• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Глава

Влияние обработки в парах селена на структуру поверхности gap и электрические характеристики диодов Шоттки на его основе

С. 59-62.
Кузубов С. В., Власов Ю. Н., Кортунов А. В.

Реальная поверхность полупроводников AIIIBV, в частности GaP, имеет высокую плотность поверхностных электронных состояний (ПЭС), связанную с образованием собственных оксидов. Обработка поверхности GaP в парах Se2 приводит к формированию пленки Ga2Se3 на GaP. Такая гетероструктура может быть использована в качестве преобразователей солнечной энергии.