?
Моделирование сбоев в КНИ/КНС КМОП-схемах с использованием универсальной SPICE-модели
С. 53–54.
Petrosyants K. O., Ismail-zade M. R., Kozhukhov M. et al., Наноиндустрия 2022 Т. 15 № S8-1(113) С. 183–194
The paper highlights RAD-THERM-AGING versions of TCAD and SPICE models developed for BiCMOS VLSI components with submicron and nanometer sizes, taking into account various types of radiation effects, temperatures in the wide range of -260...+300°C and aging during long-term operation. ...
Added: July 7, 2022
Petrosyants K. O., В кн.: Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021.: М.: МАКС Пресс, 2021. С. 112–116.
Added: November 30, 2021
Ismail-zade M. R., В кн.: Спецвыпуск Наноиндустрия. Российский форум "Микроэлектроника-2021". 7-я Научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» Сборник тезисовТ. 14. Вып. 7s.: М.: Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2021. С. 912–913.
Added: November 5, 2021
Petrosyants K. O., Ismail-zade M. R., Sambursky L. M., В кн.: Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021.: М.: МАКС Пресс, 2021. С. 117–120.
The possibilities of determining the SPICE model parameters in an extended temperature range were investigated using the three most common commercial extractors IC-CAP, MBP and BSIMProPlus. Comparative estimates of the efficiency of extractors are given on the example of calculating MOSFETs I–V characteristic taking into account the temperatures up to +300°C. ...
Added: November 5, 2021
Kharitonov I. A., Popov D., Рахматуллин Б. А., Наноиндустрия 2020 Т. 13 № S5-2 С. 379–385
The paper deals with SPICE models of varying complexity for analyzing the heavy (nuclear) particles impact on CMOS circuits. For the version of the model that takes into account the influence of the electric bias on the parameters of the current pulse, expressions have been given for evaluating the main model parameters, depending on the ...
Added: April 16, 2021
Petrosyants K. O., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г.: М.: МАКС Пресс, 2020. С. 35–40.
Conventional BJT, MOSFET, JFET, DMOST, IGBT structures fabricated on bulk silicon and SOI/SOS substrates are characterized as the object of modeling. Popular TCAD simulators and SPICE device models libraries are presented. The model parameters extraction strategies for TCAD device and SPICE circuit simulation based on data proceeding of physical and electrical measurements are described. The ...
Added: December 5, 2020
Ismail-zade M. R., Sambursky L. M., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г.: М.: МАКС Пресс, 2020. С. 229–232.
This paper presents Low-T SPICE models of sub-micron MOSFETs, designed to calculate electronic circuits in the cryogenic temperature range (down to 4 K). The procedure for extracting the Low-T SPICE model parameters based on the measurement results or TCAD simulation of a standard set of I-V and C-V characteristics in the cryogenic temperature range has been ...
Added: November 29, 2020
Andreev D. V., Bondarenko G.G., Andreev V. V. et al., Acta Physica Polonica A 2019 Vol. 36 No. 2 P. 263–266
The paper considers an influence of different kinds of radio-frequency plasma treatments onto modification
of MIS structures with a thermal SiO2 film which is aimed at improvement of electro-physical parameters of
the film. It was found that for the modification of MIS structures it is more preferable to utilize the oxygen
plasma radio-frequency plasma treatment performed by a ...
Added: November 5, 2019
Ismail-zade M. R., Известия высших учебных заведений. Электроника 2020 Т. 25 № 1 С. 40–47
The circuit design of electronic devices for harsh operating conditions requires SPICE models of electronic components that take into account the influence of ultra-low and ultra-high ambient temperatures. However, the standard SPICE models of electronics component, available in commercial versions of SPICE-like simulators, provide an adequate accuracy in a limited temperature range (-60 … +150 ...
Added: October 30, 2019
Ismail-zade M. R., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2019». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, 23-25 сентября 2019 г.: М.: ООО "Спектр", 2019. С. 284–292.
The compact SPICE models of MOSFET and JFET field-effect transistors for the temperature range from ultra-low to ultra-high (–200...+300°C) have been improved. The procedure for extracting the SPICE model parameters based on the measurement results or TCAD simulation of a standard set of I-V and C-V characteristics in a wide temperature range has been developed. ...
Added: September 30, 2019
Petrosyants K. O., Ismail-zade M. R., Sambursky L. M., Известия высших учебных заведений. Электроника 2019 Т. 24 № 2 С. 174–184
The JFET compact models used in commercial versions of SPICE-like software tools are oriented only to the standard range of –60 °C…+150 °C and are not suitable for simulation the electronic circuits in the range of cryogenic temperatures (below –120 °C). In the work the JEFT Low-T model, suitable for calculation of circuits in an ...
Added: June 5, 2019
Petrosyants K. O., Наноиндустрия 2018 № 82 С. 42–45
The article highlights the status of TCAD and SPICE modeling of CMOS, SOI CMOS, SiGe BiCMOS VLSI components intended for operation under the influence of radiation (neutrons, electrons, protons, y- and X-ray, single particle, pulsed radiation), high (up to +300°C) and low (up to –200°C) temperatures. TCAD and SPICE models of BJTs and MOSFETs, and ...
Added: January 30, 2019
Petrosyants K. O., В кн.: XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 14 - 18 мая 2018 года, г. Суздаль, Россия.: М.: НИИСИ РАН, 2018. С. 65–66.
. ...
Added: November 7, 2018
М.: НИИСИ РАН, 2018.
Сборник содержит программу и тезисы докладов 17-ой Всероссийской научно-технической конференции «Электроника, микро- и наноэлектроника», проводимой в г. Суздаль с 14 по 18 мая 2018 года Федеральным государственным учреждением «Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской Академии наук», а также ООО «Галактический поток», при поддержке Российского Фонда Фундаментальных Исследований (Грант РФФИ № 18-07-20020).
Представленные тезисы отражают широкую панораму деятельности сотрудников ...
Added: November 7, 2018
Petrosyants K. O., Ismail-zade M. R., Sambursky L. M. et al., В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2018)Вып. 3.: М., Зеленоград: ИППМ РАН, 2018. С. 111–117.
A set of modified compact spice models of field effect transistors is presented: with isolated gate (MOSFET) and with pn junction control (JFET) for circuit simulation in a temperature range of -200°C, which is important for space applications. All models are constructed using the approach combining macromodeling based on the standard models available in the ...
Added: October 21, 2018