?
Effect of compensation and near-infrared lasing on donor-related terahertz photoluminescence in GaAs/AlGaAs quantum wells
P. 1–2.
V.I. Voitovich, I.S. Makhov, Andryushkin V. V. и др., Journal of Luminescence 2026 Vol. 295 Article 121936
Добавлено: 8 июля 2026 г.
Добавлено: 17 февраля 2026 г.
Sharov V., Pavlov A., Eliseyev I. и др., Advanced Optical Materials 2025 Vol. 13 No. 30 Article e01821
Добавлено: 12 ноября 2025 г.
Balakirev S. V., Махов И. С., Kirichenko D. V. и др., Optical Materials 2025 Vol. 163 Article 116964
We reveal a strong dependence of optical properties of InAs quantum dots (QDs) on the As/Ga flux ratio used
during the overgrowth with a low-temperature GaAs layer. Evaluating various characteristics of the photoluminescence
spectra, we determine an optimal As/Ga flux ratio which allows formation of QDs emitting at the
longest wavelengths, with the highest intensity and the largest ...
Добавлено: 17 апреля 2025 г.
P. S. Berezhnoy, Koreyev A. S., A. B. Van'kov и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2024 Vol. 110 No. 23 Article 235306
Добавлено: 14 января 2025 г.
Koreyev A. S., P.S. Berezhnoy, Gorbunov A. V. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2024 Vol. 110 No. 16 Article 165417
The phase diagram of the “gas-magnetoexciton condensate” transition of an excited two-dimensional electron
system placed in a quantizing magnetic field has been constructed in the “temperature-laser excitation power
density” coordinates. Based on the experimental data, we can conclude that the condensate is a collective,
incompressible in real space, excited state of a quantum Hall insulator. ...
Добавлено: 10 января 2025 г.
Никитина Е. В., Соболев М. С., Пирогов Е. В. и др., Конденсированные среды и межфазные границы 2024 Т. 26 № 3 С. 490–495
Добавление нескольких процентов азота в GaP или GaPAs позволяют получить твердые растворы GaPNAs, согласованные по параметру кристаллической решетки с кремниевой подложкой в большом диапазоне значений ширины запрещенной зоны, что дает возможность получения оптоэлектронных кремниевых интегральных схем. Однако материалы с небольшой долей азота являются мало изученными из-за сложности в эпитаксиальном выращивании четверных твердых растворов с тремя ...
Добавлено: 24 ноября 2024 г.
Shalygin V. A., Махов И. С., Adamov R. B. и др., Journal of Applied Physics 2024 Vol. 136 No. 19 Article 195703
Добавлено: 23 ноября 2024 г.
A. N. Lyubchak, K. V. Shein, G.N. Goltsman и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2024 Vol. 17 No. 3.2 P. 116–120
В данной работе представлено электромагнитное моделирование терагерцового фотодетектора на основе графена, интегрированного на кремниевый волновод. Этот детектор, рассчитанный на работу на частоте 150 ГГц, может быть использован в сетях связи шестого поколения (6G) для высокоскоростной обработки терагерцовых сигналов на чипе. Графен, благодаря своим уникальным свойствам, таким как нулевой зазор, высокая подвижность заряда и низкая электронная теплоемкость, является перспективным материалом для ...
Добавлено: 5 ноября 2024 г.
Аникеева В. Е., Болдырев Н. Ю., Семенова О. И. и др., Оптика и спектроскопия 2024 Т. 132 № 8 С. 793–799
Представлены результаты исследования температурных зависимостей спектров люминесценции (3.6−120 K) при возбуждении светом с длиной волны 405 nm и бесконтактно измеренной фотопроводимости (3.6−300 K) монокристалла CsPbBr3. В низкотемпературном спектре фотолюминесценции (ФЛ), кроме линии автолокализованного экситона (2.318 eV при 10 K), наблюдаются богатая структура, возможно, относящаяся к экситонно-примесным комплексам, и широкая полоса с максимумом около 2.24 eV, ...
Добавлено: 29 октября 2024 г.
Gridchin V., Kotlyar K., Ubyivovk E. и др., ACS Applied Nano Materials 2024 Vol. 7 No. 15 P. 17460–17468
Выполнено исследование синтеза InGaN соединений в режиме трехмерного роста. Впервые показано, что самоорганизация при росте InGaN приводит к формированию структуры ядро-оболочка нанопроволок, нанотрубок, фазы цинковой обманки (ZB) и наноцветов. Обнаружено, что нитевидный нанокристал InGaN ядро-оболочка формируется на самом начальном этапе роста. Увеличение времени роста приводит к диффузии индия из ядер ННК и их накопление на ...
Добавлено: 18 октября 2024 г.
Kravtsov M., Shilov A. L., Yang Y. и др., Nature Nanotechnology 2025 Vol. 20 No. 1 P. 51–56
Добавлено: 9 октября 2024 г.
Adamov R. B., Melentev G. A., Podoskin A. A. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2024 Vol. 17 No. 1.1 P. 68–76
Comprehensive studies of the luminescence of p–i–n structures with 10 compensated GaAs/AlGaAs quantum wells have been performed. The studies were carried out in the terahertz (THz) and near-infrared (NIR) spectral ranges with both optical and electrical pumping of nonequilibrium charge carriers. The THz photoluminescence spectra revealed an emission line caused by electron transitions from the first size-quantization ...
Добавлено: 27 августа 2024 г.
Махов И. С., Крыжановская Н. В., Драгунова А. С. и др., Journal of Luminescence 2024 Vol. 276 Article 120819
One drawback of self-organized quantum dots is their low optical gain. The development of new shaping methods that would allow higher gain, for example, due to a higher surface density of the QD array, remains an important task to date. In the present work, arrays of quantum dots have been formed by substituting phosphorous atoms ...
Добавлено: 27 августа 2024 г.
Крыжановская Н. В., Драгунова А. С., Комаров С. Д. и др., Оптика и спектроскопия 2021 Т. 129 № 2 С. 218–222
Методами спектроскопии фотолюминесценции (ФЛ) выполнено исследование оптических свойств трех- мерных квантово-размерных островков InGaPAs, сформированных методом замещения фосфора на мышьяк в слое InGaP, осажденном на GaAs непосредственно в процессе эпитаксиального роста. Линия ФЛ сформи- рованного массива островков лежит в диапазоне 950−1000 nm при комнатной температуре. Исследования ФЛ в диапазоне температур 78−300K свидетельствуют о существенной неоднородности массива ...
Добавлено: 3 июня 2024 г.
Balakirev S., Alexey Nadtochiy, Natalia Kryzhanovskaya и др., Journal of Luminescence 2024 Vol. 272 Article 120621
Добавлено: 20 мая 2024 г.
Gridchin V. O., Komarov S. D., Soshnikov I. P. и др., Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques 2024 Vol. 18 No. 2 P. 408–412
Добавлено: 20 мая 2024 г.