?
Учет эффекта релаксации упругих напряжений в приборно-технологической модели SiGe/SOI ГМОПТ
С. 253–255.
Данная работа посвящена учёту эффекта релаксации упругих напряжений в структуре SiGe ГМОПТ методом приборно-технологического моделирования.
В книге
М.: МНТОРЭС им. А. С. Попова, 2013.
Рассмотрены варианты конструктивного исполнения n-канального полевого транзистора с управляющим p-n-переходом, интегрируемого в высоковольтный комплементарный биполярный технологический процесс с изоляцией обратносмещенным p-n-переходом. Сформулированы критерии отбора моделей транзисторов по электрическим параметрам. С учетом критериев проведено приборно-технологическое моделирование на подложках объемного кремния. На основе полученных результатов проведен сравнительный анализ n-канального и ранее разработанного р-канального полевых транзисторов. Для оценки ...
Добавлено: 12 сентября 2024 г.
В работе приведены результаты приборно-технологического моделирования электрофизических параметров р-канального полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Рассмотрены три варианта конструкции выполнения, возможных при интеграции в составе высоковольтного комплементарного биполярного технологического процесса. На основе полученных данных выбран оптимальный вариант исполнения полевого транзистора по соотношению статических и динамических параметров. ...
Добавлено: 3 сентября 2024 г.
The structure of experimentally designed solar cells was optimized in terms of the photoactive layer thickness for both organic bulk heterojunction and hybrid perovskite solar cells. The photoactive layer thickness had a totally different behavior on the performance of the organic and hybrid solar cells. Analysis of the optical parameters using transfer matrix modeling within ...
Добавлено: 4 марта 2021 г.
Петросянц К. О., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г.: М.: МАКС Пресс, 2020. С. 35–40.
Рассмотрены методики TCAD и SPICE моделирования для биполярных и МОП-компонентов, изготовленных по базовым технологиям кремниевых ИС/БИС. ...
Добавлено: 5 декабря 2020 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., , in: Proceedings of the 2nd International Conference on Microelectronic Devices and Technologies (MicDAT '2019).: Barcelona: International Frequency Sensor Association (IFSA), 2019. P. 24–28.
Добавлено: 4 июня 2019 г.
, M.V. Kozhukhov, , in: PROBLEMS OF ADVANCED MICRO- AND NANOELECTRONIC SYSTEMS DEVELOPMENT (MES) SELECTED ARTICLES of the VII All-Russia Science&Technology Conference MES-2016 Part IV, Design of Electron Component Base* Part IV: SELECTED ARTICLES of the VII All-Russia Science&Technology Conference MES-2016.: M.: ., 2017. Ch. 1 P. 2–10.
Представлены новые приборно-технологические и схемотехнические модели кремниевых и кремний германиевых биполярных транзисторов, учитывающие влияние облучения нейтронами, протонами и гамма-квантами. Рассмотрена возможность скозного TCAD и SPICE моделирования в рамках проектирования радиационно-стойких интегральных схем. Моделировался полный набор I-V, C-V, fT, fmax характеристик БТ / ГБТ до и после облучения. Результаты TCAD моделирования использовались в качестве входных данных для ...
Добавлено: 25 октября 2017 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., В кн.: Международной форум "Микроэлектроника-2016". 2-я научная конференция "Интегральные схемы и микроэлектронные модули".: М.: Техносфера, 2016. С. 303–308.
В работе с помощью средств TCAD проведено моделирование двух перспективных разновидностей глубоко субмикронных КНИ МОПТ с частично скрытым оксидом (Partial SOI) и L-образным скрытым оксидом (quasi-SOI) с целью оценки их радиационной стойкости и влияния эффекта «саморазогрева». На примере 100 нм КНИ МОП-транзистора показано, что новые структуры (Partial SOI и Quasi-SOI) по сравнению со стандартной КНИ МОПТ структурой ...
Добавлено: 11 октября 2016 г.
Петросянц К. О., В кн.: Сб. трудов Международной конференции "Интегральные схемы и микроэлектронные модули -- проектирование, производство и применение" (Микроэлектроника -- 2015).: М.: Техносфера, 2016. С. 415–431.
Разработаны библиотеки TCAD- и SPICE-моделей интегральных биполярных и МОП-транзисторов, предназначенные для проектирования радиационно-стойких Би-КМОП БИС и учитывающие следующие виды радиационных воздействий: гамма-лучей, нейтронов, электронов, протонов, импульсного излучения и отдельных ядерных частиц (ОЯЧ). ...
Добавлено: 13 апреля 2016 г.
Адонин А. С., Петросянц К. О., М.: Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2022.
Книга посвящена КМОП интегральным схемам (ИС) со структурой «кремний на сапфире», которые являются стратегическим важным направлением создания ИС для экстремальных и ответственных применений и одновременно быстро развивающимся перспективным направлением создания больших ИС (БИС) и систем на кристалле (СнК) для мобильных систем связи. В книге рассмотрены следующие вопросы: специфика интегральных схем со структурой КМОП КНС; требования ...
Добавлено: 5 апреля 2016 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., , in: Proceedings of the 24th European conference on radiation and its effects on components and systems -2015 (RADECS 2015), Moscow, Russia, 14-18 September.: Piscataway: Institute of Electrical and Electronic Engineers, 2015. P. 27–30.
В систему TCAD были добавлены новые полуэмпирические модели для учета эффектов поглощенной дозы, которые зависят от объема, оксида, плотности ловушек на границе HfO2 / Si, подвижности носителей, времени жизни в материале. В работе была исследована структура 45-нм high-k объемного и КНИ МОП транзистора с учетом радиационного воздейсвтия. ...
Добавлено: 18 февраля 2016 г.
К.О. Петросянц, М.В. Кожухов, Известия высших учебных заведений. Электроника 2015 Т. 20 № 6 С. 648–651
Проведено электротепловое моделирование современных структур Si и SiGe биполярных транзисторов с помощью САПР Sentaurus Synopsys. Показано, что для SiGe гетеропереходных биполярных транзисторов, работающих на высоких плотностях тока, наблюдается более высокая рабочая температура по сравнению с идентичными кремниевыми транзисторами при одинаковой рассеиваемой мощности, что приводит к сильной деградации электрофизических параметров прибора и его электрических характеристик. ...
Добавлено: 18 февраля 2016 г.
Konstantin O. Petrosyants, Maxim V. Kozhukhov, , in: Proceedings of the 24th European conference on radiation and its effects on components and systems -2015 (RADECS 2015), Moscow, Russia, 14-18 September.: Piscataway: Institute of Electrical and Electronic Engineers, 2015. P. 9–12.
Проведено исследование деградации характеристик SiGe ГБТ после воздейсвтия протонного излучения с помощью Synopsys Sentaurus. Представлена и добавлена в структуру Synopsys Sentaurus новая модель для для влияния протонного излучения на электрофизические параметры (t, S0, Nit). Используется способ учета влияния протонного излучения базирующийся на аддитивности ионизационных эффектов и эффектов смещения. По результатам сравнения смоделированных и экспериментальных характеристик SiGe ...
Добавлено: 18 февраля 2016 г.
Петросянц К. О., Vologdin E., Кожухов М. В., , in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11).: Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 267–270.
Добавлено: 3 июня 2014 г.
Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А. и др., Известия Южного федерального университета. Технические науки 2012 № 6(131) С. 77–82
В работе представлены математические модели для учёта влияния поглощённой дозы гамма-излучения и интегрального потока нейтронов на характеристики субмикронных транзисторов. Описана процедура встраивания моделей в систему приборно-технологического моделирования Synopsys TCAD. Рассчитаны следующие зависимости: 1) сток-затворные характеристики для верхнего и нижнего затворов и ток утечки МОП-транзистора с длиной затвора 90 нм, изготовленного по технологии кремний на изоляторе, для различных ...
Добавлено: 28 ноября 2012 г.
Петросянц К. О., Орехов Е. В., Самбурский Л. М. и др., Известия высших учебных заведений. Электроника 2010 № 2 (82) С. 81–83
При моделировании случайных сбоев, эффектов узкого канала, токов утечки по боковым изолирующим граням, а также при исследовании влияния топологии транзистора на радиационную стойкость необходимо использовать трехмерное моделирование, так как двумерное моделирование принципиально не может учесть вышеперечисленные эффекты. В настоящей работе представлены результаты трехмерного моделирования радиационных токов утечки в субмикронном частично обедненном n-канальном МОП-транзисторе со структурой ...
Добавлено: 12 апреля 2012 г.
Орехов Е. В., В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 14-ой Российской научно-технической конференции. Суздаль 2012 г.: М.: НИЯУ МИФИ, 2012. С. 8–15.
Описана процедура определения параметров улучшенной электрической подсхемы, подключаемой к SPICE модели КНИ МОП транзистора для учета влияния ОЯЧ, из результатов смешанного моделирования с помощью Synopsys TCAD. По сравнению со стандартной подсхемой, содержащей простой генератор тока с двумя экспонентами, описываемая подсхема является более точной, т.к. учитывает рассасывание заряда трека за счет двух механизмов: рекомбинации избыточных носителей ...
Добавлено: 12 апреля 2012 г.
Петросянц К. О., Торговников Р. А., В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.).: М.: НИЯУ МИФИ, 2010. С. 84–89.
Предложена методика определения паразитных емкостей транзисторной структуры SiGe ГБТ для схемотехнических моделей с помощью САПР приборно-технологического моделирования. ...
Добавлено: 12 апреля 2012 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др., В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.).: М.: НИЯУ МИФИ, 2010. С. 73–78.
Описаны процедура и результаты экстракции емкостных параметров модели BSIMSOI КНИ МОПТ 0,35 мкм с использованием комплекса экстракции IC CAP из результатов приборно-технологического моделирования КНИ КМОП структур в с помощью SYNOPSYS TCAD. ...
Добавлено: 12 апреля 2012 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др., В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.).: М.: НИЯУ МИФИ, 2010. С. 84–89.
В работе представлены результаты применения cредств трехмерного приборно-технологического моделирования для анализа влияния конструктивно-топологических вариантов КНИ МОП-транзисторов на возникающие в них радиационные токи утечки. ...
Добавлено: 12 апреля 2012 г.