Определение электрофизических параметров высокоомных полупроводников при подсветке образца красным излучением регулируемой интенсивности

А. П. Лысенко; В. А. Голубятников; Ф. И. Григорьев; Н. И. Строганкова; Белов А. Г.

?

Определение электрофизических параметров высокоомных полупроводников при подсветке образца красным излучением регулируемой интенсивности

Гл. 64. С. 441–444.

Лысенко А. П., Голубятников В. А., Григорьев Ф. И., Строганкова Н. И., Белов А. Г.

Известно, что подсветка образца высокомного полупроводникового материала заметно изменяет его электрофизические свойства. Показано, что засветка приконтактных областей образца монохроматическим излучением регулируемой интенсивности с энергией кванта, превышающей ширину запрещённой зоны исследуемого материала, приводит к уменьшению сопротивления образца в ряде случаев на несколько порядков величины. Предложен способ раздельного определения сопротивлений образца и контактов к нему, который был опробован на образце полуизолирующего n-GaAs. Показано, что сопротивление объёма образца и суммарное сопротивление контактов близки между собой и равны приблизительно 5  108 Ом.

Язык: русский

Полный текст

Ключевые слова: фотоэмиссия омический контакт высокоомный полупроводник photoemission high-resistivity semiconductor an ohmic contact

В книге

XXIII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения 28-30 мая 2014, Москва, Россия

М.: ОАО "НПО "Орион", 2014.

Local and Global Directionality Patterns of Electron Photoemission from Plasmonic Nanoparticles

Ихсанов Р. Ш., Protsenko I., Smetanin I. и др., Journal of Physical Chemistry C 2023 Vol. 127 No. 50 P. 24223–24232

Добавлено: 5 сентября 2023 г.

Photo-electron emission directly in superfluid helium

Завьялов В. В., Pyurbeeva E. B., Халдеев С. И., , in: 28th International Conference on Low Temperature Physics.: M.: Faculty of Physics, MSU, 2017. Ch. 012085 P. 1–5.

Добавлено: 23 октября 2019 г.

Photo-electron emission directly in superfluid helium

Завьялов В. В., Pyurbeeva E. B., Халдеев С. И., Journal of Physics: Conference Series 2018 Vol. 969 Article 012085

Добавлено: 10 ноября 2018 г.

ОСОБЕННОСТИ СТАЦИОНАРНОЙ ФОТОПРОВОДИМОСТИ ВЫСОКООМНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ПРИ ЛОКАЛЬНОМ ОСВЕЩЕНИИ

Лысенко А. П., Белов А. Г., Каневский В. Е. и др., Известия высших учебных заведений. Физика 2017 Т. 60 № 12 С. 142–149

Явление фотопроводимости давно и хорошо изучено (см., например, [1-2]). Однако в подавляющем большинстве работ фотопроводимость полупроводников исследовалась при освещении всей поверхности образцов. В данной работе исследовалось влияние локальной засветки, обеспечивающей высокий уровень инжекции свободных носителей заряда на проводимость образцов высокоомного теллурида кадмия и полуизолирующего арсенида галлия и на свойства омических контактов к образцам. Обнаружено, что ...

Добавлено: 25 декабря 2017 г.

Method of separate determination of high-ohmic sample resistance and contact resistance

Голубятников В. А., Григорьев Ф. И., Лысенко А. П. и др., Modern Electronic Materials 2015 Vol. 1 No. 3 P. 93–96

A method of separate determination of two-pole sample volume resistance and contact resistance is suggested. The method is applicable to high-ohmic semiconductor samples: semi-insulating gallium arsenide, detector cadmium-zinc telluride (CZT), etc. The method is based on near-contact region illumination by monochromatic radiation of variable intensity from light emitting diodes with quantum energies exceeding the band ...

Добавлено: 11 мая 2016 г.

Use of Contact Illumination for HighResistance Semiconductor Conductivity Measurements

Лысенко А. П., Григорьев Ф. И., Строганкова Н. И. и др., Instruments and Experimental Techniques 2014 Vol. 57 No. 3 P. 326–329

Добавлено: 19 мая 2014 г.

Способ раздельного определения сопротивлений образца высокоомного полупроводника и контактов к образцу

Лысенко А. П., Григорьев Ф. И., Голубятников В. А. и др., Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники 2013 № 4 С. 63–66

Предложен метод раздельного определения сопротивлений образца-двухполюсника и контактов к нему. Метод применим к образцам высокоомных полупроводниковых материалов: полуизолирующего арсенида галлия, детекторного теллурида кадмия-цинка (КЦТ) и др. Описываемый метод основан на засветке приконтакных областей образца монохроматическим излучением регулируемой интенсивности от светодиодов с энергией кванта, превышающей ширину запрещённой зоны исследуемого материала. Строится зависимость фототока через образец от ...

Добавлено: 29 января 2014 г.

Снижение переходного сопротивления омических контактов к высокоомным полупроводникам с помощью оптического излучения

Лысенко А. П., Голубятников В. А., Григорьев Ф. И. и др., Заводская лаборатория. Диагностика материалов 2014 Т. 80 № 1 С. 35–38

Предпринята попытка снизить переходное сопротивление омических контактов к высокоомным полупроводникам (таким, как теллурид кадмия и полуизолирующий арсенид галлия) путем создания в зоне контакта повышенной концентрации свободных носителей заряда за счет оптической стимуляции. В работе предложены и опробованы различные варианты конструкции таких контактов. Показано, что с помощью освещения удается снизить общее сопротивление двухполюсника на порядки, что ...

Добавлено: 29 января 2014 г.

Применение подсветки контактов для измерений проводимости высокоомных полупроводников

Лысенко А. П., Голубятников В. А., Григорьев Ф. И. и др., Приборы и техника эксперимента 2014 № 3 С. 93–96

Показано, что подсветка омических контактов к высокоомным образцам теллурида кадмия и арсе нида галлия влияет не только на переходное сопротивление контакта, но и на объемную проводи мость образцов за счет повышения концентрации свободных носителей заряда. Приведена модель, объясняющая увеличение объемной проводимости образца при засветке приконтактной области. Предложена методика раздельного определения переходного сопротивления омического контакта и ...

Добавлено: 14 января 2014 г.

Фотоэмиссия свободных носителей заряда в высокоомный полупроводник при освещении омических контактов

Лысенко А. П., Григорьев Ф. И., Строганкова Н. И. и др., В кн.: Вакуумная наука и техника: Материалы ХХ юбилейной научно-технической конференции.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2013. С. 220–222.

Исследовалась фотоэмиссия свободных носителей заряда в высокоомный полупроводник, создаваемая освещением приконтактной области омических контактов к образцу теллурида кадмия. Выявлено, что засветка приконтактной области влияет как на переходное сопротивление контакта, так и на объемную проводимость кристалла за счет повышения концентрации основных носителей заряда. Предложена методика раздельного определения переходного сопротивления контакта и объема образца, пригодная для высокоомных ...

Добавлено: 11 октября 2013 г.