Growth of Three-Dimensional InGaN Nanostructures by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy

ACS Applied Nano Materials. 2024. Vol. 7. No. 15. P. 17460–17468.

Gridchin V., Kotlyar K., Ubyivovk E., Lendyashova V., Anna S. Dragunova, Natalia V. Kryzhanovskaya, Dmitrii S. Shevchuk

Выполнено исследование синтеза InGaN соединений в режиме трехмерного роста. Впервые показано, что самоорганизация при росте InGaN приводит к формированию структуры ядро-оболочка нанопроволок, нанотрубок, фазы цинковой обманки (ZB) и наноцветов. Обнаружено, что нитевидный нанокристал  InGaN ядро-оболочка формируется на самом начальном этапе роста. Увеличение времени роста приводит к диффузии индия из ядер ННК и их накопление на кончиках ННК, что приводит к трехмерному росту и формированию нанотрубок. Дальнейший рост наноструктур приводит к образованию наноцветков с пустыми стеблями и границей раздела фаз ZB/вюрцит (WZ) на периферии Наблюдаемые структурные превращения ННК подтверждены измерениями просвечивающей электронной микроскопии и  фотолюминесценции, а также теоретическими оценками. Понимание механизмов формирования этих сложных трехмерных наноструктур может способствовать разработке газоанализаторов из соединения InGaN

Ключевые слова: self-organization, Фотолюминесценция, молекулярно-пучковая эпитаксия, wurtzite, нановискер, InGaN nanowires, zinc blende

ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА: Создание и исследование полупроводниковых микро- и нанолазеров для схем интегральной фотоники (2024)