?
Определение паразитных емкостей SiGe гетеропереходного биполярного транзистора для схемотехнических моделей Mextram, HICUM
С. 84–89.
Petrosyants K. O., Torgovnikov R.
Дюканов П. А., Kozhukhov M., Popov D. et al., Успехи прикладной физики 2024 Т. 12 № 4 С. 334–342
The paper considers options for the design of an n-channel junction-gate field-effect transistor, integrated into a high-voltage complementary bipolar technological process with isolation by a reverse-biased p-n junction. Criteria for the selection of transistor models according to electrophysical parameters are formulated. Taking into account the criteria, the instrument-technological modeling on bulk silicon substrates was carried ...
Added: September 12, 2024
Дюканов П. А., Kozhukhov M., Popov D. et al., Наноиндустрия 2024 Т. 17 № S10-2(128) С. 672–678
The paper presents the results of Technology Computer Aided Design (TCAD) modeling of the electrophysical parameters of a p-channel junction field-effect transistor (JFET). Three design options have been considered, which are possible when integrated as part of a high-voltage complementary bipolar technological process. Based on the data obtained, the most optimal version of the field-effect ...
Added: September 3, 2024
Petrosyants K. O., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г.: М.: МАКС Пресс, 2020. С. 35–40.
Conventional BJT, MOSFET, JFET, DMOST, IGBT structures fabricated on bulk silicon and SOI/SOS substrates are characterized as the object of modeling. Popular TCAD simulators and SPICE device models libraries are presented. The model parameters extraction strategies for TCAD device and SPICE circuit simulation based on data proceeding of physical and electrical measurements are described. The ...
Added: December 5, 2020
Petrosyants K. O., Popov D., , in: Proceedings of the 2nd International Conference on Microelectronic Devices and Technologies (MicDAT '2019).: Barcelona: International Frequency Sensor Association (IFSA), 2019. P. 24–28.
In this work self-heating effect in SOI MOSFETs with various configuration of buried oxide was investigated using TCAD modeling. The basically electro-thermal transport model built-in to Sentaurus Synopsys tool was complemented by the set of new models for the temperature-dependent physical parameters: thermal conductivities λSi(T), λSiO2(T); oxide and trapped charge densities Nox(T), Nit(T) and others ...
Added: June 4, 2019
Petrosyants K. O., Kozhukhov M., Dvornikov O. et al., , in: 23rd International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC).: IEEE, 2017. P. 1–5.
Although it has been demonstrated that the SiGe HBTs can achieve faster unloaded circuit speed at cryogenic temperature than at room temperature, modelling of the SiGe HBTs at low temperature has been limited. It is known that the standard SPICE models of bipolar transistor are effective and guarantee the valid results only up to a ...
Added: July 16, 2018
Petrosyants K. O., Kozhukhov M., Dvornikov O. et al., , in: 2018 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). Proceedings.: M.: IEEE, 2018. Ch. 380 P. 1–4.
A unified SPICE macromodel of the SiGe HBTs taking into account radiation effects is presented. It consists of two parts: 1) the standard core model (GP, VBIC, HICUM, MEXTRAM) selected by the designer; 2) an additional subcircuit taking into account the radiation-induced current and voltage shifts. The macromodel was included on SPICE-like simulators. The advantages of SPICE-RAD ...
Added: May 30, 2018
Petrosyants K., M.V. Kozhukhov, , in: PROBLEMS OF ADVANCED MICRO- AND NANOELECTRONIC SYSTEMS DEVELOPMENT (MES) SELECTED ARTICLES of the VII All-Russia Science&Technology Conference MES-2016 Part IV, Design of Electron Component Base* Part IV: SELECTED ARTICLES of the VII All-Russia Science&Technology Conference MES-2016.: M.: ., 2017. Ch. 1 P. 2–10.
Novel TCAD and SPICE models of the Si BJTs and the SiGe HBTs taking into account influence of neutrons, protons, and gamma radiation on the device characteristics were developed. The interaction between TCAD and SPICE device models in radiation-hardened IC design flow was considered. The complete set of I-V, C-V, fT, fmax of BJT/HBT characteristics ...
Added: October 25, 2017
Petrosyants K. O., Popov D., В кн.: Международной форум "Микроэлектроника-2016". 2-я научная конференция "Интегральные схемы и микроэлектронные модули".: М.: Техносфера, 2016. С. 303–308.
В работе с помощью средств TCAD проведено моделирование двух перспективных разновидностей глубоко субмикронных КНИ МОПТ с частично скрытым оксидом (Partial SOI) и L-образным скрытым оксидом (quasi-SOI) с целью оценки их радиационной стойкости и влияния эффекта «саморазогрева». На примере 100 нм КНИ МОП-транзистора показано, что новые структуры (Partial SOI и Quasi-SOI) по сравнению со стандартной КНИ МОПТ структурой ...
Added: October 11, 2016
Petrosyants K. O., Kozhukhov M., IEEE Transactions on Nuclear Science 2016 Vol. 63 No. 4 P. 2016 –2021
Performance degradation of the SiGe HBT after proton irradiation is investigated using a new physical TCAD model built into the Synopsys Sentaurus tool. The general conception of the model is based on the additive effects of ionization and displacement effects influence on transistor base current. New equations for the physical parameters τ, S, Nit taking ...
Added: October 8, 2016
Петросянц К. О., В кн.: Сб. трудов Международной конференции "Интегральные схемы и микроэлектронные модули -- проектирование, производство и применение" (Микроэлектроника -- 2015).: М.: Техносфера, 2016. С. 415–431.
Разработаны библиотеки TCAD- и SPICE-моделей интегральных биполярных и МОП-транзисторов, предназначенные для проектирования радиационно-стойких Би-КМОП БИС и учитывающие следующие виды радиационных воздействий: гамма-лучей, нейтронов, электронов, протонов, импульсного излучения и отдельных ядерных частиц (ОЯЧ). ...
Added: April 13, 2016
Adonin A., Petrosyants K. O., М.: Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2022.
Книга посвящена КМОП интегральным схемам (ИС) со структурой «кремний на сапфире», которые являются стратегическим важным направлением создания ИС для экстремальных и ответственных применений и одновременно быстро развивающимся перспективным направлением создания больших ИС (БИС) и систем на кристалле (СнК) для мобильных систем связи. В книге рассмотрены следующие вопросы: специфика интегральных схем со структурой КМОП КНС; требования ...
Added: April 5, 2016
Petrosyants K. O., Кожухов М. В., В кн.: Труды XXV Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 6-11 июля 2015г.).: М.: ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2015. С. 415–423.
В работе была представлена физическая модель для SiGe ГБТ, которая описывает изменение базового тока в результате облучения потоком протонов. ...
Added: February 20, 2016
Petrosyants K. O., Popov D., , in: Proceedings of the 24th European conference on radiation and its effects on components and systems -2015 (RADECS 2015), Moscow, Russia, 14-18 September.: Piscataway: Institute of Electrical and Electronic Engineers, 2015. P. 27–30.
New semi-empirical model accounting for TID dependences of bulk, oxide, HfO2/Si interface trap densities, carrier mobilities, lifetime of device material was developed and introduced into TCAD tool. TID response of 45nm high-k MOSFETs on bulk and SOI substrate was simulated. ...
Added: February 18, 2016
К.О. Петросянц, М.В. Кожухов, Известия высших учебных заведений. Электроника 2015 Т. 20 № 6 С. 648–651
An electro-thermal modeling of modern SiGe and Si bipolar transistor structures using TCAD Sentaurus Synopsys has been carried out. It has been shown that for SiGe heterojunction bipolar transistors, operating at high current density, the internal temperature is higher than for identical Si transistors. As a result a stronger degradation of the device parameters and ...
Added: February 18, 2016
Konstantin O. Petrosyants, Maxim V. Kozhukhov, , in: Proceedings of the 24th European conference on radiation and its effects on components and systems -2015 (RADECS 2015), Moscow, Russia, 14-18 September.: Piscataway: Institute of Electrical and Electronic Engineers, 2015. P. 9–12.
Performance degradation of SiGe HBT after proton radiation impact is investigated using Synopsys Sentaurus tool.
A new model to account for the impact of proton irradiation on physical parameters (τ, S0, Nit) is included in the program. The
method to account for the impact of proton radiation is based on additivity of the ionization and displacement effects. ...
Added: February 18, 2016
Влияние различных видов радиации на характеристики кремний-германиевых гетеропереходных транзисторов
Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы 2014 № 1 (232) С. 3–18
An overview is given of published papers on investigations of ionizing radiation influence (gamma, neutron, and proton) on characteristics of silicon-germanium heterojunction transistors -- elements of SiGe BiCMOS integrated circuits of 4 generations with design rules 0.25, 0.18, 0.13, and 0.09 um. Experimental data are explained on the basis of modern understanding of radiation effects in ...
Added: September 18, 2014
Орехов Е. В., Пугачёв А. А., Самбурский Л. М. et al., В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XII Научно-технической конференции.: М.: МНТОРЭС им. А. С. Попова, 2013. С. 253–255.
Данная работа посвящена учёту эффекта релаксации упругих напряжений в структуре SiGe ГМОПТ методом приборно-технологического моделирования. ...
Added: March 24, 2014
Petrosyants K. O., Kozhukhov M., Popov D. et al., Известия Южного федерального университета. Технические науки 2012 № 6(131) С. 77–82
В работе представлены математические модели для учёта влияния поглощённой дозы гамма-излучения и интегрального потока нейтронов на характеристики субмикронных транзисторов. Описана процедура встраивания моделей в систему приборно-технологического моделирования Synopsys TCAD. Рассчитаны следующие зависимости: 1) сток-затворные характеристики для верхнего и нижнего затворов и ток утечки МОП-транзистора с длиной затвора 90 нм, изготовленного по технологии кремний на изоляторе, для различных ...
Added: November 28, 2012
Petrosyants K. O., Kozhukhov M., , in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12).: Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2012. P. 274–277.
The effects of proton irradiation on SiGe heterojunction bipolar transistor (HBT) are investigated using Synopsys/ISE TCAD tool. To account for the impact of proton irradiation models for carrier lifetime degradation under irradiation are included in the program. The results of modeling the impact of protons of different energies are presented. For SiGe HBT increase in ...
Added: October 21, 2012
Petrosyants K. O., Torgovnikov R., Известия высших учебных заведений. Электроника 2011 № 5 (91) С. 81–83
Проведена оценка влияния диэлектрической щелевой изоляции на тепловой режим SiGe ГБТ. Исследовалась структура SiGe ГБТ с размерами эмиттера 0.2х1.0 мкм с параметрами βmax=400, fmax=160 ГГц. С помощью приборно-технологической САПР рассчитаны характеристики 3-х структуру: без изоляции; с мелкой щелевой изоляцией; с мелкой и глубокой щелевой изоляцией. Показано, что в рабочем режиме наличие щелевой изоляции увеличивает температуру ...
Added: April 19, 2012