Method of separate determination of high-ohmic sample resistance and contact resistance

V. A. Golubiatnikov; F. I. Grigoryev; A. P. Lysenko; N. I. Strogankova; Belov A.; Kanevsky V.

doi:10.1016/j.moem.2016.03.004

Публикации

?

Method of separate determination of high-ohmic sample resistance and contact resistance

Modern Electronic Materials. 2015. Vol. 1. No. 3. P. 93–96.

Голубятников В. А., Григорьев Ф. И., Лысенко А. П., Строганкова Н. И., Belov A., Kanevsky V.

A method of separate determination of two-pole sample volume resistance and contact resistance is suggested. The method is applicable to high-ohmic semiconductor samples: semi-insulating gallium arsenide, detector cadmium-zinc telluride (CZT), etc. The method is based on near-contact region illumination by monochromatic radiation of variable intensity from light emitting diodes with quantum energies exceeding the band gap of the material. It is necessary to obtain sample photo-current dependence upon light emitting diode current and to find the linear portion of this dependence. Extrapolation of this linear portion to the Y-axis gives the cut-off current. As the bias voltage is known, it is easy to calculate sample volume resistance. Then, using dark current value, one can determine the total contact resistance. The method was tested for n-type semi-insulating GaAs. The contact resistance value was shown to be approximately equal to the sample volume resistance. Thus, the influence of contacts must be taken into account when electrophysical data are analyzed. & 2016 The National University of Science and Technology MISiS. Production and hosting by Elsevier B.V. This is an open access article under the CC BY-NC-ND license

Приоритетные направления: инженерные науки

Язык: английский

Полный текст

DOI

Ключевые слова: омический контакт high-ohmic semiconductors near-contact region illumination separate determination contact resistance sample volume resistance two-polar sample

Perovskite nanoparticles Cs4PbBr6 and CsPbBr3: synthesis, analysis and peculiar optical properties

Гущина В. А., / Series chemrxiv-2023-vpzhz-v2 "ChemRxiv". 2023.

Наночастицы полностью неорганических перовскитов CsPbBr3 и Cs4PbBr6 интенсивно изучаются благодаря их уникальным свойствам и широкому спектру применений; однако природа их оптических свойств до сих пор полностью не изучена из-за сложности синтеза однофазных наночастиц. В данной статье мы описываем особенности синтеза однофазных частиц и результаты их химического и фазового анализа. Используя данные о концентрациях наночастиц, мы ...

Добавлено: 14 мая 2026 г.

Ising models on the hydrogen peroxide and other lattices

Qin X., Deng Y., Щур Л. Н. и др., / Series arXiv "math". 2026. No. 2603.02962.

Добавлено: 20 апреля 2026 г.

Algorithmic overlaps as thermodynamic variables: from local to cluster Monte Carlo dynamics in critical phenomena

Пиле Я. Э., Deng Y., Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2026. No. 2604.10254.

Добавлено: 20 апреля 2026 г.

Determining the boundary of dynamical chaos in the generalized Chirikov map via machine learning

Чернышов Д. П., Сатанин А. М., Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2025.

Добавлено: 21 ноября 2025 г.

Анализ способов построения математических моделей электрических контактов для исследования процессов образования контактных радиопомех на подвижных объектах

Андреева А. А., Уткин Б. В., Грачев Н. Н. и др., В кн.: Шарыгинские чтения. Шестая международная научная конференция веду щих научных школ в области радиолокации, радионавигации и радио- электронных систем передачи информации.: Томск: Издательство Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники, 2024. С. 135–140.

Проводится сравнение способов построения математических моделей элек трических контактов для исследования процесса образования контактных радиопомех. В частности, рассматриваются три основные модели кон тактного сопротивления, а также проведен их анализ и предложены реко мендации по их применению при решении задачи прогнозирования контакт ных радиопомех. ...

Добавлено: 29 июня 2025 г.

Molybdenum low-resistance thin-film resistors for cryogenic devices

Korneeva Y. P., Dryazgov M. A., Porokhov N. V. и др., Superconductor Science and Technology 2024 Vol. 37 No. 10 Article 105009

Добавлено: 17 марта 2025 г.

Doping dependence of low-energy charge collective excitations in high-Tc cuprates

Каган М. Ю., Silkin V. M., Efremov D. V., / Series arXiv "math". 2024. No. 2411.12836.

Добавлено: 27 ноября 2024 г.

Influence of anisotropy on the study of critical behavior of spin models by machine learning methods

Суховерхова Д. Д., Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2024. No. 2410.14523.

...

Добавлено: 21 октября 2024 г.

Comparison of the microcanonical population annealing algorithm with the Wang-Landau algorithm

Мозоленко В. К., Fadeeva Marina, Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2024. No. 2405.10865.

Добавлено: 20 мая 2024 г.

Majorana modes and Fano resonances in Aharonov- Bohm ring with topologically nontrivial superconducting bridge

Каган М. Ю., Аксёнов С. В., / Series Research Square "Research Suqare". 2024. No. 1.

Добавлено: 10 апреля 2024 г.

High-frequency dielectric anomalies in a highly frustrated square kagome lattice nabokoite family compounds ACu7(TeO4)(SO4)5Cl (A=Na, K, Rb, Cs)

Ребров Я. В., Глазков В. Н., Murtazoev A. F. и др., / Series cond-mat "arxiv.org". 2023.

Добавлено: 29 января 2024 г.

Nondestructive KPFM-assisted Quality Control in Fabrication of GaAs High-Speed Electronics

Shurakov A., Kaurova N., Belikov I. и др., / Series Physics "arxiv.org". 2022.

Добавлено: 15 сентября 2023 г.

Superconducting spin valves based on a single spiral magnetic layer

Пугач Н. Г., Safonchik M. O., Belotelov V. и др., / Series "cond-mat". 2022. No. 2110.00369.

Добавлено: 16 ноября 2022 г.

Charge transport in the spatially correlated exponential random energy landscape: effect of the non-positive correlation function

Новиков С. В., / Series cond-mat "arxiv.org". 2022. No. 2209.14955.

Добавлено: 1 ноября 2022 г.

Review and Analysis of Methods for constructing Mathematical Models of Electrical Contacts for Predicting of Contact Radio Interference on Mobile Objects

Boris Utkin, Nikolay Grachev, Vladimir Matveev, , in: 2022 International Conference on Industrial Engineering, Applications and Manufacturing (ICIEAM).: Sochi: IEEE, 2022. P. 310–315.

Добавлено: 14 сентября 2022 г.

Software Complex for the Numerical Solution of the Isotropic Imaginary-Axis Eliashberg Equations

Ихсанов Р. Ш., Mazur E., Каган М. Ю., / Series "Working papers by Cornell University". 2022. No. 2202.01452.

Добавлено: 4 февраля 2022 г.

Theory of Ionic Liquids with Polarizable Ions on a Charged Electrode

Будков Ю. А., Zavarzin S., Kolesnikov A. L., Journal of Physical Chemistry C 2021 Vol. 125 No. 38 P. 21151–21159

Добавлено: 16 сентября 2021 г.

Synthesis, structure, and PDE inhibiting activity of the anionic DNIC with 5-(3-pyridyl)-4H-1,2,4-triazole-3-thiolyl, the nitric oxide donor.

Sanina N., Isaeva U., Utenyshev A. и др., Inorganica Chimica Acta 2021 Vol. 527 Article 120559

Добавлено: 16 сентября 2021 г.

Features of Stationary Photoconductivity of High-Ohmic Semiconductors Under Local Illumination

Лысенко А. П., E. A. Odintsova, Белов А. Г. и др., Russian Physics Journal 2018 Vol. 60 No. 12 P. 2209–2217

Добавлено: 17 апреля 2018 г.

Определение электрофизических параметров высокоомных полупроводников при подсветке образца красным излучением регулируемой интенсивности

Лысенко А. П., Голубятников В. А., Григорьев Ф. И. и др., В кн.: XXIII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения 28-30 мая 2014, Москва, Россия.: М.: ОАО "НПО "Орион", 2014. Гл. 64 С. 441–444.

Известно, что подсветка образца высокомного полупроводникового материала заметно изменяет его электрофизические свойства. Показано, что засветка приконтактных областей образца монохроматическим излучением регулируемой интенсивности с энергией кванта, превышающей ширину запрещённой зоны исследуемого материала, приводит к уменьшению сопротивления образца в ряде случаев на несколько порядков величины. Предложен способ раздельного определения сопротивлений образца и контактов к нему, который был ...

Добавлено: 22 октября 2014 г.

Modification of the Van der Pau Method for Measuring Electrophysical Parameters of HighResistance Semiconductors

Лысенко А. П., Golubiatnikov V. A., Григорьев Ф. И. и др., Instruments and Experimental Techniques 2014 Vol. 57 No. 5 P. 622–626

It is shown that the Van der Pau method can be used under illumination of the sample nearcon tact region with monochromatic radiation of variable intensity with a quantum energy that exceeds the inves tigatedmaterial band gap. A modified Van der Pau technique for measuring such highresistance semicon ductor parameters as the electrical resistivity and ...

Добавлено: 10 сентября 2014 г.

Модификация метода Ван-дер-Пау для измерения электрофизических параметров высокоомных полупроводников

Лысенко А. П., Голубятников В. А., Григорьев Ф. И. и др., Приборы и техника эксперимента 2014 № 5 С. 115–119

Показано, что применение метода Ван-дер-Пау становится возможным при освещении приконтактных областей образца монохроматическим излучением изменяемой интенсивности с энергией квантов, большей ширины запрещённой зоны исследуемого материала. На основе модернизированного метода Ван-дер-Пау предложена методика определения таких параметров высокоомных полупроводников, как удельное электрическое сопротивление, концентрация свободных носителей заряда и их подвижность. Эта методика отработана на примере полуизолирующего арсенида ...

Добавлено: 22 июня 2014 г.

Use of Contact Illumination for HighResistance Semiconductor Conductivity Measurements

Лысенко А. П., Григорьев Ф. И., Строганкова Н. И. и др., Instruments and Experimental Techniques 2014 Vol. 57 No. 3 P. 326–329

Добавлено: 19 мая 2014 г.

Способ раздельного определения сопротивлений образца высокоомного полупроводника и контактов к образцу

Лысенко А. П., Григорьев Ф. И., Голубятников В. А. и др., Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники 2013 № 4 С. 63–66

Предложен метод раздельного определения сопротивлений образца-двухполюсника и контактов к нему. Метод применим к образцам высокоомных полупроводниковых материалов: полуизолирующего арсенида галлия, детекторного теллурида кадмия-цинка (КЦТ) и др. Описываемый метод основан на засветке приконтакных областей образца монохроматическим излучением регулируемой интенсивности от светодиодов с энергией кванта, превышающей ширину запрещённой зоны исследуемого материала. Строится зависимость фототока через образец от ...

Добавлено: 29 января 2014 г.