?
Определение емкостных параметров модели BSIMSOI из результатов приборно-технологического моделирования
С. 73–78.
Описаны процедура и результаты экстракции емкостных параметров модели BSIMSOI КНИ МОПТ 0,35 мкм с использованием комплекса экстракции IC CAP из результатов приборно-технологического моделирования КНИ КМОП структур в с помощью SYNOPSYS TCAD.
Рассмотрены варианты конструктивного исполнения n-канального полевого транзистора с управляющим p-n-переходом, интегрируемого в высоковольтный комплементарный биполярный технологический процесс с изоляцией обратносмещенным p-n-переходом. Сформулированы критерии отбора моделей транзисторов по электрическим параметрам. С учетом критериев проведено приборно-технологическое моделирование на подложках объемного кремния. На основе полученных результатов проведен сравнительный анализ n-канального и ранее разработанного р-канального полевых транзисторов. Для оценки ...
Добавлено: 12 сентября 2024 г.
В работе приведены результаты приборно-технологического моделирования электрофизических параметров р-канального полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Рассмотрены три варианта конструкции выполнения, возможных при интеграции в составе высоковольтного комплементарного биполярного технологического процесса. На основе полученных данных выбран оптимальный вариант исполнения полевого транзистора по соотношению статических и динамических параметров. ...
Добавлено: 3 сентября 2024 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., , in: 2020 36th Semiconductor Thermal Measurement, Modeling & Management Symposium (SEMI-THERM).: IEEE, 2020. P. 56–60.
Добавлено: 14 февраля 2021 г.
Петросянц К. О., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г.: М.: МАКС Пресс, 2020. С. 35–40.
Рассмотрены методики TCAD и SPICE моделирования для биполярных и МОП-компонентов, изготовленных по базовым технологиям кремниевых ИС/БИС. ...
Добавлено: 5 декабря 2020 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., , in: Proceedings of the 2nd International Conference on Microelectronic Devices and Technologies (MicDAT '2019).: Barcelona: International Frequency Sensor Association (IFSA), 2019. P. 24–28.
Добавлено: 4 июня 2019 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., Быков Д. В., Journal of Physics: Conference Series 2019 Vol. 1163 P. 1–6
Добавлено: 22 октября 2018 г.
Добавлено: 22 октября 2018 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., Известия высших учебных заведений. Электроника 2018 Т. 23 № 5 С. 521–525
КНИ МОП-транзисторы имеют худшие условия для отвода тепла из рабочей об-ласти, что негативно сказывается на надежности и производительности микро-схем. С помощью TCAD-моделирования исследован эффект саморазогрева в структурах КНИ МОП-транзистора с различной конфигурацией скрытого оксида: традиционная структура на объемном кремнии, структура кремний на изоляторе, структура с «окном» в скрытом оксиде (SELBOX), КНИ-структура с неполным скрытым оксидом ...
Добавлено: 22 октября 2018 г.
Показано, что стандартная модель BSIM3 не обеспечивает корректного описания более крутого характера сток-затворной характеристики при низких температурах (до -200°C), вызванного бо́льшим проявлением механизмов рассеяния носителей заряда при общем возрастании подвижности. Представлена улучшенная макромодель МОПТ для низкой температуры с управляемым источником напряжения, подключенным последовательно м затвором, который зависит от температуры и приложенного внешнего напряжения на затворе, ...
Добавлено: 9 сентября 2018 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Lebedev S. и др., Microelectronics and Reliability 2017 Vol. 79 P. 416–425
Добавлено: 28 февраля 2018 г.
Добавлено: 30 января 2018 г.
, M.V. Kozhukhov, , in: PROBLEMS OF ADVANCED MICRO- AND NANOELECTRONIC SYSTEMS DEVELOPMENT (MES) SELECTED ARTICLES of the VII All-Russia Science&Technology Conference MES-2016 Part IV, Design of Electron Component Base* Part IV: SELECTED ARTICLES of the VII All-Russia Science&Technology Conference MES-2016.: M.: ., 2017. Ch. 1 P. 2–10.
Представлены новые приборно-технологические и схемотехнические модели кремниевых и кремний германиевых биполярных транзисторов, учитывающие влияние облучения нейтронами, протонами и гамма-квантами. Рассмотрена возможность скозного TCAD и SPICE моделирования в рамках проектирования радиационно-стойких интегральных схем. Моделировался полный набор I-V, C-V, fT, fmax характеристик БТ / ГБТ до и после облучения. Результаты TCAD моделирования использовались в качестве входных данных для ...
Добавлено: 25 октября 2017 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Попов Д. А., В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА: Материалы XV научно-технической конференции, 27-29 сентября 2017.: М., Дубна: ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2017. С. 224–226.
С помощью Synopsys TCAD проводилось моделирование тока стока n-канального КНИ МОП-транзистора при воздействии ионизирующего излучения и повышении температуры от 27°С до 160°С. Показано, что полный ток утечки стока при повышенной температуре существенно выше суммы теплового тока необлученного транзистора и радиационного тока утечки при комнатной температуре. ...
Добавлено: 18 октября 2017 г.
Харитонов И. А., Четвериков И. А., Кузин Е. Ю. и др., В кн.: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия.: М.: НИИСИ РАН, 2017. С. 66–67.
. ...
Добавлено: 13 сентября 2017 г.
Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М. Р., Кузин Е. Ю. и др., В кн.: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия.: М.: НИИСИ РАН, 2017. С. 55–56.
. ...
Добавлено: 13 сентября 2017 г.
Исмаил-Заде М. Р., В кн.: Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е.В. Арменского.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2017. С. 282–283.
Предлагается модифицированный подход к экстракции параметров SPICE-моделей субмикронных КНИ МОПТ с учетом повышенной температуры (до 300°C), заключающийся в использовании "биннинга". Результатом выполнения процедуры является единый набор параметров, содержащий отдельные секции для транзисторов различных размеров. ...
Добавлено: 8 сентября 2017 г.
Konstantin O. Petrosyants, Sergey V. Lebedev, Самбурский Л. М. и др., , in: Proceedings of the 22nd International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (Therminic 2016).: IEEE, 2016. P. 250–254.
Добавлено: 1 ноября 2016 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., В кн.: Международной форум "Микроэлектроника-2016". 2-я научная конференция "Интегральные схемы и микроэлектронные модули".: М.: Техносфера, 2016. С. 303–308.
В работе с помощью средств TCAD проведено моделирование двух перспективных разновидностей глубоко субмикронных КНИ МОПТ с частично скрытым оксидом (Partial SOI) и L-образным скрытым оксидом (quasi-SOI) с целью оценки их радиационной стойкости и влияния эффекта «саморазогрева». На примере 100 нм КНИ МОП-транзистора показано, что новые структуры (Partial SOI и Quasi-SOI) по сравнению со стандартной КНИ МОПТ структурой ...
Добавлено: 11 октября 2016 г.
Петросянц К. О., В кн.: Сб. трудов Международной конференции "Интегральные схемы и микроэлектронные модули -- проектирование, производство и применение" (Микроэлектроника -- 2015).: М.: Техносфера, 2016. С. 415–431.
Разработаны библиотеки TCAD- и SPICE-моделей интегральных биполярных и МОП-транзисторов, предназначенные для проектирования радиационно-стойких Би-КМОП БИС и учитывающие следующие виды радиационных воздействий: гамма-лучей, нейтронов, электронов, протонов, импульсного излучения и отдельных ядерных частиц (ОЯЧ). ...
Добавлено: 13 апреля 2016 г.
Адонин А. С., Петросянц К. О., М.: Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2022.
Книга посвящена КМОП интегральным схемам (ИС) со структурой «кремний на сапфире», которые являются стратегическим важным направлением создания ИС для экстремальных и ответственных применений и одновременно быстро развивающимся перспективным направлением создания больших ИС (БИС) и систем на кристалле (СнК) для мобильных систем связи. В книге рассмотрены следующие вопросы: специфика интегральных схем со структурой КМОП КНС; требования ...
Добавлено: 5 апреля 2016 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., , in: Proceedings of the 24th European conference on radiation and its effects on components and systems -2015 (RADECS 2015), Moscow, Russia, 14-18 September.: Piscataway: Institute of Electrical and Electronic Engineers, 2015. P. 27–30.
В систему TCAD были добавлены новые полуэмпирические модели для учета эффектов поглощенной дозы, которые зависят от объема, оксида, плотности ловушек на границе HfO2 / Si, подвижности носителей, времени жизни в материале. В работе была исследована структура 45-нм high-k объемного и КНИ МОП транзистора с учетом радиационного воздейсвтия. ...
Добавлено: 18 февраля 2016 г.
К.О. Петросянц, М.В. Кожухов, Известия высших учебных заведений. Электроника 2015 Т. 20 № 6 С. 648–651
Проведено электротепловое моделирование современных структур Si и SiGe биполярных транзисторов с помощью САПР Sentaurus Synopsys. Показано, что для SiGe гетеропереходных биполярных транзисторов, работающих на высоких плотностях тока, наблюдается более высокая рабочая температура по сравнению с идентичными кремниевыми транзисторами при одинаковой рассеиваемой мощности, что приводит к сильной деградации электрофизических параметров прибора и его электрических характеристик. ...
Добавлено: 18 февраля 2016 г.
Konstantin O. Petrosyants, Maxim V. Kozhukhov, , in: Proceedings of the 24th European conference on radiation and its effects on components and systems -2015 (RADECS 2015), Moscow, Russia, 14-18 September.: Piscataway: Institute of Electrical and Electronic Engineers, 2015. P. 9–12.
Проведено исследование деградации характеристик SiGe ГБТ после воздейсвтия протонного излучения с помощью Synopsys Sentaurus. Представлена и добавлена в структуру Synopsys Sentaurus новая модель для для влияния протонного излучения на электрофизические параметры (t, S0, Nit). Используется способ учета влияния протонного излучения базирующийся на аддитивности ионизационных эффектов и эффектов смещения. По результатам сравнения смоделированных и экспериментальных характеристик SiGe ...
Добавлено: 18 февраля 2016 г.