Use of Contact Illumination for HighResistance Semiconductor Conductivity Measurements

A. P. Lysenko; F. I. Grigoryev; N. I. Strogankova; Голлубятников В. А.

doi:10.1134/S0020441214020079

Публикации

?

Use of Contact Illumination for HighResistance Semiconductor Conductivity Measurements

Instruments and Experimental Techniques. 2014. Vol. 57. No. 3. P. 326–329.

Лысенко А. П., Григорьев Ф. И., Строганкова Н. И., Шадов М. Б., Голлубятников В. А.

Приоритетные направления: инженерные науки

Язык: английский

Полный текст

DOI

Ключевые слова: ohmic contacts омический контакт электрофизические параметры оптическая стимуляция контакта концентрация свободных носителей заряда высокоомный полупроводник high-resistance semiconductor electrophysical parameters optical stimulation of contact the concentration of free charge carriers

Perovskite nanoparticles Cs4PbBr6 and CsPbBr3: synthesis, analysis and peculiar optical properties

Гущина В. А., / Series chemrxiv-2023-vpzhz-v2 "ChemRxiv". 2023.

Наночастицы полностью неорганических перовскитов CsPbBr3 и Cs4PbBr6 интенсивно изучаются благодаря их уникальным свойствам и широкому спектру применений; однако природа их оптических свойств до сих пор полностью не изучена из-за сложности синтеза однофазных наночастиц. В данной статье мы описываем особенности синтеза однофазных частиц и результаты их химического и фазового анализа. Используя данные о концентрациях наночастиц, мы ...

Добавлено: 14 мая 2026 г.

Ising models on the hydrogen peroxide and other lattices

Qin X., Deng Y., Щур Л. Н. и др., / Series arXiv "math". 2026. No. 2603.02962.

Добавлено: 20 апреля 2026 г.

Algorithmic overlaps as thermodynamic variables: from local to cluster Monte Carlo dynamics in critical phenomena

Пиле Я. Э., Deng Y., Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2026. No. 2604.10254.

Добавлено: 20 апреля 2026 г.

Determining the boundary of dynamical chaos in the generalized Chirikov map via machine learning

Чернышов Д. П., Сатанин А. М., Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2025.

Добавлено: 21 ноября 2025 г.

Doping dependence of low-energy charge collective excitations in high-Tc cuprates

Каган М. Ю., Silkin V. M., Efremov D. V., / Series arXiv "math". 2024. No. 2411.12836.

Добавлено: 27 ноября 2024 г.

Influence of anisotropy on the study of critical behavior of spin models by machine learning methods

Суховерхова Д. Д., Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2024. No. 2410.14523.

...

Добавлено: 21 октября 2024 г.

Comparison of the microcanonical population annealing algorithm with the Wang-Landau algorithm

Мозоленко В. К., Fadeeva Marina, Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2024. No. 2405.10865.

Добавлено: 20 мая 2024 г.

Majorana modes and Fano resonances in Aharonov- Bohm ring with topologically nontrivial superconducting bridge

Каган М. Ю., Аксёнов С. В., / Series Research Square "Research Suqare". 2024. No. 1.

Добавлено: 10 апреля 2024 г.

High-frequency dielectric anomalies in a highly frustrated square kagome lattice nabokoite family compounds ACu7(TeO4)(SO4)5Cl (A=Na, K, Rb, Cs)

Ребров Я. В., Глазков В. Н., Murtazoev A. F. и др., / Series cond-mat "arxiv.org". 2023.

Добавлено: 29 января 2024 г.

Nondestructive KPFM-assisted Quality Control in Fabrication of GaAs High-Speed Electronics

Shurakov A., Kaurova N., Belikov I. и др., / Series Physics "arxiv.org". 2022.

Добавлено: 15 сентября 2023 г.

Superconducting spin valves based on a single spiral magnetic layer

Пугач Н. Г., Safonchik M. O., Belotelov V. и др., / Series "cond-mat". 2022. No. 2110.00369.

Добавлено: 16 ноября 2022 г.

Charge transport in the spatially correlated exponential random energy landscape: effect of the non-positive correlation function

Новиков С. В., / Series cond-mat "arxiv.org". 2022. No. 2209.14955.

Добавлено: 1 ноября 2022 г.

Software Complex for the Numerical Solution of the Isotropic Imaginary-Axis Eliashberg Equations

Ихсанов Р. Ш., Mazur E., Каган М. Ю., / Series "Working papers by Cornell University". 2022. No. 2202.01452.

Добавлено: 4 февраля 2022 г.

Theory of Ionic Liquids with Polarizable Ions on a Charged Electrode

Будков Ю. А., Zavarzin S., Kolesnikov A. L., Journal of Physical Chemistry C 2021 Vol. 125 No. 38 P. 21151–21159

Добавлено: 16 сентября 2021 г.

Synthesis, structure, and PDE inhibiting activity of the anionic DNIC with 5-(3-pyridyl)-4H-1,2,4-triazole-3-thiolyl, the nitric oxide donor.

Sanina N., Isaeva U., Utenyshev A. и др., Inorganica Chimica Acta 2021 Vol. 527 Article 120559

Добавлено: 16 сентября 2021 г.

Investigation of the Characteristics of the Transient Electrical Resistance of Contacts in the Designs of Radio Electronic Devices in the Conditions of the Formation of Contact Radio Interference

Nikolay Grachev, Alexander A., Victoria C., , in: 2021 International Seminar on Electron Devices Design and Production (SED).: IEEE, 2021. P. 1–5.

Добавлено: 11 июня 2021 г.

Features of the Formation of Ohmic Contacts to n+-InN

Sai P. O., Safryuk-Romanenko N. V., But D. B. и др., Ukrainian Journal of Physics 2019 Vol. 64 No. 1 P. 56–62

Добавлено: 25 февраля 2021 г.

Features of Stationary Photoconductivity of High-Ohmic Semiconductors Under Local Illumination

Лысенко А. П., E. A. Odintsova, Белов А. Г. и др., Russian Physics Journal 2018 Vol. 60 No. 12 P. 2209–2217

Добавлено: 17 апреля 2018 г.

ОСОБЕННОСТИ СТАЦИОНАРНОЙ ФОТОПРОВОДИМОСТИ ВЫСОКООМНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ПРИ ЛОКАЛЬНОМ ОСВЕЩЕНИИ

Лысенко А. П., Белов А. Г., Каневский В. Е. и др., Известия высших учебных заведений. Физика 2017 Т. 60 № 12 С. 142–149

Явление фотопроводимости давно и хорошо изучено (см., например, [1-2]). Однако в подавляющем большинстве работ фотопроводимость полупроводников исследовалась при освещении всей поверхности образцов. В данной работе исследовалось влияние локальной засветки, обеспечивающей высокий уровень инжекции свободных носителей заряда на проводимость образцов высокоомного теллурида кадмия и полуизолирующего арсенида галлия и на свойства омических контактов к образцам. Обнаружено, что ...

Добавлено: 25 декабря 2017 г.

Method of separate determination of high-ohmic sample resistance and contact resistance

Голубятников В. А., Григорьев Ф. И., Лысенко А. П. и др., Modern Electronic Materials 2015 Vol. 1 No. 3 P. 93–96

A method of separate determination of two-pole sample volume resistance and contact resistance is suggested. The method is applicable to high-ohmic semiconductor samples: semi-insulating gallium arsenide, detector cadmium-zinc telluride (CZT), etc. The method is based on near-contact region illumination by monochromatic radiation of variable intensity from light emitting diodes with quantum energies exceeding the band ...

Добавлено: 11 мая 2016 г.

Specific Features of the Photoconductivity of SemiInsulating Cadmium Telluride

Лысенко А. П., Голубятников В. А., Григорьев Ф. И. и др., Semiconductors 2014 Vol. 48 No. 13 P. 1700–1703

The effect of local illumination providing a high level of freecarrier injection on the conductivity of a sample of semiinsulating cadmium telluride and on the properties of ohmic contacts to the sample is studied. It is found that, irrespective of the illumination region, the contact resistance of ohmic contacts decreases and the concentration of majority ...

Добавлено: 10 ноября 2014 г.

Влияние размера области засветки образца высокоомного арсенида галлия на его проводимость

Лысенко А. П., Голубятников В. А., Строганкова Н. И. и др., Известия высших учебных заведений. Электроника 2015 Т. 20 № 2 С. 174–181

Исследовано влияние засветки центральной части образца полуизоли-рующего арсенида галлия п-типа на его проводимость. Показано, что люкс-амперная характеристика, начиная с некоторого значения интенсив-ности света, выходит на линейную зависимость, угловой коэффициент ко-торой растет с увеличением диаметра освещаемой области. Зависимость носит степенной характер и находится между квадратичной и линейной. Ток отсечки  значение тока, полученное при экстраполяции линейного ...

Добавлено: 4 ноября 2014 г.

Определение электрофизических параметров высокоомных полупроводников при подсветке образца красным излучением регулируемой интенсивности

Лысенко А. П., Голубятников В. А., Григорьев Ф. И. и др., В кн.: XXIII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения 28-30 мая 2014, Москва, Россия.: М.: ОАО "НПО "Орион", 2014. Гл. 64 С. 441–444.

Известно, что подсветка образца высокомного полупроводникового материала заметно изменяет его электрофизические свойства. Показано, что засветка приконтактных областей образца монохроматическим излучением регулируемой интенсивности с энергией кванта, превышающей ширину запрещённой зоны исследуемого материала, приводит к уменьшению сопротивления образца в ряде случаев на несколько порядков величины. Предложен способ раздельного определения сопротивлений образца и контактов к нему, который был ...

Добавлено: 22 октября 2014 г.

Физика конденсированного состояния. Методические указания к самостоятельной работе по дисциплине "Физика конденсированного состояния"

Строганкова Н. И., М.: РИО МИЭМ НИУ ВШЭ, 2013.

В методических указаниях содержатся контрольные вопросы и задачи по основным разделам дисциплины "Физика конденсированного состояния", приведены примеры решения задач и необходимые справочные данные. ...

Добавлено: 19 февраля 2014 г.