• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • HSE University
  • Publications
  • Book chapter
  • Моделирование сбоев в КНИ/КНС КМОП-схемах с использованием универсальной SPICE-модели
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Priority areas
  • business informatics
  • economics
  • engineering science
  • humanitarian
  • IT and mathematics
  • law
  • management
  • mathematics
  • sociology
  • state and public administration
by year
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • More
Subject
News
June 25, 2026
HSE Researchers Make Aldehydes Perform Dual Function
Chemists from HSE University have discovered a way to carry out a reductive addition reaction without using an external reducing agent. Instead, the required 'resource' is supplied by the aldehyde itself, one of the reaction participants. This approach helps prevent unwanted side reactions, reduces toxicity, and simplifies the production and synthesis of organic molecules, including those used in the manufacture of medicines. The study has been published in Journal of Catalysis.
June 25, 2026
HSE Scientists Explain Why Findings in Autism Research Differ
Researchers from the Cognitive Health and Intelligence Centre at HSE University conducted the first-ever systematic review of studies on the specifics of emotion-from-motion perception in autism. The review showed that differences found between autistic and non-autistic individuals are largely associated with the experimental design and the types of tasks given to study participants. The review findings have been published in Research in Autism.
June 22, 2026
‘In Science, You Are Your Own Boss
Polina Nasledskova is interested in identifying gaps in linguistics and topics that have been overlooked by other researchers. In an interview for the  Young Scientists of HSE University project, she spoke about rare ordinal numerals in Nakh-Daghestanian languages, the benefits of knitting for concentration, and the beauty of the Patriarshy Bridge.

 

Have you spotted a typo?
Highlight it, click Ctrl+Enter and send us a message. Thank you for your help!

Publications
  • Books
  • Articles
  • Chapters of books
  • Working papers
  • Report a publication
  • Research at HSE

?

Моделирование сбоев в КНИ/КНС КМОП-схемах с использованием универсальной SPICE-модели

С. 53–54.
Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A.
Language: Russian
Full text
Keywords: радиационная стойкостьэкстракция параметров моделикомпактные SPICE-моделиКНИ/КНС КМОП-схемымоделирование сбоев

In book

XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия
XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия
М.: НИИСИ РАН, 2017.
Similar publications
Подсистема TCAD- и SPICE-моделирования элементов кремниевых БИС с учетом влияния температуры, радиации и старения
Petrosyants K. O., Ismail-zade M. R., Kozhukhov M. et al., Наноиндустрия 2022 Т. 15 № S8-1(113) С. 183–194
The paper highlights RAD-THERM-AGING versions of TCAD and SPICE models developed for BiCMOS VLSI components with submicron and nanometer sizes, taking into account various types of radiation effects, temperatures in the wide range of -260...+300°C and aging during long-term operation. ...
Added: July 7, 2022
TCAD и SPICE моделирование элементов кремниевых БИС с учетом влияния температуры, радиации и старения
Petrosyants K. O., В кн.: Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021.: М.: МАКС Пресс, 2021. С. 112–116.
Added: November 30, 2021
Оценка эффективности применения различных промышленных экстракторов для определения параметров SPICE-моделей субмикронных МОП-транзисторов
Ismail-zade M. R., В кн.: Спецвыпуск Наноиндустрия. Российский форум "Микроэлектроника-2021". 7-я Научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» Сборник тезисовТ. 14. Вып. 7s.: М.: Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2021. С. 912–913.
Added: November 5, 2021
Исследование возможностей применения различных промышленных экстракторов для определения параметров SPICE-моделей субмикронных МОПТ в диапазоне температуры до 300°С
Petrosyants K. O., Ismail-zade M. R., Sambursky L. M., В кн.: Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021.: М.: МАКС Пресс, 2021. С. 117–120.
The possibilities of determining the SPICE model parameters in an extended temperature range were investigated using the three most common commercial extractors IC-CAP, MBP and BSIMProPlus. Comparative estimates of the efficiency of extractors are given on the example of calculating MOSFETs I–V characteristic taking into account the temperatures up to +300°C. ...
Added: November 5, 2021
Методика определения параметров SPICE-моделей для анализа влияния ОЯЧ на КМОП-схемы при уменьшении размеров транзисторов
Kharitonov I. A., Popov D., Рахматуллин Б. А., Наноиндустрия 2020 Т. 13 № S5-2 С. 379–385
The paper deals with SPICE models of varying complexity for analyzing the heavy (nuclear) particles impact on CMOS circuits. For the version of the model that takes into account the influence of the electric bias on the parameters of the current pulse, expressions have been given for evaluating the main model parameters, depending on the ...
Added: April 16, 2021
Введение в TCAD и SPICE моделирование полупроводниковых приборов и элементов БИС
Petrosyants K. O., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г.: М.: МАКС Пресс, 2020. С. 35–40.
Conventional BJT, MOSFET, JFET, DMOST, IGBT structures fabricated on bulk silicon and SOI/SOS substrates are characterized as the object of modeling. Popular TCAD simulators and SPICE device models libraries are presented. The model parameters extraction strategies for TCAD device and SPICE circuit simulation based on data proceeding of physical and electrical measurements are described. The ...
Added: December 5, 2020
SPICE модели субмикронных КМОП транзисторов в диапазоне криогенной температуры
Ismail-zade M. R., Sambursky L. M., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г.: М.: МАКС Пресс, 2020. С. 229–232.
This paper presents Low-T SPICE models of sub-micron MOSFETs, designed to calculate electronic circuits in the cryogenic temperature range (down to 4 K). The procedure for extracting the Low-T SPICE model parameters based on the measurement results or TCAD simulation of a standard set of I-V and C-V characteristics in the cryogenic temperature range has been ...
Added: November 29, 2020
Modification of MIS Devices by Radio-Frequency Plasma Treatment
Andreev D. V., Bondarenko G.G., Andreev V. V. et al., Acta Physica Polonica A 2019 Vol. 36 No. 2 P. 263–266
The paper considers an influence of different kinds of radio-frequency plasma treatments onto modification of MIS structures with a thermal SiO2 film which is aimed at improvement of electro-physical parameters of the film. It was found that for the modification of MIS structures it is more preferable to utilize the oxygen plasma radio-frequency plasma treatment performed by a ...
Added: November 5, 2019
SPICE-модели JFET и MOSFET в широком диапазоне температур
Ismail-zade M. R., Известия высших учебных заведений. Электроника 2020 Т. 25 № 1 С. 40–47
The circuit design of electronic devices for harsh operating conditions requires SPICE models of electronic components that take into account the influence of ultra-low and ultra-high ambient temperatures. However, the standard SPICE models of electronics component, available in commercial versions of SPICE-like simulators, provide an adequate accuracy in a limited temperature range (-60 … +150 ...
Added: October 30, 2019
SPICE-модели JFET и MOSFET в широком диапазоне температуры (–200…+300°C)
Ismail-zade M. R., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2019». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, 23-25 сентября 2019 г.: М.: ООО "Спектр", 2019. С. 284–292.
The compact SPICE models of MOSFET and JFET field-effect transistors for the temperature range from ultra-low to ultra-high (–200...+300°C) have been improved. The procedure for extracting the SPICE model parameters based on the measurement results or TCAD simulation of a standard set of I-V and C-V characteristics in a wide temperature range has been developed. ...
Added: September 30, 2019
Особенности моделирования ВАХ JFET-транзисторов в диапазоне криогенных температур
Petrosyants K. O., Ismail-zade M. R., Sambursky L. M., Известия высших учебных заведений. Электроника 2019 Т. 24 № 2 С. 174–184
The JFET compact models used in commercial versions of SPICE-like software tools are oriented only to the standard range of –60 °C…+150 °C and are not suitable for simulation the electronic circuits in the range of cryogenic temperatures (below –120 °C). In the work the JEFT Low-T model, suitable for calculation of circuits in an ...
Added: June 5, 2019
Состояние работ в области моделирования полупроводниковых компонентов с учетом влияния радиации и температуры
Petrosyants K. O., Наноиндустрия 2018 № 82 С. 42–45
The article highlights the status of TCAD and SPICE modeling of CMOS, SOI CMOS, SiGe BiCMOS VLSI components intended for operation under the influence of radiation (neutrons, electrons, protons, y- and X-ray, single particle, pulsed radiation), high (up to +300°C) and low (up to –200°C) temperatures. TCAD and SPICE models of BJTs and MOSFETs, and ...
Added: January 30, 2019
SPICE модели элементов БиКМОП СБИС для сверхнизких температур
Petrosyants K. O., В кн.: XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 14 - 18 мая 2018 года, г. Суздаль, Россия.: М.: НИИСИ РАН, 2018. С. 65–66.
. ...
Added: November 7, 2018
XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 14 - 18 мая 2018 года, г. Суздаль, Россия
М.: НИИСИ РАН, 2018.
Сборник содержит программу и тезисы докладов 17-ой Всероссийской научно-технической конференции «Электроника, микро- и наноэлектроника», проводимой в г. Суздаль с 14 по 18 мая 2018 года Федеральным государственным учреждением «Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской Академии наук», а также ООО «Галактический поток», при поддержке Российского Фонда Фундаментальных Исследований (Грант РФФИ № 18-07-20020). Представленные тезисы отражают широкую панораму деятельности сотрудников ...
Added: November 7, 2018
SPICE-модели полевых транзисторов со структурой MOSFET и JFET для расширенного диапазона температуры до –200°C
Petrosyants K. O., Ismail-zade M. R., Sambursky L. M. et al., В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2018)Вып. 3.: М., Зеленоград: ИППМ РАН, 2018. С. 111–117.
A set of modified compact spice models of field effect transistors is presented: with isolated gate (MOSFET) and with pn junction control (JFET) for circuit simulation in a temperature range of -200°C, which is important for space applications. All models are constructed using the approach combining macromodeling based on the standard models available in the ...
Added: October 21, 2018
  • About
  • About
  • Key Figures & Facts
  • Sustainability at HSE University
  • Faculties & Departments
  • International Partnerships
  • Faculty & Staff
  • HSE Buildings
  • HSE University for Persons with Disabilities
  • Public Enquiries
  • Studies
  • Admissions
  • Programme Catalogue
  • Undergraduate
  • Graduate
  • Exchange Programmes
  • Summer University
  • Summer Schools
  • Semester in Moscow
  • Business Internship
  • Research
  • International Laboratories
  • Research Centres
  • Research Projects
  • Monitoring Studies
  • Conferences & Seminars
  • Academic Jobs
  • Yasin (April) International Academic Conference on Economic and Social Development
  • Media & Resources
  • Publications by staff
  • HSE Journals
  • Publishing House
  • iq.hse.ru: commentary by HSE experts
  • Library
  • Economic & Social Data Archive
  • Video
  • HSE Repository of Socio-Economic Information
  • HSE1993–2026
  • Contacts
  • Copyright
  • Privacy Policy
  • Site Map
Edit