol. 96 P. 235401-1-235401-8
Добавлено: 19 декабря 2017 г.
Zhumagulov Y., Вагов А. В., Gulevich D. и др., Journal of Chemical Physics 2020 Vol. 153 No. 4 Article 044132
Добавлено: 24 февраля 2022 г.
Budkin G. V., Makhov I. S., Firsov D. A., Journal of Physics: Condensed Matter 2021 Vol. 33 No. 16 Article 165301
Добавлено: 8 октября 2021 г.
Maximov M., Надточий А. М., Крыжановская Н. В. и др., Applied Sciences (Switzerland) 2020 Vol. 10 No. 3 Article 1038
Добавлено: 30 сентября 2020 г.
СПб. : Научно-образовательный центр нанотехнологий РАН, 2012
В книге представлены тезисы работ по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, наноразмерных структур и приборов на его основе. Обсуждаются проблемы по кругу вопросов, включающему рост и материаловедение кристаллов и пленок кремния, а также родственных материалов. ...
Добавлено: 13 декабря 2012 г.
Kozyrev N. V., Akhmadullin R. R., Namozov B. R. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2019 Vol. 99 No. 3 P. 1-7
Добавлено: 31 мая 2021 г.
Ghosh I., Khamrai J., Savateev A. и др., Science 2019 Vol. 365 No. 6451 P. 360-366
Добавлено: 5 октября 2020 г.
Строганкова Н. И., М. : РИО МИЭМ НИУ ВШЭ, 2012
Описана методика расчета равновесных электрофизических параметров твердых тел и приведены справочные данные, необходимые для выполнения курсовых работ по дисциплине "Физика конденсированного состояния". ...
Добавлено: 17 февраля 2014 г.
S.V. Ivanov, , in : PROCEEDINGS - INTERNATIONAL CONFERENCE LASER OPTICS 2020, ICLO 2020. : St. Petersburg : IEEE, 2020. Ch. 1.
Добавлено: 31 октября 2021 г.
Лысенко А. П., Голубятников В. А., Григорьев Ф. И. и др., Приборы и техника эксперимента 2014 № 3 С. 93-96
Показано, что подсветка омических контактов к высокоомным образцам теллурида кадмия и арсе нида галлия влияет не только на переходное сопротивление контакта, но и на объемную проводи мость образцов за счет повышения концентрации свободных носителей заряда. Приведена модель, объясняющая увеличение объемной проводимости образца при засветке приконтактной области. Предложена методика раздельного определения переходного сопротивления омического контакта и ...
Добавлено: 14 января 2014 г.
Nagler P., Ballottin M., Mitioglu A. и др., Physical Review Letters 2018 Vol. 121 No. 5 P. 057402
Добавлено: 12 ноября 2020 г.
Rakitskii M. A., Denisov K. S., Рожанский И. В. и др., Applied Physics Letters 2021 Vol. 118 Article 032105
Добавлено: 21 октября 2021 г.
Makhov I. S., Panevin V. Y., Firsov D. A. и др., Journal of Applied Physics 2019 Vol. 126 No. 17 Article 175702
Добавлено: 15 октября 2021 г.