Дифракция и рассеяние рентгеновских лучей в кристаллах кремния, облученных протонами

С. 70–72.

Смирнов И. С., Новоселова Е. Г., Дьячкова И. Г.

В докладе приведены  результаты изучения процессов  релаксации радиационных дефектов, возникающих при ионной имплантации Si ионами H+, в ходе термической обработки.   Измерения проведены  методом трехкристальной рентгеновской дифрактометрии (ТРД).

Ключевые слова: термическая обработка, кремний, имплантация протонов, silicon, proton implantation, heat treatment, Three-crystal X-ray diffractometry, трехкристальная рентгеновская дифрактометрия

В книге

Материалы V международного научного семинара "Современные методы анализа дифракционных данных"

Великий Новгород: Новгородский филиал Санкт-Петербургского государственного университета сервиса и экономики, 2011.