?
Определение паразитных емкостей SiGe гетеропереходного биполярного транзистора для схемотехнических моделей Mextram, HICUM
С. 84-89.
Петросянц К. О., Торговников Р. А.
Предложена методика определения паразитных емкостей транзисторной структуры SiGe ГБТ для схемотехнических моделей с помощью САПР приборно-технологического моделирования.
Konstantin O. Petrosyants, Maxim V. Kozhukhov, , in : Proceedings of the 24th European conference on radiation and its effects on components and systems -2015 (RADECS 2015), Moscow, Russia, 14-18 September. : Piscataway : Institute of Electrical and Electronic Engineers, 2015. P. 9-12.
Проведено исследование деградации характеристик SiGe ГБТ после воздейсвтия протонного излучения с помощью Synopsys Sentaurus. Представлена и добавлена в структуру Synopsys Sentaurus новая модель для для влияния протонного излучения на электрофизические параметры (t, S0, Nit). Используется способ учета влияния протонного излучения базирующийся на аддитивности ионизационных эффектов и эффектов смещения. По результатам сравнения смоделированных и экспериментальных характеристик SiGe ...
Добавлено: 18 февраля 2016 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., , in : Proceedings of the 24th European conference on radiation and its effects on components and systems -2015 (RADECS 2015), Moscow, Russia, 14-18 September. : Piscataway : Institute of Electrical and Electronic Engineers, 2015. P. 27-30.
В систему TCAD были добавлены новые полуэмпирические модели для учета эффектов поглощенной дозы, которые зависят от объема, оксида, плотности ловушек на границе HfO2 / Si, подвижности носителей, времени жизни в материале. В работе была исследована структура 45-нм high-k объемного и КНИ МОП транзистора с учетом радиационного воздейсвтия. ...
Добавлено: 18 февраля 2016 г.
Орехов Е. В., В кн. : Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 14-ой Российской научно-технической конференции. Суздаль 2012 г. : М. : НИЯУ МИФИ, 2012. С. 8-15.
Описана процедура определения параметров улучшенной электрической подсхемы, подключаемой к SPICE модели КНИ МОП транзистора для учета влияния ОЯЧ, из результатов смешанного моделирования с помощью Synopsys TCAD. По сравнению со стандартной подсхемой, содержащей простой генератор тока с двумя экспонентами, описываемая подсхема является более точной, т.к. учитывает рассасывание заряда трека за счет двух механизмов: рекомбинации избыточных носителей ...
Добавлено: 12 апреля 2012 г.
К.О. Петросянц, М.В. Кожухов, Известия высших учебных заведений. Электроника 2015 Т. 20 № 6 С. 648-651
Проведено электротепловое моделирование современных структур Si и SiGe биполярных транзисторов с помощью САПР Sentaurus Synopsys. Показано, что для SiGe гетеропереходных биполярных транзисторов, работающих на высоких плотностях тока, наблюдается более высокая рабочая температура по сравнению с идентичными кремниевыми транзисторами при одинаковой рассеиваемой мощности, что приводит к сильной деградации электрофизических параметров прибора и его электрических характеристик. ...
Добавлено: 18 февраля 2016 г.
50584562, M.V. Kozhukhov, , in : PROBLEMS OF ADVANCED MICRO- AND NANOELECTRONIC SYSTEMS DEVELOPMENT (MES) SELECTED ARTICLES of the VII All-Russia Science&Technology Conference MES-2016 Part IV, Design of Electron Component Base. * Part IV: SELECTED ARTICLES of the VII All-Russia Science&Technology Conference MES-2016.: M. : ., 2017. Ch. 1. P. 2-10.
Представлены новые приборно-технологические и схемотехнические модели кремниевых и кремний германиевых биполярных транзисторов, учитывающие влияние облучения нейтронами, протонами и гамма-квантами. Рассмотрена возможность скозного TCAD и SPICE моделирования в рамках проектирования радиационно-стойких интегральных схем. Моделировался полный набор I-V, C-V, fT, fmax характеристик БТ / ГБТ до и после облучения. Результаты TCAD моделирования использовались в качестве входных данных для ...
Добавлено: 25 октября 2017 г.
Петросянц К. О., Орехов Е. В., Самбурский Л. М. и др., Известия высших учебных заведений. Электроника 2010 № 2 (82) С. 81-83
При моделировании случайных сбоев, эффектов узкого канала, токов утечки по боковым изолирующим граням, а также при исследовании влияния топологии транзистора на радиационную стойкость необходимо использовать трехмерное моделирование, так как двумерное моделирование принципиально не может учесть вышеперечисленные эффекты. В настоящей работе представлены результаты трехмерного моделирования радиационных токов утечки в субмикронном частично обедненном n-канальном МОП-транзисторе со структурой ...
Добавлено: 12 апреля 2012 г.
Петросянц К. О., Кожухов М. В., , in : Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12). : Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2012. P. 274-277.
Исследованы эффекты воздействия протонного излучения на кремний-германиевый гетеропереходный биполярный транзистор (SiGe ГБТ) с использованием САПР Synopsys/ISE TCAD. В программу включена модель деградации времени жизни носителей под действием потока протонов. Представлены результаты воздействия протонов различной энергии. Показано, что для SiGe ГБТ увеличение базового тока оказывается больше при воздействии низкоэнергетических протонов, чем при воздействии высокоэнергетических протонов. Представлены ...
Добавлено: 21 октября 2012 г.
Орехов Е. В., Пугачёв А. А., Самбурский Л. М. и др., В кн. : Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XII Научно-технической конференции. : М. : МНТОРЭС им. А. С. Попова, 2013. С. 253-255.
Данная работа посвящена учёту эффекта релаксации упругих напряжений в структуре SiGe ГМОПТ методом приборно-технологического моделирования. ...
Добавлено: 24 марта 2014 г.
Петросянц К. О., Кожухов М. В., Dvornikov O. и др., , in : 2018 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). Proceedings. : M. : IEEE, 2018. Ch. 380. P. 1-4.
Добавлено: 30 мая 2018 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., В кн. : Международной форум "Микроэлектроника-2016". 2-я научная конференция "Интегральные схемы и микроэлектронные модули". : М. : Техносфера, 2016. С. 303-308.
В работе с помощью средств TCAD проведено моделирование двух перспективных разновидностей глубоко субмикронных КНИ МОПТ с частично скрытым оксидом (Partial SOI) и L-образным скрытым оксидом (quasi-SOI) с целью оценки их радиационной стойкости и влияния эффекта «саморазогрева». На примере 100 нм КНИ МОП-транзистора показано, что новые структуры (Partial SOI и Quasi-SOI) по сравнению со стандартной КНИ МОПТ структурой ...
Добавлено: 11 октября 2016 г.
Влияние различных видов радиации на характеристики кремний-германиевых гетеропереходных транзисторов
Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы 2014 № 1 (232) С. 3-18
Приведён обзор работ по исследованию воздействия ионизирующих излучений (гамма, нейтроны и протоны) на характеристики кремний-германиевых гетеропереходных транзисторов, входящих в состав SiGe БиКМОП БИС четырёх поколений с проектной нормой 0,25; 0,18; 0,13 и 0,09 мкм. Экспериментальные данные объясняются на основе существующих представлений о радиационных эффектах в биполярных транзисторах с учётом особенностей кремний-германиевой гетероструктуры. Показано, что основные ...
Добавлено: 18 сентября 2014 г.
Петросянц К. О., В кн. : Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г. : М. : МАКС Пресс, 2020. С. 35-40.
Рассмотрены методики TCAD и SPICE моделирования для биполярных и МОП-компонентов, изготовленных по базовым технологиям кремниевых ИС/БИС. ...
Добавлено: 5 декабря 2020 г.
Петросянц К. О., В кн. : Сб. трудов Международной конференции "Интегральные схемы и микроэлектронные модули -- проектирование, производство и применение" (Микроэлектроника -- 2015). : М. : Техносфера, 2016. С. 415-431.
Разработаны библиотеки TCAD- и SPICE-моделей интегральных биполярных и МОП-транзисторов, предназначенные для проектирования радиационно-стойких Би-КМОП БИС и учитывающие следующие виды радиационных воздействий: гамма-лучей, нейтронов, электронов, протонов, импульсного излучения и отдельных ядерных частиц (ОЯЧ). ...
Добавлено: 13 апреля 2016 г.
Адонин А. С., Петросянц К. О., М. : Химия, 2016
Книга посвящена интегральным схемам (ИС) со структурой КМОП «кремний на сапфире», которые являются стратегическим важным направлением создания ИС для экстремальных и ответственных применений и одновременно быстро развивающимся перспективным направлением создания больших ИС (БИС) и систем на кристалле (СнК) для мобильных систем связи. В книге рассмотрены следующие вопросы: специфика интегральных схем со структурой КМОП КНС; требования ...
Добавлено: 5 апреля 2016 г.
Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А. и др., Известия Южного федерального университета. Технические науки 2012 № 6(131) С. 77-82
В работе представлены математические модели для учёта влияния поглощённой дозы гамма-излучения и интегрального потока нейтронов на характеристики субмикронных транзисторов. Описана процедура встраивания моделей в систему приборно-технологического моделирования Synopsys TCAD. Рассчитаны следующие зависимости: 1) сток-затворные характеристики для верхнего и нижнего затворов и ток утечки МОП-транзистора с длиной затвора 90 нм, изготовленного по технологии кремний на изоляторе, для различных ...
Добавлено: 28 ноября 2012 г.
Петросянц К. О., Кожухов М. В., IEEE Transactions on Nuclear Science 2016 Vol. 63 No. 4 P. 2016 -2021
Performance degradation of the SiGe HBT after proton irradiation is investigated using a new physical TCAD model built into the Synopsys Sentaurus tool. The general conception of the model is based on the additive effects of ionization and displacement effects influence on transistor base current. New equations for the physical parameters τ, S, Nit taking ...
Добавлено: 8 октября 2016 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др., В кн. : Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.). : М. : НИЯУ МИФИ, 2010. С. 84-89.
В работе представлены результаты применения cредств трехмерного приборно-технологического моделирования для анализа влияния конструктивно-топологических вариантов КНИ МОП-транзисторов на возникающие в них радиационные токи утечки. ...
Добавлено: 12 апреля 2012 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., , in : Proceedings of the 2nd International Conference on Microelectronic Devices and Technologies (MicDAT '2019). : Barcelona : International Frequency Sensor Association (IFSA), 2019. P. 24-28.
Добавлено: 4 июня 2019 г.
Петросянц К. О., Кожухов М. В., В кн. : Труды XXV Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 6-11 июля 2015г.). : М. : ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2015. С. 415-423.
В работе была представлена физическая модель для SiGe ГБТ, которая описывает изменение базового тока в результате облучения потоком протонов. ...
Добавлено: 20 февраля 2016 г.
Петросянц К. О., Кожухов М. В., Dvornikov O. и др., , in : 23rd International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC). : IEEE, 2017. P. 1-5.
Добавлено: 16 июля 2018 г.
Петросянц К. О., Торговников Р. А., Известия высших учебных заведений. Электроника 2011 № 5 (91) С. 81-83
Проведена оценка влияния диэлектрической щелевой изоляции на тепловой режим SiGe ГБТ. Исследовалась структура SiGe ГБТ с размерами эмиттера 0.2х1.0 мкм с параметрами βmax=400, fmax=160 ГГц. С помощью приборно-технологической САПР рассчитаны характеристики 3-х структуру: без изоляции; с мелкой щелевой изоляцией; с мелкой и глубокой щелевой изоляцией. Показано, что в рабочем режиме наличие щелевой изоляции увеличивает температуру ...
Добавлено: 19 апреля 2012 г.