?
Приборно-технологическое моделирование характеристик SiGe ГБТ при воздействии протонов
С. 415–423.
Петросянц К. О., Кожухов М. В.
В работе была представлена физическая модель для SiGe ГБТ, которая описывает изменение базового тока в результате облучения потоком протонов.
Язык:
русский
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
В книге
М.: ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2015.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Denis S. Silkin, , in: Proceedings of the Future Technologies Conference (FTC) 2025, Volume 3Vol. 3.: Springer Publishing Company, 2026. P. 171–184.
Добавлено: 7 апреля 2026 г.
Konstantin O. Petrosyants, Denis S. Silkin, Dmitriy A. Popov, , in: Proceedings of the Future Technologies Conference (FTC) 2024, Volume 3. (LNNS, volume 1156).: Switzerland: Springer, 2024. P. 643–652.
Добавлено: 6 ноября 2025 г.
Максименко Ю. Н., Петросянц К. О., Силкин Д. С. и др., Известия высших учебных заведений. Электроника 2024 Т. 29 № 6 С. 772–786
Физико-математическая модель транзистора со статической индукцией дает возможность проводить расчет основных ВАХ и анализ конструкции приборов для статического режима при биполярном режиме работы транзистора, а также позволяет понять возможности улучшения конструкции кристалла. Однако данная модель не обеспечивает анализ работы приборов со статической индукцией на высоких частотах, без которого нельзя создать конструкцию прибора с оптимальными параметрами. ...
Добавлено: 14 февраля 2025 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Силкин Д. С. и др., Наноиндустрия 2024 Т. 17 № S10-1(128) С. 302–312
В статье представлена комбинированная TCAD-SPICE-модель для оценки стойкости ячеек памяти к удару одиночного ядра частицы (ОЯЧ), в которой учитываются физические параметры транзисторов, схемотехника ячейки памяти и параметры ударяющей частицы. Модель и программные средства откалиброваны для технологий КМОП с проектными нормами 90 нм, 65 нм. В работе приведены оценки стойкости ячеек памяти с разными проектными нормами ...
Добавлено: 3 сентября 2024 г.
Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А. и др., Известия высших учебных заведений. Электроника 2023 Т. 28 № 6 С. 826–837
С уменьшением размеров транзисторов возникают условия, когда удар одной частицы затрагивает сразу несколько транзисторов в составе ячейки памяти. Вследствие этого при моделировании недостаточно учитывать один транзистор, в который непосредственно попадает частица. В работе рассмотрена полноразмерная 3D-модель двух n-канальных транзисторов, являющихся частью 6T-ячейки памяти, в которую ударяет заряженная частица. Предложен способ моделирования удара частицы, который позволяет ...
Добавлено: 11 января 2024 г.
Добавлено: 30 октября 2022 г.
K.O. Petrosyants, D.S. Silkin, D.A. Popov и др., , in: Proceedings of 2022 IEEE Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT).: M.: IEEE, 2022. P. 1–4.
Добавлено: 13 июля 2022 г.
K. O. Petrosyants, D. A. Popov, M. R. Ismail-Zade и др., , in: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2020).Вып. 4.: ИППМ РАН, 2020. P. 2–8.
Два типа моделей МОПТ, имеющихся в коммерческих версиях TCAD- и SPICE-симуляторов, дополнены уравнениями для учёта радиационных эффектов. Адекватность моделей иллюстрирована на двух примерах: 1) 0,2 и 0,24 мкм КНИ/DSOI МОПТ с учётом дозовых эффектов и ОЯЧ; 2) 28 нм МОПТ на объёмном кремнии, 45 нм и 28 нм КНИ МОПТ с high‑k диэлектриком с учётом дозовых эффектов. ...
Добавлено: 5 декабря 2020 г.
Падеров В. П., Силкин Д. С., Горячкин Ю. В. и др., Радиотехника и электроника 2017 Т. 62 № 6 С. 616–620
Рассмотрено воздействие мелких водородсодержащих доноров и акцептороподобных дефектов,
возникающих при протонном облучении кремния, на напряжение пробоя высоковольтного p–n перехода. Получены соотношения, позволяющие рассчитать напряжение пробоя облученного p–n перехода с учетом роста критической напряженности поля при попадании водородсодержащих доноров в область ударной ионизации p–n перехода. Предложена методика определения положения
слоя и минимальной дозы водородсодержащих доноров, позволяющих уменьшить напряжение
пробоя ...
Добавлено: 7 октября 2020 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., Russian Microelectronics 2019 Vol. 48 No. 7 P. 467–469
Добавлено: 24 марта 2020 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., В кн.: XVIII Научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 24 - 27 июня 2019 года, г. Суздаль, Россия.: НИИСИ РАН, 2019. С. 27–28.
В работе рассматривается использование конструкций КНИ МОПТ с неравномерным легированием канала. С помощью Sentaurus TCAD промоделированы ВАХ КНИ МОПТ с однородным и неравномерным легированием канала (до 50% длины канала), а также зависимость времени задержки КМОП схем на основе исследуемых транзисторов. ...
Добавлено: 15 марта 2020 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Pugachev A. и др., Journal of Physics: Conference Series 2019 Vol. 1353 No. 1 P. 1–7
The complete analysis of I-V characteristics and set of basical parameters (Voc, Jsc, Idark, Pmax, η) for betavoltaic silicon batteries under Nickel-63 irradiation in temperature range 213-330 K is carried out using universal physical TCAD model. The standard TCAD optical generation model was adopted for simulation of electron-hole generation for beta particles irradiation. The pn-junction ...
Добавлено: 10 июня 2019 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., , in: Proceedings of the 2nd International Conference on Microelectronic Devices and Technologies (MicDAT '2019).: Barcelona: International Frequency Sensor Association (IFSA), 2019. P. 24–28.
Добавлено: 4 июня 2019 г.
Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А., , in: 2019 IEEE 22nd International Symposium on Design and Diagnostics of Electronic Circuits & Systems (DDECS).: Cluj: IEEE, 2019. P. 1–4.
Добавлено: 31 мая 2019 г.
Разработана новая TCAD Rad модель для биполярных и МОП транзисторов, учитывающая влияние протонов на основные радиационно-зависимые параметры, такие как время жизни, подвижность, скорость поверхностной рекомбинации и концентрация радиационно-индуцированных ловушек в оксиде. Результаты моделирования показывают хорошую сходимость с экспериментальными данными. ...
Добавлено: 30 января 2019 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., Быков Д. В., Journal of Physics: Conference Series 2019 Vol. 1163 P. 1–6
Добавлено: 22 октября 2018 г.