Подход к экстракции параметров SPICE-моделей субмикронных КНИ МОПТ с учетом повышенной температуры (до 300°C)

М. Р. Исмаил-Заде

?

Подход к экстракции параметров SPICE-моделей субмикронных КНИ МОПТ с учетом повышенной температуры (до 300°C)

С. 282–283.

Предлагается модифицированный подход к экстракции параметров SPICE-моделей субмикронных КНИ МОПТ с учетом повышенной температуры (до 300°C), заключающийся в использовании "биннинга". Результатом выполнения процедуры является единый набор параметров, содержащий отдельные секции для транзисторов различных размеров.

Язык: русский

Полный текст

Ключевые слова: экстракция параметров КНИ МОПТ SPICE-модель высокая температура

В книге

Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е.В. Арменского

М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2017.

The Study and Determination of Rational Hydraulic Parameters of a Prototype Multi-Gear Pump

Zharkevich O., Berg A., Reshetnikova O. и др., Fluids 2025 Vol. 10 No. 8 Article 211

Добавлено: 6 ноября 2025 г.

How tolerant are hydroids to cimate-change-induced acute spikes in sea water temperature? A case study of arctic Dynamena pumila (L., 1758)

Marfenin N., Vitaly S. Dementyev, Nikolaev E., Hydrobiology (ISSN 2673-9917) Hydrobiology Editorial Office hydrobiology@mdpi.com MDPI, St. Alban-Anlage 66 4052 Basel, Switzerland Tel: +41 61 683 77 34 www.mdpi.com mdpi.com/journal/hydrobiolog 2023 Vol. 2 No. 4 P. 583–601

Добавлено: 6 декабря 2023 г.

Выносливость колониального организма к повышению температуры среды в зависимости от его размеров на примере колониального гидроида Dynamena pumila (L., 1758)

Марфенин Н. Н., Дементьев В. С., Николаев Е. В., Russian Journal of Ecosystem Ecology 2023 Т. 8 № 3

Экспериментально установлено, что выращенные в лаборатории более крупные колонии Dynamena pumila (Hydrozoa, Cnidaria), включающие 10–11 молодых побегов, менее устойчивы к повышению температуры воды до верхнего температурного предела данного вида (25 °С), чем такие же колонии меньшего размера с одним-двумя побегами. При повышении температуры часть гидрантов временно деградирует, а дефицит пищи в большей степени испытывают колонии ...

Добавлено: 6 декабря 2023 г.

Программно-аппаратный комплекс для определения параметров SPICE-моделей электронных компонентов для гражданских и специальных применений

Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М. Р. и др., Наноиндустрия 2023 Т. 16 № S9-1(119) С. 179–188

Описан программно-аппаратный комплекс для исследования характеристик и определения параметров SPICE-моделей полупроводниковых приборов и компонентов ИС/БИС, работающих в условиях воздействия различных видов радиации и температуры в сверхшироком диапазоне. ...

Добавлено: 21 мая 2023 г.

Исследование возможностей применения различных промышленных экстракторов для определения параметров SPICE-моделей субмикронных МОПТ в диапазоне температуры до 300°С

Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М., В кн.: Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021.: М.: МАКС Пресс, 2021. С. 117–120.

Исследовались возможности определения параметров SPICE-моделей в расширенном диапазоне температур с помощью трех наиболее распространенных коммерческих экстракторов IC-CAP, MBP и BSIMProPlus. Приведены сравнительные оценки эффективности экстракторов на примере расчета ВАХ МОПТ с учетом температуры до +300°C. ...

Добавлено: 5 ноября 2021 г.

TCAD-SPICE Investigation of SEU Sensitivity for SOI and DSOI CMOS SRAM Cells in Temperature Range up to 300 °C

, D.A. Popov, Li B. и др., , in: Proceedings of the 3nd International Conference on Microelectronic Devices and Technologies (MicDAT 2020).: Barcelona: International Frequency Sensor Association (IFSA), 2020. Ch. 15 P. 31–34.

Добавлено: 23 марта 2021 г.

Self-Heating Investigation in SOI MOSFET Structures with High Thermal Conductivity Buried Insulator Layers

Петросянц К. О., Попов Д. А., , in: 2020 36th Semiconductor Thermal Measurement, Modeling & Management Symposium (SEMI-THERM).: IEEE, 2020. P. 56–60.

Добавлено: 14 февраля 2021 г.

TCAD моделирование сбоеустойчивости SELBOX и DSOI КМОП КНИ ячеек памяти

Попов Д. А., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г.: М.: МАКС Пресс, 2020. С. 227–229.

Проведено смешанное TCAD-SPICE моделирование удара тяжелой заряженной частица в ячейку памяти на основе КНИ КМОП транзисторов. Исследовалась зависимость критического значения линейных потерь энергии от температуры для трех конфигураций 0,24 мкм КНИ МОП-транзисторов: традиционный КНИ, Selective BOX и Double SOI. Было показано, что отказоустойчивость ячеек на основе Double SOI МОПТ значительно повышается при отрицательном смещении на ...

Добавлено: 5 декабря 2020 г.

SPICE-модели JFET и MOSFET в широком диапазоне температур

Исмаил-Заде М. Р., Известия высших учебных заведений. Электроника 2020 Т. 25 № 1 С. 40–47

Схемотехническое проектирование электронных устройств для жестких условий эксплуатации требует наличия SPICE-моделей электронных компонентов, учитывающих влияние сверхнизкой и сверхвысокой температуры окружающей среды. Однако стандартные SPICE-модели компонентов в коммерческих версиях SPICE-подобных симуляторов обеспечивают достаточную точность в ограниченном температурном диапазоне (-60…+150 °С) и не могут применяться для расчета электронных схем в диапазоне температур от сверхнизких до сверхвысоких. В ...

Добавлено: 30 октября 2019 г.

SPICE-модели JFET и MOSFET в широком диапазоне температуры (–200…+300°C)

Исмаил-Заде М. Р., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2019». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, 23-25 сентября 2019 г.: М.: ООО "Спектр", 2019. С. 284–292.

Доработаны компактные SPICE-модели полевых транзисторов со структурой MOSFET и JFET, предназначенные для расчета электронных схем в диапазоне температуры от сверхнизких до сверхвысоких (–200…+300°С). Разработана процедура экстракции параметров SPICE-моделей на основе результатов измерений или приборно-технологического моделирования стандартного набора ВАХ и ВФХ в широком диапазоне температуры. ...

Добавлено: 30 сентября 2019 г.

Compact Device Models for BiCMOS VLSIs Simulation in the Extended Temperature Range (from -200°C to +300°C)

Петросянц К. О., , in: 24th International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (2018).: IEEE, 2018. P. 1–6.

Добавлено: 22 ноября 2018 г.

Характеризация элементов высокотемпературных КМОП ИС

Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др., В кн.: Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур. XVII научно-практический семинар с международным участием: сборник трудов.: Н. Новгород: ФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова», 2017. С. 76–79.

С помощью разработанного автоматизированного аппаратно-программного комплекса в диапазоне температуры от комнатной до 300°С исследованы характеристики КНИ МОП-транзисторов с размерами 0.6, 0.35, 0.18 мкм, изготовленные ОАО ПИИМЭ и Микрон. Показана работоспособность транзисторов в диапазоне температуры до 300°С. Разработана методика определения параметров SPICE моделей КНИ МОП-транзисторов с учетом их размеров и расширенного диапазона температуры. С использованием методики определены ...

Добавлено: 20 ноября 2018 г.

Quasi-3D TCAD modeling of STI radiation-induced leakage currents in SOI MOSFET structure

Петросянц К. О., Попов Д. А., Быков Д. В., Journal of Physics: Conference Series 2019 Vol. 1163 P. 1–6

Добавлено: 22 октября 2018 г.

Effective Radiation Damage Models for TCAD Simulation of Silicon Bipolar and MOS Transistor and Sensor Structures

Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А., Sensors and Transducers 2018 Vol. 227 No. 11 P. 42–50

Добавлено: 22 октября 2018 г.

Моделирование эффекта саморазогрева КНИ МОП-транзистора с различной конфигурацией скрытого оксида

Петросянц К. О., Попов Д. А., Известия высших учебных заведений. Электроника 2018 Т. 23 № 5 С. 521–525

КНИ МОП-транзисторы имеют худшие условия для отвода тепла из рабочей об-ласти, что негативно сказывается на надежности и производительности микро-схем. С помощью TCAD-моделирования исследован эффект саморазогрева в структурах КНИ МОП-транзистора с различной конфигурацией скрытого оксида: традиционная структура на объемном кремнии, структура кремний на изоляторе, структура с «окном» в скрытом оксиде (SELBOX), КНИ-структура с неполным скрытым оксидом ...

Добавлено: 22 октября 2018 г.

Принципы разработки библиотек SPICE-моделей электронных компонентов для ответственных применений отечественного производства

Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2018». 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули». Сборник тезисов. Республика Крым, г. Алушта, 01–06 октября 2018 г.: М.: Техносфера, 2018. С. 308–312.

. ...

Добавлено: 21 октября 2018 г.

Определение параметров SPICE-моделей МОПТ при низких температурах (до минус 200°C)

Харитонов И. А., Четвериков И. А., Кузин Е. Ю. и др., Труды НИИСИ РАН 2017 Т. 7 № 2 С. 41–45

Показано, что стандартная модель BSIM3 не обеспечивает корректного описания более крутого характера сток-затворной характеристики при низких температурах (до -200°C), вызванного бо́льшим проявлением механизмов рассеяния носителей заряда при общем возрастании подвижности. Представлена улучшенная макромодель МОПТ для низкой температуры с управляемым источником напряжения, подключенным последовательно м затвором, который зависит от температуры и приложенного внешнего напряжения на затворе, ...

Добавлено: 9 сентября 2018 г.

Electrical characterization and reliability of submicron SOI CMOS technology in the extended temperature range (to 300 °C)

Петросянц К. О., Харитонов И. А., Lebedev S. и др., Microelectronics and Reliability 2017 Vol. 79 P. 416–425

Добавлено: 28 февраля 2018 г.

TCAD Simulation of Dose Radiation Effects in Sub-100 nm High-k MOSFET Structures

, Попов Д. А., Быков Д. В., Russian Microelectronics 2018 Vol. 47 No. 7 P. 487–493

Добавлено: 30 января 2018 г.

TCAD моделирование радиационно-индуцированных токов утечки стока в КНИ МОПТ при повышенных температурах

Петросянц К. О., Харитонов И. А., Попов Д. А., В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА: Материалы XV научно-технической конференции, 27-29 сентября 2017.: М., Дубна: ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2017. С. 224–226.

С помощью Synopsys TCAD проводилось моделирование тока стока n-канального КНИ МОП-транзистора при воздействии ионизирующего излучения и повышении температуры от 27°С до 160°С. Показано, что полный ток утечки стока при повышенной температуре существенно выше суммы теплового тока необлученного транзистора и радиационного тока утечки при комнатной температуре. ...

Добавлено: 18 октября 2017 г.

Подсистема схемотехнического проектирования КМОП БИС с учётом совместного влияния радиационных и тепловых эффектов

Харитонов И. А., В кн.: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия.: М.: НИИСИ РАН, 2017. С. 64–65.

. ...

Добавлено: 13 сентября 2017 г.

Определение параметров SPICE-моделей МОПТ при низких температурах (до минус 200°C)

Харитонов И. А., Четвериков И. А., Кузин Е. Ю. и др., В кн.: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия.: М.: НИИСИ РАН, 2017. С. 66–67.

. ...

Добавлено: 13 сентября 2017 г.