?
Снижение переходного сопротивления омических контактов к высокоомным полупроводникам с помощью оптического излучения
Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2014. Т. 80. № 1. С. 35–38.
Предпринята попытка снизить переходное сопротивление омических контактов к высокоомным полупроводникам (таким, как теллурид кадмия и полуизолирующий арсенид галлия) путем создания в зоне контакта повышенной концентрации свободных носителей заряда за счет оптической стимуляции. В работе предложены и опробованы различные варианты конструкции таких контактов. Показано, что с помощью освещения удается снизить общее сопротивление двухполюсника на порядки, что однозначно указывают на снижение переходного сопротивления контактов при освещении.
Гущина В. А., / Series chemrxiv-2023-vpzhz-v2 "ChemRxiv". 2023.
Наночастицы полностью неорганических перовскитов CsPbBr3 и Cs4PbBr6 интенсивно изучаются благодаря их уникальным свойствам и широкому спектру применений; однако природа их оптических свойств до сих пор полностью не изучена из-за сложности синтеза однофазных наночастиц. В данной статье мы описываем особенности синтеза однофазных частиц и результаты их химического и фазового анализа. Используя данные о концентрациях наночастиц, мы ...
Добавлено: 14 мая 2026 г.
Добавлено: 20 апреля 2026 г.
Добавлено: 27 ноября 2024 г.
Influence of anisotropy on the study of critical behavior of spin models by machine learning methods
Суховерхова Д. Д., Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2024. No. 2410.14523.
...
Добавлено: 21 октября 2024 г.
Добавлено: 20 мая 2024 г.
Каган М. Ю., Аксёнов С. В., / Series Research Square "Research Suqare". 2024. No. 1.
Добавлено: 10 апреля 2024 г.
Ребров Я. В., Глазков В. Н., Murtazoev A. F. и др., / Series cond-mat "arxiv.org". 2023.
Добавлено: 29 января 2024 г.
Добавлено: 15 сентября 2023 г.
Добавлено: 16 ноября 2022 г.
Ихсанов Р. Ш., Mazur E., Каган М. Ю., / Series "Working papers by Cornell University". 2022. No. 2202.01452.
Добавлено: 4 февраля 2022 г.
Будков Ю. А., Zavarzin S., Kolesnikov A. L., Journal of Physical Chemistry C 2021 Vol. 125 No. 38 P. 21151–21159
Добавлено: 16 сентября 2021 г.
Sanina N., Isaeva U., Utenyshev A. и др., Inorganica Chimica Acta 2021 Vol. 527 Article 120559
Добавлено: 16 сентября 2021 г.
Лысенко А. П., E. A. Odintsova, Белов А. Г. и др., Russian Physics Journal 2018 Vol. 60 No. 12 P. 2209–2217
Добавлено: 17 апреля 2018 г.
Лысенко А. П., Белов А. Г., Каневский В. Е. и др., Известия высших учебных заведений. Физика 2017 Т. 60 № 12 С. 142–149
Явление фотопроводимости давно и хорошо изучено (см., например, [1-2]). Однако в подавляющем большинстве работ фотопроводимость полупроводников исследовалась при освещении всей поверхности образцов. В данной работе исследовалось влияние локальной засветки, обеспечивающей высокий уровень инжекции свободных носителей заряда на проводимость образцов высокоомного теллурида кадмия и полуизолирующего арсенида галлия и на свойства омических контактов к образцам. Обнаружено, что ...
Добавлено: 25 декабря 2017 г.
Голубятников В. А., Григорьев Ф. И., Лысенко А. П. и др., Modern Electronic Materials 2015 Vol. 1 No. 3 P. 93–96
A method of separate determination of two-pole sample volume resistance and contact resistance is suggested. The method is applicable to high-ohmic semiconductor samples: semi-insulating gallium arsenide, detector cadmium-zinc telluride (CZT), etc. The method is based on near-contact region illumination by monochromatic radiation of variable intensity from light emitting diodes with quantum energies exceeding the band ...
Добавлено: 11 мая 2016 г.
Лысенко А. П., Голубятников В. А., Григорьев Ф. И. и др., В кн.: XXIII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения 28-30 мая 2014, Москва, Россия.: М.: ОАО "НПО "Орион", 2014. Гл. 64 С. 441–444.
Известно, что подсветка образца высокомного полупроводникового материала заметно изменяет его электрофизические свойства. Показано, что засветка приконтактных областей образца монохроматическим излучением регулируемой интенсивности с энергией кванта, превышающей ширину запрещённой зоны исследуемого материала, приводит к уменьшению сопротивления образца в ряде случаев на несколько порядков величины. Предложен способ раздельного определения сопротивлений образца и контактов к нему, который был ...
Добавлено: 22 октября 2014 г.
Лысенко А. П., Golubiatnikov V. A., Григорьев Ф. И. и др., Instruments and Experimental Techniques 2014 Vol. 57 No. 5 P. 622–626
It is shown that the Van der Pau method can be used under illumination of the sample nearcon tact region with monochromatic radiation of variable intensity with a quantum energy that exceeds the inves tigatedmaterial band gap. A modified Van der Pau technique for measuring such highresistance semicon ductor parameters as the electrical resistivity and ...
Добавлено: 10 сентября 2014 г.
Лысенко А. П., Голубятников В. А., Григорьев Ф. И. и др., Приборы и техника эксперимента 2014 № 5 С. 115–119
Показано, что применение метода Ван-дер-Пау становится возможным при освещении приконтактных областей образца монохроматическим излучением изменяемой интенсивности с энергией квантов, большей ширины запрещённой зоны исследуемого материала. На основе модернизированного метода Ван-дер-Пау предложена методика определения таких параметров высокоомных полупроводников, как удельное электрическое сопротивление, концентрация свободных носителей заряда и их подвижность. Эта методика отработана на примере полуизолирующего арсенида ...
Добавлено: 22 июня 2014 г.
Лысенко А. П., Григорьев Ф. И., Строганкова Н. И. и др., Instruments and Experimental Techniques 2014 Vol. 57 No. 3 P. 326–329
Добавлено: 19 мая 2014 г.
Лысенко А. П., Григорьев Ф. И., Голубятников В. А. и др., Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники 2013 № 4 С. 63–66
Предложен метод раздельного определения сопротивлений образца-двухполюсника и контактов к нему. Метод применим к образцам высокоомных полупроводниковых материалов: полуизолирующего арсенида галлия, детекторного теллурида кадмия-цинка (КЦТ) и др. Описываемый метод основан на засветке приконтакных областей образца монохроматическим излучением регулируемой интенсивности от светодиодов с энергией кванта, превышающей ширину запрещённой зоны исследуемого материала. Строится зависимость фототока через образец от ...
Добавлено: 29 января 2014 г.
Лысенко А. П., Голубятников В. А., Григорьев Ф. И. и др., Приборы и техника эксперимента 2014 № 3 С. 93–96
Показано, что подсветка омических контактов к высокоомным образцам теллурида кадмия и арсе нида галлия влияет не только на переходное сопротивление контакта, но и на объемную проводи мость образцов за счет повышения концентрации свободных носителей заряда. Приведена модель, объясняющая увеличение объемной проводимости образца при засветке приконтактной области. Предложена методика раздельного определения переходного сопротивления омического контакта и ...
Добавлено: 14 января 2014 г.