?
Применение лазерного излучения в технологии формирования наноструктур
С. 227–230.
Ефимов И. А., Ивашов Е. Н., Корпачев М. Ю., Костомаров П. С., Лучников П. А.
В предлагаемом ниже устройстве для формирования квантовых ям на подложке платформы используется лазерный луч, который облучает через электрореологическую жидкость поверхность подложки и формирует на нем профиль квантовых ям.
Введение в устройство для формирования квантовых ям на подложке платформы, источника лазерного излучения, диэлектрической втулки, конденсаторных пластин, цилиндрических стержней из оптически прозрачного материала, двух эластичных плёнок, внутри которых расположена электрореологическая жидкость, обеспечивает возможность формирования однородных и одноразмерных квантовых ям на волнистом профиле подложки.
Применение предлагаемого устройства для формирования квантовых ям на подложке позволяет обеспечить возможность формирования однородных и одноразмерных квантовых ям на волнистом профиле подложки.
Язык:
русский
В книге
Ч. 2. , М.: Энергоатомиздат, 2009.
В работе рассмотрены проблемы, связанные с поиском решений транспортно-логистических
задач, выявлением оптимальных решений и их изменением, вызванных изменением условий задачи. Описан
разработанный подход, как к формализации условий задач, так и к оценке эффективности решений.
Рассмотрены вопросы структурного изменения транспортно-логистических систем и соответствующей
структурной устойчивости систем к процессам таких изменений. ...
Добавлено: 7 марта 2025 г.
Гридчин В. О., Сошников И. П., Резник Р. Р. и др., Письма в Журнал технической физики 2023 Т. 49 № 5 С. 32–35
Исследуется влияние условий остывания после эпитаксиального роста на структурные и оптические свойства наноструктур InGaN, синтезируемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота. Показано, что остывание образца с выключенным источником плазмы азота способствует подавлению фазового распада по элементному составу в наноструктурах InGaN. При этом наблюдается повышение интегральной интенсивности фотолюминесценции от образцов в 2 раза. ...
Добавлено: 20 мая 2024 г.
Мельниченко И. А., Комаров С. Д., Драгунова А. С. и др., Письма в Журнал технической физики 2024 Т. 50 № 5 С. 3–6
С помощью конфокальной оптической микроскопии и спектроскопии микрофотолюминесценции исследованы субмикронные нановключения InAsxP1-x/InP, сформированные методом селективного эпитаксиального роста в кремнии с использованием металлоорганической газофазной эпитаксии и расплавленной капли элемента III группы. Исследовано влияние расстояния между нановключениями на интенсивность фотолюминесценции, получены температурные зависимости фотолюминесценции в диапазоне 77-290 K. При комнатной температуре получено излучение в спектральном диапазоне 1.2 ...
Добавлено: 13 февраля 2024 г.
Chernenko N. E., Махов И. С., Balakirev S. V. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2023 Vol. 16 No. 3.1 P. 64–68
Добавлено: 5 февраля 2024 г.
Кожина Е. П., Андреев С. Н., Тараканов В. П. и др., Известия РАН. Серия физическая 2020 Т. 84 № 12 С. 1723–1726
Метод шаблонного синтеза с использованием йодистого электролита на трековых мембранах
адоптирован для изготовления подложек с дендритными наноструктурами, образующимися на вершинах серебряных нанопроволок. Ответвления дендритов представляют собой наночастицы в форме ромба, было Выполнено моделирование распределения электромагнитного поля вблизи ответвлений дендритов, представляющих собой наночастицы серебра в ромбовидной формы, при их лазерном облучении. Результаты расчетов показали значительное локальное усиление ...
Добавлено: 1 декабря 2023 г.
Мельниченко И. А., Крыжановская Н. В., Иванов К. А. и др., Оптика и спектроскопия 2023 Т. 131 № 8 С. 1112–1117
Исследованы оптические свойства цилиндрических мезаструктур на основе GaAs до и после пассивации, выполненной с применением обработки структур в водородной плазме с последующим атомно-слоевым осаждением слоя Al2O3. В качестве светоизлучающей области мезаструктур использованы квантовая яма In0.2Ga0.8As/GaAs и сверхрешетка GaAs/AlAs. Диаметр мез изменялся от 3 до 20 μm. В результате пассивации получено 8-кратное увеличение интенсивности фотолюминесценции мез ...
Добавлено: 26 октября 2023 г.
Polynskaya Y., Sinitsa A., Vyrko S. и др., Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures 2023 Vol. 148 P. 1–7
Добавлено: 23 августа 2023 г.
Адамов Р. Б., Петрук А. Д., Мелентьев Г. А. и др., Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Физико-математические науки 2022 Т. 15 № 4 С. 32–43
В работе проведены сравнительные исследования фотолюминесценции (ФЛ) ближнего ИК-диапазона в структурах с квантовыми ямами n-GaAs/AlGaAs с различными профилями селективного легирования. Проанализированы спектры ФЛ, зарегистрированные при температуре 5 K для различной интенсивности межзонной оптической накачки, определены основные каналы излучательной рекомбинации. Получены зависимости интенсивности основных линий ФЛ от уровня накачки. Результаты проведенного исследования позволяют утверждать, что с ...
Добавлено: 3 июля 2023 г.
Melnichenko I., Крыжановская Н. В., Бердников Ю. С. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2022 Vol. 15 No. 3.3 P. 260–264
We present a photoluminescence study of InP nanostructures monolithically integrated to Si (100) substrate. The InP nanostructures were grown in pre-formed pits in the silicon substrate using an original approach by metal–organic vapor phase epitaxy via selective area growth driven by molten alloy. The obtained InP/Si nanostructures have submicron size above and below substrate surface. ...
Добавлено: 14 марта 2023 г.
Новиков И. И., Няпшаев И. А., Гладышев А. Г. и др., Физика и техника полупроводников 2022 Т. 56 № 9 С. 933–939
Исследовано влияние состава волновода InGaAlAs на фотолюминесценцию и электролюминесценцию гетероструктур спектрального диапазона 1550 нм на основе тонких напряженных квантовых ям In0.74Ga0.26As. Предложен подход, позволяющий на основе анализа электролюминесценции провести сравнительный анализ параметров усиления изготовленных лазерных гетероструктур. Показано, что уменьшение доли алюминия в составе волноводных слоев гетероструктуры, согласованных по постоянной решетки с фосфидом индия, приводит к ...
Добавлено: 4 января 2023 г.
Springer, 2022.
Добавлено: 7 ноября 2022 г.
Kovalets N. P., Панов Д. В., Filippova Y. A. и др., Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics 2021 No. 85 P. 1400–1403
Добавлено: 23 сентября 2022 г.
Добавлено: 5 июля 2022 г.
В работе исследуется структура распределения, на котором достигается экстремум дробно-линейного функционала при наличии несчетного числа линейных ограничений. Приведены примеры использования этих математических результатов при анализе управляемых моделей надежности и безопасности. ...
Добавлено: 24 ноября 2021 г.
Каштанов В. А., Зайцева О. Б., Надежность и качество сложных систем 2021 № 2(34) С. 13–23
В статье исследуются управляемые модели надежности при ограничении на стратегии управления. Математическая задача сводится к поиску экстремума дробно-линейного функционала, характеризующего качество функционирования системы и качество управления, по множеству функций распределения, определяющих периодичность проведения плановых восстановительных работ. Особенности постановки задачи заключаются в том, что вводятся ограничения на распределения, выражаемые ограничениями на линейные функционалы, но число таких ...
Добавлено: 17 ноября 2021 г.
Singapore: Jenny Stanford Publishing, 2019.
Добавлено: 26 октября 2021 г.
Малевская А. В., Калюжный Н. А., Малевский Д. А. и др., Физика и техника полупроводников 2021 Т. 55 № 8 С. 699–703
Поведены исследования инфракрасных светодиодов (длина волны 850 нм) на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии и имеющих множественные квантовые ямы InGaAs в области, генерирующей излучение. Разработаны постростовые приемы по удалению подложки GaAs и переносу гетероструктуры на инородный носитель с оптическим отражателем. Оптимизированы технологические режимы изготовления отражателя, и достигнуто увеличение коэффициента отражения инфракрасного излучения до ...
Добавлено: 14 октября 2021 г.
Budkin G. V., Makhov I. S., Firsov D. A., Journal of Physics: Condensed Matter 2021 Vol. 33 No. 16 Article 165301
Добавлено: 8 октября 2021 г.
Косов М. Е., Вестник Московского университета МВД России 2019 № 5 С. 241–249
Юридические компании обладают особенностями бизнес-моделей, которые определяются продуктом компании и её ключевыми ресурсами. В условиях стремительного технологического развития успешная экономическая деятельность невозможна без мониторинга и управления факторами влияния на деятельность организации, которая оказывает юридические услуги. ...
Добавлено: 2 сентября 2021 г.