?
Multi-level Methodology for CMOS SOI/SOS MOSFET Parameterization for IC Radiation Hardness Simulation with SPICE
P. 358–361.
The multi-level methodology for CMOS SOI/SOS IC element parameterization for VLSI radiation hardness prediction by CAD systems is developed. The methodology includes semiconductor technology simulation, CMOS SOI/SOS MOSFET device simulation with radiation effects, irradiated test structures investigation, radiation dependent SPICE model parameter extraction with ICCAP. The measured data of irradiated MOSFET test structures is used for TCAD calibration and SPICE model creation. The results show a good correlation between the simulated with the developed models and measured IC and VLSI response to the total dose and other components of the radiation environment.
In book
Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2010.
Roman A. Solovyev, Mkrtchan I., Telpukhov D. et al., IEEE Access 2025 Vol. 13 P. 6440–6450
In this paper, we present PAGR (Python Alpha Global Routing) – a solution to the global
routing problem in physical synthesis based on data from the ISPD 2024 contest. Our solution constructs a
weighted graph and builds a Steiner tree. To accelerate the Steiner tree search, we propose a technique for
the graph size minimization by reducing the ...
Added: April 9, 2025
Ryzhenko I. N., Nepomnyaschy O. V., A. I. Legalov et al., Automatic Control and Computer Sciences 2023 Vol. 57 No. 7 P. 696–705
In this paper, methods for increasing the efficiency of VLSI development based on the method of architecture-independent design are proposed. The route of high-level VLSI synthesis is considered. The principle of constructing a VLSI hardware model based on the functional-flow programming paradigm is stated. The results of the development of methods and algorithms for the ...
Added: February 27, 2024
Рыженко И. Н., Непомнящий О. В., Легалов А. И. et al., Моделирование и анализ информационных систем 2022 Т. 29 № 1 С. 60–72
In this paper methods for increasing the efficiency of VLSI development based on the method of architecture-independent design are proposed. The route of high-level VLSI synthesis is considered. The principle of constructing a VLSI hardware model based on the functional-flow programming paradigm is stated.
The results of the development of methods and algorithms for transformation functional-parallel ...
Added: March 18, 2022
Легалов А. И., Непомнящий О. В., Рыженко И. Н., Известия ЮФУ. Технические науки 2018 Т. 202 № 8 С. 38–47
The problem of high-level design of complex functional circuits and systems intended for implementation in the form of VLSI is considered. The basic shortcomings of existing approaches are revealed and a conceptually new method of project synthesis is proposed. The method is based on the functional-streaming paradigm of parallel computing, it allows for implementation of ...
Added: October 29, 2020
Adonin A. S., Petrosyants K. O., Popov D., , in: Proceedings of SPIE 11022. International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2018Vol. 11022G.: SPIE, 2019. P. 1–6.
New SOS MOSFET design with the presence of high-resistance undoped silicon of intrinsic conductivity in the channel
region near the source was proposed. 0.75 μm SOS MOSFET with the use of an "insertion" makes it possible to obtain
the transistor with characteristics corresponding to a transistor with 0.5 μm topological channel length. This allows the
factories to produce ...
Added: November 30, 2019
Andreev D. V., Bondarenko G.G., Andreev V. V. et al., Acta Physica Polonica A 2019 Vol. 36 No. 2 P. 263–266
The paper considers an influence of different kinds of radio-frequency plasma treatments onto modification
of MIS structures with a thermal SiO2 film which is aimed at improvement of electro-physical parameters of
the film. It was found that for the modification of MIS structures it is more preferable to utilize the oxygen
plasma radio-frequency plasma treatment performed by a ...
Added: November 5, 2019
Lebedev S. V., Petrosyants K. O., Stahin V. G. et al., Наноиндустрия 2018 № 82 С. 412–414
The paper summarizes requirements to SPICE models, simulation tools, aspects of model parameter extraction for design of low voltage, ultra-low power CMOS ICs. It presents the results of 2NAND circuit (L = 0.35mkm) simulation for supply voltage reduced from 0.7V to 0.3V. Their logical performance capabilities have been shown for the lowest value of supply ...
Added: January 30, 2019
Н. Новгород: ФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова», 2017.
Сборник трудов содержит материалы, посвященные результатам деятельности ведущих предприятий микроэлектронной промышленности, аккумулирующие передовые достижения естественных наук и существенно влияющие на тактико-технические характеристики и конкурентоспособность радиоэлектронной аппаратуры. ...
Added: November 20, 2018
М.: НИИСИ РАН, 2018.
Сборник содержит программу и тезисы докладов 17-ой Всероссийской научно-технической конференции «Электроника, микро- и наноэлектроника», проводимой в г. Суздаль с 14 по 18 мая 2018 года Федеральным государственным учреждением «Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской Академии наук», а также ООО «Галактический поток», при поддержке Российского Фонда Фундаментальных Исследований (Грант РФФИ № 18-07-20020).
Представленные тезисы отражают широкую панораму деятельности сотрудников ...
Added: November 7, 2018
Вологдин Э. Н., Lysenko A. P., М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2018.
The main content of the training manual is:
consideration of the issues of the effect of radiation creating structural defects on the main parameters of bipolar transistors,
Consider issues related to the influence of ionization factors on the operation of transistors (radiation transients),
the effect of nuclear reactions and fast annealing on the parameters of transistors is considered;
Classification ...
Added: March 16, 2018
Вологдин Э. Н., Lysenko A. P., М.: НИУ ВШЭ, 2018.
The main content of the training manual is:
consideration of issues of interaction of the main types of radiation with a solid,
structures of specific point and group radiation defects in silicon, germanium and gallium arsenide are considered,
Theoretical prerequisites for the calculation of the change in the basic electro-physical parameters of semiconductors are considered;
a summary of the ...
Added: March 15, 2018
Piscataway: IEEE, 2017.
The main target of the East-West Design & Test Symposium (EWDTS) is to exchange experiences between the scientists and technologies of the Eastern and Western Europe, as well as North America and other parts of the world, in the field of design, design automation and test of electronic systems. The symposium aims at attracting scientists especially from ...
Added: October 5, 2017
Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A., В кн.: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия.: М.: НИИСИ РАН, 2017. С. 53–54.
. ...
Added: September 13, 2017
М.: НИИСИ РАН, 2017.
Сборник содержит программу и тезисы докладов 16-ой Всероссийской научно-технической конференции «Электроника, микро- и наноэлектроника», проводимой в г. Суздаль с 3 по 7 июля 2017 года Федеральным государственным учреждением «Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской Академии наук», Московским научно-техническим обществом радиотехники, электроники и связи имени А.С. Попова при поддержке Российского Фонда Фундаментальных Исследований (Грант ...
Added: September 13, 2017
Konstantin O. Petrosyants, Lev M. Sambursky, Igor A. Kharitonov et al., Journal of Electronic Testing: Theory and Applications (JETTA) 2017 Vol. 33 No. 1 P. 37–51
The methodology of modeling and simulation of environmentally induced faults in radiation hardened SOI/SOS CMOS IC’s is presented. It is realized at three levels: CMOS devices – typical analog or digital circuit fragments – complete IC’s. For this purpose, a universal compact SOI/SOS MOSFET model for SPICE simulation software with account for TID, dose rate ...
Added: February 16, 2017
Yerevan: IEEE, 2016.
The main target of the East-West Design & Test Symposium (EWDTS) is to exchange experiences between the scientists and technologies of the Eastern and Western Europe, as well as North America and other parts of the world, in the field of design, design automation and test of electronic systems. The symposium aims at attracting scientists especially from ...
Added: October 29, 2016
Petrosyants K. O., Popov D., В кн.: Международной форум "Микроэлектроника-2016". 2-я научная конференция "Интегральные схемы и микроэлектронные модули".: М.: Техносфера, 2016. С. 303–308.
В работе с помощью средств TCAD проведено моделирование двух перспективных разновидностей глубоко субмикронных КНИ МОПТ с частично скрытым оксидом (Partial SOI) и L-образным скрытым оксидом (quasi-SOI) с целью оценки их радиационной стойкости и влияния эффекта «саморазогрева». На примере 100 нм КНИ МОП-транзистора показано, что новые структуры (Partial SOI и Quasi-SOI) по сравнению со стандартной КНИ МОПТ структурой ...
Added: October 11, 2016
Radiation resistance of structural radiation-protective composite material based on magnetite matrix
Yastrebinskii R. N., Bondarenko G., Pavlenko V. I., Inorganic Materials: Applied Research 2016 Vol. 7 No. 5 P. 718–723
The effect of fast electrons with energy of 0.5–6.2 MeV at a fluence of 1018 electrons/cm2 and γ sources of 60Со (Е = 1.25 МeV) at the absorbed dose of 0.1–25 MGy on the radiation-protective composites based on a magnetite matrix used for biological protection of nuclear reactors is calculated and studied experimentally. The depth ...
Added: September 21, 2016
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. et al., В кн.: 19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016».: ФГУП "НИИП", 2016. С. 97–98.
С помощью 2D TCAD моделирования исследован тиристорный эффект, вызванный прохождением тяжелой заряженной частицы (ТЗЧ) через структуру традиционного (объемного) КМОП инвертора и инвертора, выполненного по технологии с дополнительными слоями диэлектрической изоляции, окружающими области стока и истока (“quasi-SOI” with L-type isolation). Показано, что пороговое значение ЛПЭ, вызывающее защелкивание паразитной тиристорной структуры для классической объемной технологии составляет 25 МэВ·см2/мг, ...
Added: June 20, 2016
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Popov D. et al., В кн.: 19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016».: ФГУП "НИИП", 2016. С. 56–57.
Представлены результаты совместного приборно-технологического (TCAD)-схемотехнического (SPICE) моделирования устойчивости ячейки памяти, изготовленной по высокотемпературной КНИ КМОП технологии (0.35 мкм) к воздействию тяжелых частиц при повышенной температуре. Показано, что устойчивость ячейки памяти заметно снижается при увеличении температуры от комнатной до 300°С. ...
Added: June 20, 2016
ФГУП "НИИП", 2016.
Настоящий научно-технический сборник содержит тезисы устных и стендовых докладов 19-ой Всероссийской научно-технической конференции "Стойкость-2016", г. Лыткарино, 7-8 июня 2016 г. ...
Added: June 20, 2016