Определение параметров SPICE-моделей МОПТ при низких температурах (до минус 200°C)

И. А. Харитонов; И. А. Четвериков; Е. Ю. Кузин; М. Р. Исмаил-Заде

?

Определение параметров SPICE-моделей МОПТ при низких температурах (до минус 200°C)

Труды НИИСИ РАН. 2017. Т. 7. № 2. С. 41–45.

Харитонов И. А., Четвериков И. А., Кузин Е. Ю., Исмаил-Заде М. Р.

Показано, что стандартная модель BSIM3 не обеспечивает корректного описания более крутого характера сток-затворной характеристики при низких температурах (до -200°C), вызванного бо́льшим проявлением механизмов рассеяния носителей заряда при общем возрастании подвижности. Представлена улучшенная макромодель МОПТ для низкой температуры с управляемым источником напряжения, подключенным последовательно м затвором, который зависит от температуры и приложенного внешнего напряжения на затворе, направлен встречно по отношению к последнему и снижает эффективное напряжение затвор-исток транзистора по мере увеличения внешнего затворного напряжения. Описана процедура определения параметров улучшенной SPICE-моделей МОПТ. Предлагаемая макромодель имеет ряд преимуществ перед уже существующими аналогами и позволяет с большей точностью описывать характеристики МОПТ при низких температурах.

Приоритетные направления: инженерные науки

Язык: русский

Полный текст

Текст на другом сайте

Ключевые слова: КНИ МОПТ определение параметров модели SOI MOSFETs low temperature низкая температура SPICE макромодель carrier mobility transconductance SPICE macro model model parameters extraction подвижность носителей крутизна характеристики

Ising models on the hydrogen peroxide and other lattices

Qin X., Deng Y., Щур Л. Н. и др., / Series arXiv "math". 2026. No. 2603.02962.

Добавлено: 20 апреля 2026 г.

Algorithmic overlaps as thermodynamic variables: from local to cluster Monte Carlo dynamics in critical phenomena

Пиле Я. Э., Deng Y., Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2026. No. 2604.10254.

Добавлено: 20 апреля 2026 г.

Determining the boundary of dynamical chaos in the generalized Chirikov map via machine learning

Чернышов Д. П., Сатанин А. М., Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2025.

Добавлено: 21 ноября 2025 г.

Doping dependence of low-energy charge collective excitations in high-Tc cuprates

Каган М. Ю., Silkin V. M., Efremov D. V., / Series arXiv "math". 2024. No. 2411.12836.

Добавлено: 27 ноября 2024 г.

Influence of anisotropy on the study of critical behavior of spin models by machine learning methods

Суховерхова Д. Д., Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2024. No. 2410.14523.

...

Добавлено: 21 октября 2024 г.

Компьютерное моделирование радиационного заряжения полимерных материалов космического применения при низких температурах

Толстиков С. Ю., Муллахметов И. Р., Пожидаев Е. Д. и др., Технологии электромагнитной совместимости 2024 № 1(88) С. 62–71

Рассмотрено компьютерное моделирование возникновения электростатических разрядов в полимерных материалах и изготовленной из них изоляции проводов в аппаратуре космического применения при низкой температуре. Для решения задачи использованы экспериментальные данные по радиационной электропроводности полиимида и полиэтилентерефталата при низких температурах, соответствующих аппаратуре космического применения. Проведено моделирование напряженности электрического поля в полиимиде и полиэтилентерефталате, позволяющие сделать вывод о возникновении ...

Добавлено: 6 июня 2024 г.

Comparison of the microcanonical population annealing algorithm with the Wang-Landau algorithm

Мозоленко В. К., Fadeeva Marina, Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2024. No. 2405.10865.

Добавлено: 20 мая 2024 г.

Majorana modes and Fano resonances in Aharonov- Bohm ring with topologically nontrivial superconducting bridge

Каган М. Ю., Аксёнов С. В., / Series Research Square "Research Suqare". 2024. No. 1.

Добавлено: 10 апреля 2024 г.

High-frequency dielectric anomalies in a highly frustrated square kagome lattice nabokoite family compounds ACu7(TeO4)(SO4)5Cl (A=Na, K, Rb, Cs)

Ребров Я. В., Глазков В. Н., Murtazoev A. F. и др., / Series cond-mat "arxiv.org". 2023.

Добавлено: 29 января 2024 г.

Nondestructive KPFM-assisted Quality Control in Fabrication of GaAs High-Speed Electronics

Shurakov A., Kaurova N., Belikov I. и др., / Series Physics "arxiv.org". 2022.

Добавлено: 15 сентября 2023 г.

Низкотемпературная радиационная электропроводность полистирола под действием электронов низких энергий

И. Р. Муллахметов, В. С. Саенко, А. П. Тютнев и др., Журнал технической физики, Российская Федерация 2023 Т. 93 № 1 С. 130–134

Разработана методика и впервые получены достаточно полные данные по радиационной электропроводности полистирола при температуре 79K при импульсном и непрерывном воздействии электронов с энергией 50 keV. Показано, что радиационная электропроводность полистирола при температуре 79K, как и при комнатной температуре определяется суммой двух компонент: мгновенной и задержанной. Обе компоненты при 79K имеют значительно меньшие величины, чем при 298K. Полный сигнал ...

Добавлено: 2 января 2023 г.

Superconducting spin valves based on a single spiral magnetic layer

Пугач Н. Г., Safonchik M. O., Belotelov V. и др., / Series "cond-mat". 2022. No. 2110.00369.

Добавлено: 16 ноября 2022 г.

Charge transport in the spatially correlated exponential random energy landscape: effect of the non-positive correlation function

Новиков С. В., / Series cond-mat "arxiv.org". 2022. No. 2209.14955.

Добавлено: 1 ноября 2022 г.

Software Complex for the Numerical Solution of the Isotropic Imaginary-Axis Eliashberg Equations

Ихсанов Р. Ш., Mazur E., Каган М. Ю., / Series "Working papers by Cornell University". 2022. No. 2202.01452.

Добавлено: 4 февраля 2022 г.

JFET and MOSFET SPICE Models in a Wide Temperature Range

Исмаил-Заде М. Р., Russian Microelectronics 2021 Vol. 50 No. 7 P. 486–490

Добавлено: 14 января 2022 г.

Theory of Ionic Liquids with Polarizable Ions on a Charged Electrode

Будков Ю. А., Zavarzin S., Kolesnikov A. L., Journal of Physical Chemistry C 2021 Vol. 125 No. 38 P. 21151–21159

Добавлено: 16 сентября 2021 г.

Synthesis, structure, and PDE inhibiting activity of the anionic DNIC with 5-(3-pyridyl)-4H-1,2,4-triazole-3-thiolyl, the nitric oxide donor.

Sanina N., Isaeva U., Utenyshev A. и др., Inorganica Chimica Acta 2021 Vol. 527 Article 120559

Добавлено: 16 сентября 2021 г.

EPJ Web of Conferences

EDP Sciences, 2021.

Добавлено: 14 сентября 2021 г.

Self-Heating Investigation in SOI MOSFET Structures with High Thermal Conductivity Buried Insulator Layers

Петросянц К. О., Попов Д. А., , in: 2020 36th Semiconductor Thermal Measurement, Modeling & Management Symposium (SEMI-THERM).: IEEE, 2020. P. 56–60.

Добавлено: 14 февраля 2021 г.

Введение в TCAD и SPICE моделирование полупроводниковых приборов и элементов БИС

Петросянц К. О., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г.: М.: МАКС Пресс, 2020. С. 35–40.

Рассмотрены методики TCAD и SPICE моделирования для биполярных и МОП-компонентов, изготовленных по базовым технологиям кремниевых ИС/БИС. ...

Добавлено: 5 декабря 2020 г.

Simulating the Self-Heating Effect for MOSFETs with Various Configurations of Buried Oxide

Петросянц К. О., Попов Д. А., Russian Microelectronics 2019 Vol. 48 No. 7 P. 467–469

Добавлено: 24 марта 2020 г.

Annular antenna array metamaterial with SINIS bolometers.

Тарасов М., Соболев А., Гунбина А. и др., Journal of Applied Physics 2019 Vol. 125 P. 174501

Добавлено: 22 ноября 2019 г.

Radiation-Induced Transient Currents in Films of Poly(arylene ether ketone) Including Phthalide Moiety//Polymers, doi: 10.3390/polym12010013

, Shaposhnikova V., Alexey R. Tameev и др., Polymers 2020 Vol. 12 No. 00013 P. 1–9

Аннотация: Электрические свойства тонких пленок поли (ариленэфиркетон) сополимеров (со-ПАЭК) с долей фталидсодержащих звеньев 3, 5 и 50 мол.% в основной цепи были исследовано с помощью измерений радиационной проводимости (РЭ). Сигналы переходного тока и вольт-амперные характеристики были получены при экспонировании 20 ÷ 25 толстых пленок со-ПАЭК для моноэнергетических импульсов электронов с энергией в диапазоне от 3 ...

Добавлено: 20 ноября 2019 г.

SPICE-модели JFET и MOSFET в широком диапазоне температур

Исмаил-Заде М. Р., Известия высших учебных заведений. Электроника 2020 Т. 25 № 1 С. 40–47

Схемотехническое проектирование электронных устройств для жестких условий эксплуатации требует наличия SPICE-моделей электронных компонентов, учитывающих влияние сверхнизкой и сверхвысокой температуры окружающей среды. Однако стандартные SPICE-модели компонентов в коммерческих версиях SPICE-подобных симуляторов обеспечивают достаточную точность в ограниченном температурном диапазоне (-60…+150 °С) и не могут применяться для расчета электронных схем в диапазоне температур от сверхнизких до сверхвысоких. В ...

Добавлено: 30 октября 2019 г.