?
Фотолюминесценция ближнего ИК-диапазона в квантовых ямах n-GaAs/AlGaAs с различным положением компенсирующей акцепторной примеси
Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Физико-математические науки. 2022. Т. 15. № 4. С. 32–43.
Адамов Р. Б., Петрук А. Д., Мелентьев Г. А., Седова И. В., Сорокин С. В., Махов И. С., Фирсов Д. А., Шалыгин В. А.
В работе проведены сравнительные исследования фотолюминесценции (ФЛ) ближнего ИК-диапазона в структурах с квантовыми ямами n-GaAs/AlGaAs с различными профилями селективного легирования. Проанализированы спектры ФЛ, зарегистрированные при температуре 5 K для различной интенсивности межзонной оптической накачки, определены основные каналы излучательной рекомбинации. Получены зависимости интенсивности основных линий ФЛ от уровня накачки. Результаты проведенного исследования позволяют утверждать, что с точки зрения эффективности использования наноструктур GaAs/AlGaAs для генерации терагерцового излучения на примесных переходах, наиболее эффективны структуры с особым профилем легирования, когда компенсирующая акцепторная примесь располагается не в квантовой яме n-GaAs, а в формирующих ее барьерах.
Elena R. Loubenets, Sergey Kuznetsov, Quantum Information Processing 2026 Vol. 25 Article 358
Добавлено: 3 ноября 2026 г.
Поддьяков А. Н., Integrative Psychological and Behavioral Science 2026 Vol. 60 No. 4 P. 1–50
Добавлено: 3 ноября 2026 г.
Obraztsova A. A., Voitovich V. I., Derkach N. N. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2025 Vol. 18 No. 3.2 P. 24–28
Добавлено: 2 ноября 2026 г.
Derkach N. N., I. S. Makhov, S. D. Komarov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2025 Vol. 18 No. 3.2 P. 29–32
Добавлено: 2 ноября 2026 г.
Komarov S. D., Masyutin D. A., Moiseev E. I. и др., Journal of Luminescence 2027 Vol. 301 Article 122266
Добавлено: 2 ноября 2026 г.
Пиле Я. Э., Щур Л. Н., Nuclear Physics B 2026 No. 0550-3213 Article 117706
Добавлено: 1 ноября 2026 г.
Nikitiuk B., Lenev D., Писарев В. В. и др., Journal of Colloid and Interface Science 2026 Vol. 718 Article 140444
Добавлено: 28 октября 2026 г.
Deshchenya V., Nikolay D. Kondratyuk, Sivakova A. и др., Chemical Engineering Sciences 2027 Vol. 337 Article 124616
Добавлено: 28 октября 2026 г.
Zubov A., Zubov A., Малявко, Я. и др., Computer Physics Communications 2025 Vol. 317 Article 109860
Добавлено: 28 октября 2026 г.
Каган М. Ю., / Series Series "arxiv org" 2610.31805 "cond-mat other "arxiv org" 2610.31805". 2026. No. 2610.31805.
Аннотация Низкоэнергетические плазмонные свойства свободностоящего монослоя золота Au (1,1,1) изучены с помощью зависящей от времени теории функционала плотности (DFT) в приближении хаотических фаз (ПХФ). При первопринципном вычислении диэлектрической функции и функции диэлектрических потерь используется зонная структура, характеризуемая одной s-p энергетической зоной, выходящей на уровень Ферми. В этой системе с простой зонной структурой наши вычисления ...
Добавлено: 27 октября 2026 г.
Alexander S. Rabinowitch, International Journal of Modern Physics A 2026 Vol. 41 No. 30 Article 2650168
Добавлено: 26 октября 2026 г.
D.V. Khomitsky, Lavrukhina E. A., Krasavin D. P. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 22 Article 225414
Добавлено: 23 октября 2026 г.
Будков Ю. А., Каликин Н. Н., Journal of Chemical Physics 2026 Vol. 165 No. 16 Article 164108
Добавлено: 22 октября 2026 г.
Задача о возбуждении бегущих фонон-поляритонных волн на поверхности полярного кристалла падающей извне световой волной (с частотой, близкой к частоте решеточных колебаний) решена теоретически только для бесконечной открытой поверхности кристалла. В случаях, когда часть поверхности покрыта металлической маской, препятствующей проникновению возбуждающего излучения к атомам среды, и эта маска имеет произвольную форму, общепризнанного решения неоднородной задачи нет. ...
Добавлено: 20 октября 2026 г.
Логвенков С. А., Известия РАН. Механика жидкости и газа 2026 № 3 С. 59–75
Решена задача об эволюции объемной концентрации клеток в сферическом агрегате,
состоящем из клеток, внеклеточного матрикса и жидкости. Агрегат окружен внеклеточным матриксом. Постановка задачи использует разработанную автором ранее модель многофазной биологической сплошной среды, образованной двумя активно взаимодействующими твердыми фазами
и жидкостью. Исследовано распространение сферического фронта клеток в вязком матриксе в результате деления клеток и активных взаимодействий клеток с ...
Добавлено: 20 октября 2026 г.
Lavrukhina E. A., Krasavin D. P., Krishtopenko S. S. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 22 Article 225414
Добавлено: 19 октября 2026 г.
Veronica Voitovich, Махов И. С., Ivan Melnichenko и др., Optics Letters 2026 Vol. 51 No. 17 P. 4872–4875
Добавлено: 25 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Dorokhin M. V., Ved M. V. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 104 No. 12 Article 125309
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Адамов Р. Б., Мелентьев Г. А., Подоскин А. А. и др., Физика и техника полупроводников 2023 Т. 57 № 8 С. 663–673
Исследованы фото- и электролюминесценция в p-i-n-структурах с компенсированными квантовыми ямами GaAs/AlGaAs с различными профилями легирования: с пространственным разделением доноров и акцепторов (доноры локализованы в квантовых ямах, акцепторы - в барьерах) и без него (и доноры, и акцепторы локализованы в квантовых ямах). Изучались спектральные характеристики люминесценции в ближнем ИК диапазоне при гелиевых температурах. Выявлены линии излучательной ...
Добавлено: 5 февраля 2024 г.
Adamov R. B., Melentev G. A., Sedova I. V. и др., Journal of Luminescence 2024 Vol. 266 Article 120302
Добавлено: 12 ноября 2023 г.
Мельниченко И. А., Крыжановская Н. В., Иванов К. А. и др., Оптика и спектроскопия 2023 Т. 131 № 8 С. 1112–1117
Исследованы оптические свойства цилиндрических мезаструктур на основе GaAs до и после пассивации, выполненной с применением обработки структур в водородной плазме с последующим атомно-слоевым осаждением слоя Al2O3. В качестве светоизлучающей области мезаструктур использованы квантовая яма In0.2Ga0.8As/GaAs и сверхрешетка GaAs/AlAs. Диаметр мез изменялся от 3 до 20 μm. В результате пассивации получено 8-кратное увеличение интенсивности фотолюминесценции мез ...
Добавлено: 26 октября 2023 г.
Новиков И. И., Няпшаев И. А., Гладышев А. Г. и др., Физика и техника полупроводников 2022 Т. 56 № 9 С. 933–939
Исследовано влияние состава волновода InGaAlAs на фотолюминесценцию и электролюминесценцию гетероструктур спектрального диапазона 1550 нм на основе тонких напряженных квантовых ям In0.74Ga0.26As. Предложен подход, позволяющий на основе анализа электролюминесценции провести сравнительный анализ параметров усиления изготовленных лазерных гетероструктур. Показано, что уменьшение доли алюминия в составе волноводных слоев гетероструктуры, согласованных по постоянной решетки с фосфидом индия, приводит к ...
Добавлено: 4 января 2023 г.