Влияние пассивации поверхности цилиндрических мезаструктур на основе GaAs на их оптические свойства

Оптика и спектроскопия. 2023. Т. 131. № 8. С. 1112–1117.

Мельниченко И. А., Крыжановская Н. В., Иванов К. А., Надточий А. М., Махов И. С., Козодаев М. Г., Хакимов Р. Р., Маркеев А. М., Воробьев А. А., Можаров А. М., Гусева Ю. А., Лихачев А. И., Колодезный Е. С., Жуков А. Е.

Исследованы оптические свойства цилиндрических мезаструктур на основе GaAs до и после пассивации, выполненной с применением обработки структур в водородной плазме с последующим атомно-слоевым осаждением слоя Al2O3. В качестве светоизлучающей области мезаструктур использованы квантовая яма In0.2Ga0.8As/GaAs и сверхрешетка GaAs/AlAs. Диаметр мез изменялся от 3 до 20 μm. В результате пассивации получено 8-кратное увеличение интенсивности фотолюминесценции мез диаметром 9 μm при комнатной температуре, а исследования фотолюминесценции таких мезаструктур с разрешением по времени продемонстрировали увеличение времени жизни носителей заряда с 0.13 до 0.9 ns.

Ключевые слова: квантовая яма, InGaAs, поверхностная пассивация, атомно-слоевое осаждение

ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА: Исследование характеристик микро- и нанолазеров на основе полупроводниковых гетероструктур А3В5 различной квантовой размерности (2023)