ОСОБЕННОСТИ СТАЦИОНАРНОЙ ФОТОПРОВОДИМОСТИ ВЫСОКООМНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ПРИ ЛОКАЛЬНОМ ОСВЕЩЕНИИ

Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60. № 12. С. 142–149.

Лысенко А. П., Белов А. Г., Каневский В. Е., Одинцова Е. А.

Явление фотопроводимости давно и хорошо изучено (см., например, [1-2]). Однако в подавляющем большинстве работ фотопроводимость полупроводников исследовалась при освещении всей поверхности образцов. В данной работе исследовалось влияние локальной засветки, обеспечивающей высокий уровень инжекции свободных носителей заряда на проводимость образцов высокоомного теллурида кадмия и полуизолирующего арсенида галлия и на свойства омических контактов к образцам. Обнаружено, что независимо от области засветки снижается значение переходного сопротивления омических контактов и пропорционально интенсивности облучения в образце растет концентрация основных носителей заряда. При этих исследованиях обнаружился целый ряд не известных ранее эффектов, интересных с точки зрения физики, обсуждению которых и посвящена данная работа.

Ключевые слова: омические контакты, ohmic contacts, высокоомный полупроводник, high-resistance semiconductor, photoconductivity, local illumination of the sample, фотопроводимость, локальное освещение