Modeling of the Submicron MOSFETs Characteristics for UTSi Technology

Adonin A. S.; K. O. Petrosyants; D. Popov

doi:10.1117/12.2522082

Publications

?

Modeling of the Submicron MOSFETs Characteristics for UTSi Technology

P. 1–6.

Adonin A. S., Petrosyants K. O., Popov D.

New SOS MOSFET design with the presence of high-resistance undoped silicon of intrinsic conductivity in the channel
region near the source was proposed. 0.75 μm SOS MOSFET with the use of an "insertion" makes it possible to obtain
the transistor with characteristics corresponding to a transistor with 0.5 μm topological channel length. This allows the
factories to produce new competitive products without significant capital expenditures for the modernization of
production capacities.

Keywords: CMOS SOI/SOS технология «кремний на сапфире»asymmetric doping MOSFET performance асимметричное легирование быстродействие МОП

Publication based on the results of:

Integrated multiphysical simulation of basic designs and technologies of a new generation of microminiature, micropower semiconductor photo and beta voltaic batteries and sensors with a long service life for autonomous medical and technical systems for various purposes (2019)

In book

Proceedings of SPIE 11022. International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2018

Vol. 11022G. , SPIE, 2019.

Исследование с помощью TCAD быстродействия субмикронных МОП-структур с неравномерным легированием канала

Petrosyants K. O., Popov D., В кн.: XVIII Научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 24 - 27 июня 2019 года, г. Суздаль, Россия.: НИИСИ РАН, 2019. С. 27–28.

В работе рассматривается использование конструкций КНИ МОПТ с неравномерным легированием канала. С помощью Sentaurus TCAD промоделированы ВАХ КНИ МОПТ с однородным и неравномерным легированием канала (до 50% длины канала), а также зависимость времени задержки КМОП схем на основе исследуемых транзисторов. ...

Added: March 15, 2020

Исследование влияние температуры на устойчивость КМОП КНИ ячеек памяти к воздействию одиночных тяжелых частиц

Popov D., Kharitonov I. A., В кн.: Фундоментальная наука и технология - перспективные разработки/ Fundamental science and technology - promising developments IIIТ. 3. Вып. III.: CreateSpace, 2014. С. 4–6.

В статьи рассмотрено смешанной TCAD-SPICE моделирование воздействия одиночной заряженной частицы на ячейку памяти, состоящей из КМОП КНИ МОПТ с длиной канала 0.25 мкм. Моделирование производилось при различных температурах окружающей среды (от -100 С до 180 С). Показана важность учета влияния температуры на устойчивость ячеек памяти к сбоям, вызываемым воздействием отдельных тяжелых частиц, т.к. стойкость при повышенной ...

Added: June 5, 2014

SPICE-модели фотодиодов и фототранзисторов для расчёта КНС КМОП фоточувствительных ячеек

Petrosyants K. O., Sambursky L. M., В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XI научно-технической конференции, Дубна, 17-19 октября 2012 г.: М.: ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2012. С. 116–121.

Разработанные spice-модели фоточувствительных элементов были использованы для моделирования характеристик фоточувствительных элементов с горизонтальной структурой: фотодиода и биполярного транзистора, – изготовленных по КМОП-технологии «кремний на сапфире» (КНС КМОП) 0,5 мкм компании Peregrine, и ФДУЗ, изготовленного по отечественной 2 мкм КНС КМОП-технологии. Показана хорошая точность совпадения измеренных и смоделированных характеристик. ...

Added: December 5, 2012

Multi-level Methodology for CMOS SOI/SOS MOSFET Parameterization for IC Radiation Hardness Simulation with SPICE

Kharitonov I. A., , in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’10).: Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2010. P. 358–361.

The multi-level methodology for CMOS SOI/SOS IC element parameterization for VLSI radiation hardness prediction by CAD systems is developed. The methodology includes semiconductor technology simulation, CMOS SOI/SOS MOSFET device simulation with radiation effects, irradiated test structures investigation, radiation dependent SPICE model parameter extraction with ICCAP. The measured data of irradiated MOSFET test structures is used ...

Added: April 12, 2012