• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Глава
  • Определение параметров SPICE-моделей МОПТ при низких температурах (до минус 200°C)
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
20 мая 2026 г.
Творческая работа как лекарство от выгорания
Творческая и доброжелательная атмосфера, новые методы в Международной лаборатории (впоследствии центре) социокультурных исследований привлекают молодых исследователей. За годы работы в Вышке они становятся учеными и преподавателями, известными в России и за рубежом. О своем пути в центре и в Вышке, исследованиях и роли наставников в научных успехах рассказали главный научный сотрудник ЦСКИ Зарина Лепшокова и ведущий научный сотрудник Екатерина Бушина.
19 мая 2026 г.
Физики НИУ ВШЭ выяснили, что происходит внутри устойчивого вихря
В атмосфере и в океане часто наблюдаются крупные вихри с характерными спиральными рукавами. Физики из НИУ ВШЭ объяснили, как они формируются и почему сохраняют свою структуру. Оказалось, что скорости в точках, расположенных вдоль одной дуги вихря, остаются связанными даже на больших расстояниях. При этом в направлении от центра вихря эта связь быстро ослабевает. Такие различия помогают объяснить образование рукавов и могут улучшить модели атмосферных и океанических течений. Результаты опубликованы в Physical Review Fluids.
18 мая 2026 г.
В Вышке прошла XXX юбилейная научно-техническая конференция имени Е.В. Арменского
Организатором научного события выступает Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова ВШЭ. В этом году главный инженерный студенческий форум проходил 30-й раз и собрал рекордное число участников. Студенты, аспиранты и молодые специалисты из 50 вузов и организаций России представили научно-исследовательские доклады в ИТ-области. Отдельная секция была посвящена научно-исследовательским работам школьников.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Определение параметров SPICE-моделей МОПТ при низких температурах (до минус 200°C)

С. 66–67.
Харитонов И. А., Четвериков И. А., Кузин Е. Ю., Исмаил-Заде М. Р.

.

Язык: русский
Полный текст
Ключевые слова: подвижность носителей зарядаКНИ МОПТопределение параметров моделинизкая температураSPICE макромодель

В книге

XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия
XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия
М.: НИИСИ РАН, 2017.
Похожие публикации
Компьютерное моделирование радиационного заряжения полимерных материалов космического применения при низких температурах
Толстиков С. Ю., Муллахметов И. Р., Пожидаев Е. Д. и др., Технологии электромагнитной совместимости 2024 № 1(88) С. 62–71
Рассмотрено компьютерное моделирование возникновения электростатических разрядов в полимерных материалах и изготовленной из них изоляции проводов в аппаратуре космического применения при низкой температуре. Для решения задачи использованы экспериментальные данные по радиационной электропроводности полиимида и полиэтилентерефталата при низких температурах, соответствующих аппаратуре космического применения. Проведено моделирование напряженности электрического поля в полиимиде и полиэтилентерефталате, позволяющие сделать вывод о возникновении ...
Добавлено: 6 июня 2024 г.
Charge Density and Mobility of Charge Density Waves in the Quasi-One-Dimensional Conductor NbS3
Zybtsev n., Pokrovskii V. Y., Nikonov n. и др., JETP Letters 2023 Vol. 117 No. 2 P. 157–163
Добавлено: 30 января 2024 г.
Низкотемпературная радиационная электропроводность полистирола под действием электронов низких энергий
И. Р. Муллахметов, В. С. Саенко, А. П. Тютнев и др., Журнал технической физики, Российская Федерация 2023 Т. 93 № 1 С. 130–134
Разработана методика и впервые получены достаточно полные данные по радиационной электропроводности полистирола при температуре 79K при импульсном и непрерывном воздействии электронов с энергией 50 keV. Показано, что радиационная электропроводность полистирола при температуре 79K, как и при комнатной температуре определяется суммой двух компонент: мгновенной и задержанной. Обе компоненты при 79K имеют значительно меньшие величины, чем при 298K. Полный сигнал ...
Добавлено: 2 января 2023 г.
Self-Heating Investigation in SOI MOSFET Structures with High Thermal Conductivity Buried Insulator Layers
Петросянц К. О., Попов Д. А., , in: 2020 36th Semiconductor Thermal Measurement, Modeling & Management Symposium (SEMI-THERM).: IEEE, 2020. P. 56–60.
Добавлено: 14 февраля 2021 г.
Radiation-Induced Transient Currents in Films of Poly(arylene ether ketone) Including Phthalide Moiety//Polymers, doi: 10.3390/polym12010013
, Shaposhnikova V., Alexey R. Tameev и др., Polymers 2020 Vol. 12 No. 00013 P. 1–9
Аннотация: Электрические свойства тонких пленок поли (ариленэфиркетон) сополимеров (со-ПАЭК) с долей фталидсодержащих звеньев 3, 5 и 50 мол.% в основной цепи были исследовано с помощью измерений радиационной проводимости (РЭ). Сигналы переходного тока и вольт-амперные характеристики были получены при экспонировании 20 ÷ 25 толстых пленок со-ПАЭК для моноэнергетических импульсов электронов с энергией в диапазоне от 3 ...
Добавлено: 20 ноября 2019 г.
SPICE-модели JFET и MOSFET в широком диапазоне температур
Исмаил-Заде М. Р., Известия высших учебных заведений. Электроника 2020 Т. 25 № 1 С. 40–47
Схемотехническое проектирование электронных устройств для жестких условий эксплуатации требует наличия SPICE-моделей электронных компонентов, учитывающих влияние сверхнизкой и сверхвысокой температуры окружающей среды. Однако стандартные SPICE-модели компонентов в коммерческих версиях SPICE-подобных симуляторов обеспечивают достаточную точность в ограниченном температурном диапазоне (-60…+150 °С) и не могут применяться для расчета электронных схем в диапазоне температур от сверхнизких до сверхвысоких. В ...
Добавлено: 30 октября 2019 г.
SPICE-модели JFET и MOSFET в широком диапазоне температуры (–200…+300°C)
Исмаил-Заде М. Р., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2019». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, 23-25 сентября 2019 г.: М.: ООО "Спектр", 2019. С. 284–292.
Доработаны компактные SPICE-модели полевых транзисторов со структурой MOSFET и JFET, предназначенные для расчета электронных схем в диапазоне температуры от сверхнизких до сверхвысоких (–200…+300°С). Разработана процедура экстракции параметров SPICE-моделей на основе результатов измерений или приборно-технологического моделирования стандартного набора ВАХ и ВФХ в широком диапазоне температуры. ...
Добавлено: 30 сентября 2019 г.
Quasi-3D TCAD modeling of STI radiation-induced leakage currents in SOI MOSFET structure
Петросянц К. О., Попов Д. А., Быков Д. В., Journal of Physics: Conference Series 2019 Vol. 1163 P. 1–6
Добавлено: 22 октября 2018 г.
Effective Radiation Damage Models for TCAD Simulation of Silicon Bipolar and MOS Transistor and Sensor Structures
Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А., Sensors and Transducers 2018 Vol. 227 No. 11 P. 42–50
Добавлено: 22 октября 2018 г.
Моделирование эффекта саморазогрева КНИ МОП-транзистора с различной конфигурацией скрытого оксида
Петросянц К. О., Попов Д. А., Известия высших учебных заведений. Электроника 2018 Т. 23 № 5 С. 521–525
КНИ МОП-транзисторы имеют худшие условия для отвода тепла из рабочей об-ласти, что негативно сказывается на надежности и производительности микро-схем. С помощью TCAD-моделирования исследован эффект саморазогрева в структурах КНИ МОП-транзистора с различной конфигурацией скрытого оксида: традиционная структура на объемном кремнии, структура кремний на изоляторе, структура с «окном» в скрытом оксиде (SELBOX), КНИ-структура с неполным скрытым оксидом ...
Добавлено: 22 октября 2018 г.
Принципы разработки библиотек SPICE-моделей электронных компонентов для ответственных применений отечественного производства
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2018». 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули». Сборник тезисов. Республика Крым, г. Алушта, 01–06 октября 2018 г.: М.: Техносфера, 2018. С. 308–312.
. ...
Добавлено: 21 октября 2018 г.
Определение параметров SPICE-моделей МОПТ при низких температурах (до минус 200°C)
Харитонов И. А., Четвериков И. А., Кузин Е. Ю. и др., Труды НИИСИ РАН 2017 Т. 7 № 2 С. 41–45
Показано, что стандартная модель BSIM3 не обеспечивает корректного описания более крутого характера сток-затворной характеристики при низких температурах (до -200°C), вызванного бо́льшим проявлением механизмов рассеяния носителей заряда при общем возрастании подвижности. Представлена улучшенная макромодель МОПТ для низкой температуры с управляемым источником напряжения, подключенным последовательно м затвором, который зависит от температуры и приложенного внешнего напряжения на затворе, ...
Добавлено: 9 сентября 2018 г.
SPICE-model of SiGe HBT Taking into Account Radiation Effects
Петросянц К. О., Кожухов М. В., Dvornikov O. и др., , in: 2018 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). Proceedings.: M.: IEEE, 2018. Ch. 380 P. 1–4.
Добавлено: 30 мая 2018 г.
Electrical characterization and reliability of submicron SOI CMOS technology in the extended temperature range (to 300 °C)
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Lebedev S. и др., Microelectronics and Reliability 2017 Vol. 79 P. 416–425
Добавлено: 28 февраля 2018 г.
TCAD Simulation of Dose Radiation Effects in Sub-100 nm High-k MOSFET Structures
, Попов Д. А., Быков Д. В., Russian Microelectronics 2018 Vol. 47 No. 7 P. 487–493
Добавлено: 30 января 2018 г.
TCAD моделирование радиационно-индуцированных токов утечки стока в КНИ МОПТ при повышенных температурах
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Попов Д. А., В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА: Материалы XV научно-технической конференции, 27-29 сентября 2017.: М., Дубна: ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2017. С. 224–226.
С помощью Synopsys TCAD проводилось моделирование тока стока n-канального КНИ МОП-транзистора при воздействии ионизирующего излучения и повышении температуры от 27°С до 160°С. Показано, что полный ток утечки стока при повышенной температуре существенно выше суммы теплового тока необлученного транзистора и радиационного тока утечки при комнатной температуре. ...
Добавлено: 18 октября 2017 г.
The Photovoltaic Effect and Charge Carrier Mobility in Layered Compositions of Bithiophene or Related Rotaxane Copolymer with C70 Fullerene Derivative
Kostromin S. V., Malov V., Тамеев А. Р. и др., Technical Physics Letters 2017 Vol. 43 No. 2 P. 173–176
Изготовлены органические фотовольтаические ячейки с объемным гетеропереходом, в которых в качестве фотоактивного слоя использованы смеси сополимера битиофена или ротаксана на его основе с производным фуллерена РС70ВМ. Определена подвижность носителей заряда в слоях смесей, измерены вольт-амперные характеристики фотовольтаических ячеек и построена диаграмма энергетических уровней компонентов ячейки. Установлено, что компонент полиротаксана−макроцикл−изолирует часть тиофеновых участков макромолекулы, затрудняя транспорт ...
Добавлено: 7 октября 2017 г.
Synthesis and properties of new π-conjugated imidazole/carbazole structures
Irgashev R., Kazin N., Makarova N. и др., Dyes and Pigments 2017 Vol. 141 P. 512–520
New 3-(1H-imidazol-2-yl)-9H-carbazoles and 6,60-di(1H-imidazol-2-yl)-9H,90H-3,30-bicarbazoles have been prepared, starting from 9-ethyl-9H-carbazole-3-carbaldehyde or 9,90-diethyl-9H,90H-[3,30-bicarbazole]-6,60-dicarbaldehyde through their reactions with 4-methoxyaniline or 4-fluoroaniline, benzil or 2,20-thenil [1,2-di(thien-2,20-yl) glyoxal] and ammonium acetate on reflux in glacial acetic acid. The obtained compounds have been shown to demonstrate an effective fluorescence in the blue spectral region, exhibiting quantum yields in the range ...
Добавлено: 7 октября 2017 г.
Исследование характеристик и определение параметров SPICE-моделей субмикронных КНИ МОПТ в диапазоне температуры до 300°C
Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М. Р., Кузин Е. Ю. и др., В кн.: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия.: М.: НИИСИ РАН, 2017. С. 55–56.
. ...
Добавлено: 13 сентября 2017 г.
Подход к экстракции параметров SPICE-моделей субмикронных КНИ МОПТ с учетом повышенной температуры (до 300°C)
Исмаил-Заде М. Р., В кн.: Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е.В. Арменского.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2017. С. 282–283.
Предлагается модифицированный подход к экстракции параметров SPICE-моделей субмикронных КНИ МОПТ с учетом повышенной температуры (до 300°C), заключающийся в использовании "биннинга". Результатом выполнения процедуры является единый набор параметров, содержащий отдельные секции для транзисторов различных размеров. ...
Добавлено: 8 сентября 2017 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • http://www.edu.ru
    Федеральный портал «Российское образование»
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика конфиденциальности
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору