• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Статьи
  • Инфракрасные (850 нм) светодиоды с множественными InGaAs квантовыми ямами и «тыльным» отражателем
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2028
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
2 октября 2026 г.
В НИУ ВШЭ обсудили этические границы взаимодействия человека и антропоморфного робота
В Высшей школе экономики состоялся экспертный семинар Центра этики и онтологии роботов Института робототехнических систем (ИРС), посвященный разработке практических требований к проектированию и безопасному внедрению антропоморфных роботов. Участники обсудили, как перевести этические принципы в технические параметры, протоколы проверки и требования к эксплуатации робототехнических систем.
1 октября 2026 г.
Смыслы, скорость и локальный код: как изменится потребительский спрос в креативных индустриях к 2029 году
Институт развития креативных индустрий ФКИ ВШЭ подвел итоги масштабного Трендвотчинг-исследования, проведенного весной 2026 года. В нем приняли участие более 300 ведущих экспертов. Одним из ключевых выводов стало понимание: потребитель больше не покупает продукт как набор функций. Он выбирает отношение, скорость, смысл и личную вовлеченность. В качестве доминирующего тренда на трехлетнем горизонте зафиксирован переход от материальных характеристик продукта к нематериальным.
1 октября 2026 г.
Российские ученые оценили скрытые риски болезней сердца у 43 тысяч человек
Исследователи НИУ ВШЭ и «Биотехнологического кампуса» проанализировали более 43 000 геномов здоровых участников Национальной генетической инициативы «100 000+Я». У 559 человек обнаружили патогенные или вероятно патогенные варианты генов, связанные с риском сердечно-сосудистых заболеваний. Такие данные позволяют раньше начать лечение или провести дополнительное обследование. О результатах исследования ученые рассказали на конгрессе «Генетика и сердце» в НИУ ВШЭ.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Инфракрасные (850 нм) светодиоды с множественными InGaAs квантовыми ямами и «тыльным» отражателем

Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55. № 8. С. 699–703.
Малевская А. В., Калюжный Н. А., Малевский Д. А., Минтаиров С. А., Надточий А. М., Нахимович М. В., Солдатенков Ф. Ю., Шварц М. З., Андреев В. М.

Поведены исследования инфракрасных светодиодов (длина волны 850 нм) на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии и имеющих множественные квантовые ямы InGaAs в области, генерирующей излучение. Разработаны постростовые приемы по удалению подложки GaAs и переносу гетероструктуры на инородный носитель с оптическим отражателем. Оптимизированы технологические режимы изготовления отражателя, и достигнуто увеличение коэффициента отражения инфракрасного излучения до 92−93%. Изготовлены светодиоды с внешней квантовой эффективностью 28.5%.

Научное направление: Физика Нанотехнологии
Язык: русский
Полный текст
DOI
Текст на другом сайте
Ключевые слова: квантовая ямасветодиодыquantum wellsLight emitting diodes
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
Исследование температурных и временных характеристик гетероструктур с квантовыми точками и микроизлучателей на их основе (2021)
Похожие публикации
Asymptotics of Spectrum and Quantum Averages of the Hydrogen Atom in a Magnetic Field Near the Upper Boundaries of Spectral Clusters
A. V. Pereskokov, Journal of Mathematical Sciences 2026 Vol. 302 No. 4 P. 531–545
Добавлено: 1 октября 2026 г.
Small area quantum-dot stripe lasers with focused-ion-beam-etched mirrors
Obraztsova Anna, Fominykh Nikita, Komarov Sergey и др., Applied Physics Letters 2026 Vol. 129 Article 132110
Добавлено: 30 сентября 2026 г.
Нетривиальное поведение пирамидальных уединенных волн в обобщенном уравнении Гарднера
Мельников И. Е., Пелиновский Е. Н., Доклады Российской академии наук. Физика, технические науки (ранее - Доклады Академии Наук. Физика) 2026 Т. 529 С. 29–36
Представлены условия для появления пирамидальных уединенных волн (уединенных волн, с количеством точек перегиба больше двух) в семействе обобщенного уравнения Кортевега – де Фриза (КдФ). Для обобщенного уравнения Гарднера показано, что пирамидальные солитоны неустойчивы. Продемонстрирован численно распад начальных возмущений, близких к пирамидальным уединенным волнам. В зависимости от возмущения пирамидальный солитон либо расщепляется на два солитона (толстый ...
Добавлено: 29 сентября 2026 г.
Benchmarking exchangecorrelation functionals and van der Waals treatments for materials relevant to diamond-like carbon deposition
Карцев А. И., Васильев Д. А., Кущук Л. И. и др., Materials Today Communications 2026
Добавлено: 28 сентября 2026 г.
The Search of the Process e+e−→(ω, ρ)→ηe+e− at 680–820 MeV c.m. Energy Range with the CMD-3 Detector
A. K. Narvatkina, Physics of Atomic Nuclei 2025 Vol. 88 No. 4 P. 386–393
Добавлено: 28 сентября 2026 г.
Polaron transport and Verwey transition in magnetite
Fominykh N., Стегайлов В. В., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 Article 115132
Добавлено: 28 сентября 2026 г.
Role of dislocations in the mobility of pinned helium bubbles: Molecular dynamics simulations in aluminum
Piliugin L., Antropov A., Lobashev E. и др., Journal of Nuclear Materials 2026 Vol. 632 Article 156876
Добавлено: 28 сентября 2026 г.
A Three-Party W-State Quantum Secret Sharing Protocol with X-Gate Encoding and Forbidden-Outcome Detection
Терегулов Т. Р., Лубенец Е. Р., / Series Quantum Physics "arXiv". 2026. No. 2609.31472.
Добавлено: 28 сентября 2026 г.
Constructing quasi-breathers in 𝛽-FPUT chain with the aid of genetic algorithm
Щербинин С. А., Корзникова Е. А., Дмитриев С. В. и др., Physics Letters A 2026 Vol. 591 Article 131884
В данной работе для поиска и характеризации различных квазидискретных бризеров (QB) в цепочке типа 𝛽-FPUT применяется простой генетический алгоритм (ГА). Рассматривая пространство начальных смещений частиц как ландшафт глобальной оптимизации, ГА максимизирует функцию локализации энергии, автоматически эволюционируя состояния-кандидаты в сторону сильно локализованных долгоживущих решений без каких-либо априорных предположений о симметрии. Было получено 200 QB с частотой ...
Добавлено: 28 сентября 2026 г.
Speed-up of Langmuir instability at large scales when the wave scattering is significant
Вергелес С. С., Воинцев И. А., Physics of Fluids 2026 Vol. 38 P. 024117-1–024117-8
Добавлено: 26 сентября 2026 г.
Surface acoustic wave enabled all-optical determination of the interlayer elastic constants of a van der Waals interface
Frolov N. Y., Klokov A. Y., Sharkov A. I. и др., Applied Physics Letters 2026 Vol. 128 P. 092201-1–092201-5
Добавлено: 26 сентября 2026 г.
InGaAsN/GaAs quantum-well-based microlasers improved by PECVD SiO2 passivation
Войтович В. И., Махов И. С., Мельниченко И. А. и др., Optics Letters 2026 Vol. 51 No. 17 P. 4872–4875
Добавлено: 25 сентября 2026 г.
Микролазеры с распределенными брэгговскими отражателями Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As
Бабичев А. В., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., Оптика и спектроскопия 2026 Т. 134 № 3 С. 272–277
Представлены результаты по реализации генерации при повышенных температурах в лазерах с длиной волны генерации 980 nm на основе вертикального микрорезонатора с использованием непоглощающих на длине волны оптической накачки зеркал. Минимальная пороговая мощность накачки составила ~0.8 mW и соответствовала температуре 150 K. Добротность микрорезонатора, определенная на пороге генерации, превысила 13000. Максимальная рабочая температура микролазера составила 195 ...
Добавлено: 25 сентября 2026 г.
Одночастотная генерация лазеров на основе вертикального микрорезонатора при комнатной температуре
Бабичев А. В., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2026 Т. 52 № 12 С. 40–43
Реализована одночастотная генерация при 300 K в лазерах на основе вертикального микрорезонатора. Для лазеров с полупроводниковым выводным зеркалом пороговая плотность мощности накачки составила 6.5 kW/cm2. Добротность микрорезонатора и длина волны излучения, определенные на пороге генерации, равнялись 8800 и ~ 959.8 nm. Применение конструкции микрорезонатора с гибридным выводным зеркалом позволило повысить добротность микрорезонатора (до 12 360) ...
Добавлено: 25 сентября 2026 г.
Высокодобротные планарные микрорезонаторы, обеспечивающие генерацию при комнатной температуре
Бабичев А. В., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2026 Т. 52 № 18 С. 30–34
Представлены результаты реализации генерации при комнатной температуре в планарных вертикальных микрорезонаторах на основе зеркал Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As. При 300 K пороговая плотность мощности и добротность на пороге генерации составили 11.4± 0.7 kW/cm2 и 5070± 160 соответственно. Двукратное превышение порога генерации привело к увеличению добротности микрорезонатора до 19 000. Эффективный латеральный теплоотвод подтвержден малым сдвигом энергии кванта, который составил ...
Добавлено: 25 сентября 2026 г.
Синтез и фотофизические свойства изокумаринов
Арсенов М. А., Логинов Д. А., Успехи химии 2025 Т. 94 № 7 Статья RCR5179
Изокумарины являются изомерами широко известного классам органических ароматических лактонов — кумаринов, которые обладают уникальными фотофизическими свойствами. Несмотря на структурное сходство с кумаринами, области применения изокумаринов долгое время ограничивались использованием таких соединений в медицине и сельском хозяйстве благодаря их фунгицидной, антибактериальной и противовоспалительной активности. Большая часть исследованных органических соединений этого класса была выделена из живых организмов. ...
Добавлено: 20 февраля 2026 г.
Exciton Properties and Broadband Emission in Two-Dimensional Ruddlesden–Popper Perovskites
Тань Ц., Цзян С., Лю Д. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2025 Vol. 16 No. 30 P. 7659–7665
Добавлено: 25 июля 2025 г.
Влияние пассивации поверхности цилиндрических мезаструктур на основе GaAs на их оптические свойства
Мельниченко И. А., Крыжановская Н. В., Иванов К. А. и др., Оптика и спектроскопия 2023 Т. 131 № 8 С. 1112–1117
Исследованы оптические свойства цилиндрических мезаструктур на основе GaAs до и после пассивации, выполненной с применением обработки структур в водородной плазме с последующим атомно-слоевым осаждением слоя Al2O3. В качестве светоизлучающей области мезаструктур использованы квантовая яма In0.2Ga0.8As/GaAs и сверхрешетка GaAs/AlAs. Диаметр мез изменялся от 3 до 20 μm. В результате пассивации получено 8-кратное увеличение интенсивности фотолюминесценции мез ...
Добавлено: 26 октября 2023 г.
Фотолюминесценция ближнего ИК-диапазона в квантовых ямах n-GaAs/AlGaAs с различным положением компенсирующей акцепторной примеси
Адамов Р. Б., Петрук А. Д., Мелентьев Г. А. и др., Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Физико-математические науки 2022 Т. 15 № 4 С. 32–43
В работе проведены сравнительные исследования фотолюминесценции (ФЛ) ближнего ИК-диапазона в структурах с квантовыми ямами n-GaAs/AlGaAs с различными профилями селективного легирования. Проанализированы спектры ФЛ, зарегистрированные при температуре 5 K для различной интенсивности межзонной оптической накачки, определены основные каналы излучательной рекомбинации. Получены зависимости интенсивности основных линий ФЛ от уровня накачки. Результаты проведенного исследования позволяют утверждать, что с ...
Добавлено: 3 июля 2023 г.
Влияние состава волноводного слоя на излучательные параметры лазерных гетероструктур InGaAlAs/InP спектрального диапазона 1550 нм
Новиков И. И., Няпшаев И. А., Гладышев А. Г. и др., Физика и техника полупроводников 2022 Т. 56 № 9 С. 933–939
Исследовано влияние состава волновода InGaAlAs на фотолюминесценцию и электролюминесценцию гетероструктур спектрального диапазона 1550 нм на основе тонких напряженных квантовых ям In0.74Ga0.26As. Предложен подход, позволяющий на основе анализа электролюминесценции провести сравнительный анализ параметров усиления изготовленных лазерных гетероструктур. Показано, что уменьшение доли алюминия в составе волноводных слоев гетероструктуры, согласованных по постоянной решетки с фосфидом индия, приводит к ...
Добавлено: 4 января 2023 г.
Photoionization cross section of first excited state of lithium
Саакян С. А., D'yachkov L., Klimov S. и др., Spectrochimica Acta - Part B: Atomic Spectroscopy 2022 Vol. 195 Article 106503
Добавлено: 30 июля 2022 г.
Current induced drag of photons in GaAs/AlGaAs quantum wells
Махов И. С., Budkin G. V., Graf S. V. и др., Micro and Nanostructures 2022 Vol. 167 Article 207288
Добавлено: 5 июля 2022 г.
Mechanism of ultrafast spin-polarization switching in nanostructures
Mantsevich V. N., Рожанский И. В., Maslova N. S. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2019 No. 99 Article 115307
Добавлено: 21 октября 2021 г.
Terahertz photoluminescence of the donor doped GaAs/AlGaAs quantum wells controlled by the near-infrared stimulated emission
Makhov I. S., Panevin V. Y., Firsov D. A. и др., Journal of Luminescence 2019 Vol. 210 P. 352–357
Добавлено: 15 октября 2021 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика обработки персональных данных
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору