• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Статьи
  • Определение параметров SPICE-моделей МОПТ при низких температурах (до минус 200°C)
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
2 июня 2026 г.
Человеческий капитал перевешивает социальный: исследование факторов трудовой мобильности в России
Образование и здоровье оказываются важнее связей, блата и знакомств для мобильности российских работников на рынке труда. К такому выводу пришли ученые НИУ ВШЭ, проанализировав данные лонгитюдного обследования домохозяйств «Российский мониторинг экономического положения и здоровья населения НИУ ВШЭ» (РМЭЗ НИУ ВШЭ) за 2016–2019 годы. Главный фактор, который влияет на карьерную мобильность россиян, — получение высшего образования и улучшение самооценки здоровья.
1 июня 2026 г.
Ученые ВШЭ объяснили, как эмоции человека влияют на отношение к цифровому государству
Сегодня взаимодействие человека с государством все чаще происходит через цифровые платформы: порталы госуслуг, электронные сервисы, системы на основе искусственного интеллекта и алгоритмы принятия решений. Однако до сих пор такие технологии в основном рассматривались как технические инструменты, эффективность которых оценивают по скорости работы и удобству интерфейсов. Авторы нового исследования предлагают смотреть на цифровое управление шире — как на эмоциональный опыт, который напрямую влияет на доверие граждан к государству.
28 мая 2026 г.
«Мне нравятся самосбывающиеся пророчества»
Андрей Ворчик изучает счастье, читает научпоп-лекции и хочет, чтобы наука занималась в том числе общественными проблемами. В интервью проекту «Молодые ученые Вышки» он рассказал о том, как эмоции влияют на принятие решений, Бермудском треугольнике из ванной, холодильника и кровати и идеальной формуле образования.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Определение параметров SPICE-моделей МОПТ при низких температурах (до минус 200°C)

Труды НИИСИ РАН. 2017. Т. 7. № 2. С. 41–45.
Харитонов И. А., Четвериков И. А., Кузин Е. Ю., Исмаил-Заде М. Р.

Показано, что стандартная модель BSIM3 не обеспечивает корректного описания более крутого характера сток-затворной характеристики при низких температурах (до -200°C), вызванного бо́льшим проявлением механизмов рассеяния носителей заряда при общем возрастании подвижности. Представлена улучшенная макромодель МОПТ для низкой температуры с управляемым источником напряжения, подключенным последовательно м затвором, который зависит от температуры и приложенного внешнего напряжения на затворе, направлен встречно по отношению к последнему и снижает эффективное напряжение затвор-исток транзистора по мере увеличения внешнего затворного напряжения. Описана процедура определения параметров улучшенной SPICE-моделей МОПТ. Предлагаемая макромодель имеет ряд преимуществ перед уже существующими аналогами и позволяет с большей точностью описывать характеристики МОПТ при низких температурах.

Приоритетные направления: инженерные науки
Язык: русский
Полный текст
Текст на другом сайте
Ключевые слова: КНИ МОПТопределение параметров моделиSOI MOSFETslow temperatureнизкая температураSPICE макромодельcarrier mobilitytransconductanceSPICE macro modelmodel parameters extractionподвижность носителейкрутизна характеристики
Похожие публикации
Perovskite nanoparticles Cs4PbBr6 and CsPbBr3: synthesis, analysis and peculiar optical properties
Гущина В. А., / Series chemrxiv-2023-vpzhz-v2 "ChemRxiv". 2023.
Наночастицы полностью неорганических перовскитов CsPbBr3 и Cs4PbBr6 интенсивно изучаются благодаря их уникальным свойствам и широкому спектру применений; однако природа их оптических свойств до сих пор полностью не изучена из-за сложности синтеза однофазных наночастиц. В данной статье мы описываем особенности синтеза однофазных частиц и результаты их химического и фазового анализа. Используя данные о концентрациях наночастиц, мы ...
Добавлено: 14 мая 2026 г.
Algorithmic overlaps as thermodynamic variables: from local to cluster Monte Carlo dynamics in critical phenomena
Пиле Я. Э., Deng Y., Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2026. No. 2604.10254.
Добавлено: 20 апреля 2026 г.
Determining the boundary of dynamical chaos in the generalized Chirikov map via machine learning
Чернышов Д. П., Сатанин А. М., Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2025.
Добавлено: 21 ноября 2025 г.
Doping dependence of low-energy charge collective excitations in high-Tc cuprates
Каган М. Ю., Silkin V. M., Efremov D. V., / Series arXiv "math". 2024. No. 2411.12836.
Добавлено: 27 ноября 2024 г.
Influence of anisotropy on the study of critical behavior of spin models by machine learning methods
Суховерхова Д. Д., Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2024. No. 2410.14523.
...
Добавлено: 21 октября 2024 г.
Компьютерное моделирование радиационного заряжения полимерных материалов космического применения при низких температурах
Толстиков С. Ю., Муллахметов И. Р., Пожидаев Е. Д. и др., Технологии электромагнитной совместимости 2024 № 1(88) С. 62–71
Рассмотрено компьютерное моделирование возникновения электростатических разрядов в полимерных материалах и изготовленной из них изоляции проводов в аппаратуре космического применения при низкой температуре. Для решения задачи использованы экспериментальные данные по радиационной электропроводности полиимида и полиэтилентерефталата при низких температурах, соответствующих аппаратуре космического применения. Проведено моделирование напряженности электрического поля в полиимиде и полиэтилентерефталате, позволяющие сделать вывод о возникновении ...
Добавлено: 6 июня 2024 г.
Comparison of the microcanonical population annealing algorithm with the Wang-Landau algorithm
Мозоленко В. К., Fadeeva Marina, Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2024. No. 2405.10865.
Добавлено: 20 мая 2024 г.
Majorana modes and Fano resonances in Aharonov- Bohm ring with topologically nontrivial superconducting bridge
Каган М. Ю., Аксёнов С. В., / Series Research Square "Research Suqare". 2024. No. 1.
Добавлено: 10 апреля 2024 г.
High-frequency dielectric anomalies in a highly frustrated square kagome lattice nabokoite family compounds ACu7(TeO4)(SO4)5Cl (A=Na, K, Rb, Cs)
Ребров Я. В., Глазков В. Н., Murtazoev A. F. и др., / Series cond-mat "arxiv.org". 2023.
Добавлено: 29 января 2024 г.
Nondestructive KPFM-assisted Quality Control in Fabrication of GaAs High-Speed Electronics
Shurakov A., Kaurova N., Belikov I. и др., / Series Physics "arxiv.org". 2022.
Добавлено: 15 сентября 2023 г.
Низкотемпературная радиационная электропроводность полистирола под действием электронов низких энергий
И. Р. Муллахметов, В. С. Саенко, А. П. Тютнев и др., Журнал технической физики, Российская Федерация 2023 Т. 93 № 1 С. 130–134
Разработана методика и впервые получены достаточно полные данные по радиационной электропроводности полистирола при температуре 79K при импульсном и непрерывном воздействии электронов с энергией 50 keV. Показано, что радиационная электропроводность полистирола при температуре 79K, как и при комнатной температуре определяется суммой двух компонент: мгновенной и задержанной. Обе компоненты при 79K имеют значительно меньшие величины, чем при 298K. Полный сигнал ...
Добавлено: 2 января 2023 г.
Superconducting spin valves based on a single spiral magnetic layer
Пугач Н. Г., Safonchik M. O., Belotelov V. и др., / Series "cond-mat". 2022. No. 2110.00369.
Добавлено: 16 ноября 2022 г.
Charge transport in the spatially correlated exponential random energy landscape: effect of the non-positive correlation function
Новиков С. В., / Series cond-mat "arxiv.org". 2022. No. 2209.14955.
Добавлено: 1 ноября 2022 г.
Software Complex for the Numerical Solution of the Isotropic Imaginary-Axis Eliashberg Equations
Ихсанов Р. Ш., Mazur E., Каган М. Ю., / Series "Working papers by Cornell University". 2022. No. 2202.01452.
Добавлено: 4 февраля 2022 г.
JFET and MOSFET SPICE Models in a Wide Temperature Range
Исмаил-Заде М. Р., Russian Microelectronics 2021 Vol. 50 No. 7 P. 486–490
Добавлено: 14 января 2022 г.
Theory of Ionic Liquids with Polarizable Ions on a Charged Electrode
Будков Ю. А., Zavarzin S., Kolesnikov A. L., Journal of Physical Chemistry C 2021 Vol. 125 No. 38 P. 21151–21159
Добавлено: 16 сентября 2021 г.
Synthesis, structure, and PDE inhibiting activity of the anionic DNIC with 5-(3-pyridyl)-4H-1,2,4-triazole-3-thiolyl, the nitric oxide donor.
Sanina N., Isaeva U., Utenyshev A. и др., Inorganica Chimica Acta 2021 Vol. 527 Article 120559
Добавлено: 16 сентября 2021 г.
Self-Heating Investigation in SOI MOSFET Structures with High Thermal Conductivity Buried Insulator Layers
Петросянц К. О., Попов Д. А., , in: 2020 36th Semiconductor Thermal Measurement, Modeling & Management Symposium (SEMI-THERM).: IEEE, 2020. P. 56–60.
Добавлено: 14 февраля 2021 г.
Введение в TCAD и SPICE моделирование полупроводниковых приборов и элементов БИС
Петросянц К. О., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г.: М.: МАКС Пресс, 2020. С. 35–40.
Рассмотрены методики TCAD и SPICE моделирования для биполярных и МОП-компонентов, изготовленных по базовым технологиям кремниевых ИС/БИС. ...
Добавлено: 5 декабря 2020 г.
Simulating the Self-Heating Effect for MOSFETs with Various Configurations of Buried Oxide
Петросянц К. О., Попов Д. А., Russian Microelectronics 2019 Vol. 48 No. 7 P. 467–469
Добавлено: 24 марта 2020 г.
Annular antenna array metamaterial with SINIS bolometers.
Тарасов М., Соболев А., Гунбина А. и др., Journal of Applied Physics 2019 Vol. 125 P. 174501
Добавлено: 22 ноября 2019 г.
Radiation-Induced Transient Currents in Films of Poly(arylene ether ketone) Including Phthalide Moiety//Polymers, doi: 10.3390/polym12010013
, Shaposhnikova V., Alexey R. Tameev и др., Polymers 2020 Vol. 12 No. 00013 P. 1–9
Аннотация: Электрические свойства тонких пленок поли (ариленэфиркетон) сополимеров (со-ПАЭК) с долей фталидсодержащих звеньев 3, 5 и 50 мол.% в основной цепи были исследовано с помощью измерений радиационной проводимости (РЭ). Сигналы переходного тока и вольт-амперные характеристики были получены при экспонировании 20 ÷ 25 толстых пленок со-ПАЭК для моноэнергетических импульсов электронов с энергией в диапазоне от 3 ...
Добавлено: 20 ноября 2019 г.
SPICE-модели JFET и MOSFET в широком диапазоне температур
Исмаил-Заде М. Р., Известия высших учебных заведений. Электроника 2020 Т. 25 № 1 С. 40–47
Схемотехническое проектирование электронных устройств для жестких условий эксплуатации требует наличия SPICE-моделей электронных компонентов, учитывающих влияние сверхнизкой и сверхвысокой температуры окружающей среды. Однако стандартные SPICE-модели компонентов в коммерческих версиях SPICE-подобных симуляторов обеспечивают достаточную точность в ограниченном температурном диапазоне (-60…+150 °С) и не могут применяться для расчета электронных схем в диапазоне температур от сверхнизких до сверхвысоких. В ...
Добавлено: 30 октября 2019 г.
SPICE-модели JFET и MOSFET в широком диапазоне температуры (–200…+300°C)
Исмаил-Заде М. Р., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2019». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, 23-25 сентября 2019 г.: М.: ООО "Спектр", 2019. С. 284–292.
Доработаны компактные SPICE-модели полевых транзисторов со структурой MOSFET и JFET, предназначенные для расчета электронных схем в диапазоне температуры от сверхнизких до сверхвысоких (–200…+300°С). Разработана процедура экстракции параметров SPICE-моделей на основе результатов измерений или приборно-технологического моделирования стандартного набора ВАХ и ВФХ в широком диапазоне температуры. ...
Добавлено: 30 сентября 2019 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • http://www.edu.ru
    Федеральный портал «Российское образование»
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика конфиденциальности
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору