• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Глава

Определение паразитных емкостей SiGe гетеропереходного биполярного транзистора для схемотехнических моделей Mextram, HICUM

С. 84-89.
Петросянц К. О., Торговников Р. А.

Предложена методика определения паразитных емкостей транзисторной структуры SiGe ГБТ для схемотехнических моделей с помощью САПР приборно-технологического моделирования.