?
Математические модели, встроенные в систему TCAD, для учёта влияния гамма- и нейтронного излучения на полупроводниковые приборы
Известия Южного федерального университета. Технические науки. 2012. № 6(131). С. 77–82.
В работе представлены математические модели для учёта влияния поглощённой дозы гамма-излучения и интегрального потока нейтронов на характеристики субмикронных транзисторов. Описана процедура встраивания моделей в систему приборно-технологического моделирования Synopsys TCAD. Рассчитаны следующие зависимости: 1) сток-затворные характеристики для верхнего и нижнего затворов и ток утечки МОП-транзистора с длиной затвора 90 нм, изготовленного по технологии кремний на изоляторе, для различных поглощённых доз гамма- излучения; 2) фактор повреждений от интегрального потока нейтронов для гетеропереходного биполярного транзистора, выполненного по 0,13 мкм технологии кремний-германий.
Приоритетные направления:
инженерные науки
Язык:
русский
Ключевые слова: поглощенная дозаприборно-технологическое моделированиеinstrument-engineering modelingabsorbed dosegamma-radiationintegral neutron fluxMos-transistorsгамма-излучениеинтегральный поток нейтроновМОП-транзисторыгетеропереходные биполярные транзисторыоценивание и обеспечение надежности радиоэлектронной аппаратурывзаимодействие проникающего излучения с твердыми телами
Тукачев Н. В., Bataev V., Abramenkov A. и др., Computational and Theoretical Chemistry 2016 No. 1080 P. 23–32
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Тукачев Н. В., Bataev V. А., Godunov I. А., Journal of Quantitative Spectroscopy and Radiative Transfer 2016 Vol. 177 P. 291–300
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Тукачев Н. В., Bataev V. А., Godunov I. А., Journal of Quantitative Spectroscopy and Radiative Transfer 2017 Vol. 192 P. 30–41
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Тукачев Н. В., Bataev V. A., Godunov I. A., Computational and Theoretical Chemistry 2017 Vol. 1113 P. 82–93
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Тукачев Н. В., Maslennikov D., Sosorev A. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2019 Vol. 10 No. 12 P. 3232–3239
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Тукачев Н. В., Nuraliev M., Parashchuk O. и др., Journal of Chemical Physics 2020 Vol. 153 No. 17 Article 174303
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Тукачев Н. В., Sosorev A., Parashchuk O. и др., Physical Chemistry Chemical Physics 2021 Vol. 23 No. 29 P. 15485–15491
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Тукачев Н. В., González-Jiménez M., Ramakrishnan G. и др., Physical Chemistry Chemical Physics 2021 Vol. 23 No. 23 P. 13250–13260
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Тукачев Н. В., González-Jiménez M., Barnard T. и др., Nature Communications 2023 Vol. 14 Article 215
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Тукачев Н. В., Mali G., Tassieri M. и др., Journal of the American Chemical Society, USA 2023 Vol. 145 No. 48 P. 26061–26067
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Дмитриев А. В., Корнилов В. В., Batienkov R., Lecture Notes in Civil Engineering 2026 Vol. 886 P. 249–255
Добавлено: 13 октября 2026 г.
Дмитриев А. В., Shulman I., Лебедев А. А., Studies in Computational Intelligence 2026 Vol. 1265 P. 266–273
Добавлено: 13 октября 2026 г.
Добавлено: 13 октября 2026 г.
Makarov D. M., Каликин Н. Н., Fashchevsky K. A. и др., Electrochimica Acta 2026 Vol. 579 Article 150159
Добавлено: 13 октября 2026 г.
В данной работе проведено сравнение точности дальнометрии лидарных архитектур прямого времени пролёта (dToF) и вне прямой видимости (NLOS), обе из которых используют сверхпроводящий нанопроволочный детектор одиночных фотонов (SNSPD). Обе системы работают на длине волны 1550 нм с импульсным лазером длительностью 50 пс и методом коррелированного во времени счёта одиночных фотонов (TCSPC). Конфигурация dToF обеспечила точность около 100 мкм ...
Добавлено: 12 октября 2026 г.
Singapore: Springer, 2026.
Добавлено: 12 октября 2026 г.
Дюканов П. А., Кожухов М. В., Попов Д. А. и др., Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника 2026 Т. 201 № 1 С. 28–34
В работе представлены результаты приборно-технологического моделирования биполярных транзисторов на структуре «кремний - оксид кремния - кремний». Сравнение выходных характеристик моделей и образцов транзисторов показало высокую точность разработанной модели. Для улучшения характеристик полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом рассмотрены варианты коррекции конструкции. На основе рассчитанного технологического маршрута проведено моделирование топологии двухзатворного полевого транзистора. ...
Добавлено: 17 сентября 2026 г.
Гущина В. А., / Series chemrxiv-2023-vpzhz-v2 "ChemRxiv". 2023.
Наночастицы полностью неорганических перовскитов CsPbBr3 и Cs4PbBr6 интенсивно изучаются благодаря их уникальным свойствам и широкому спектру применений; однако природа их оптических свойств до сих пор полностью не изучена из-за сложности синтеза однофазных наночастиц. В данной статье мы описываем особенности синтеза однофазных частиц и результаты их химического и фазового анализа. Используя данные о концентрациях наночастиц, мы ...
Добавлено: 14 мая 2026 г.
Добавлено: 20 апреля 2026 г.
Хлынов П. А., Самбурский Л. М., Наноиндустрия 2025 Т. 18 № S11-2 (135) С. 848–854
Учет разброса параметров SPICE-моделей полупроводниковых компонентов при схемотехническом моделировании электронных блоков необходим для более точной оценки пределов их работоспособности в процессе проектирования электронной аппаратуры. Это оказывается особенно важно для аппаратуры, предназначенной для работы в условиях, отличных от нормальных, или тех, к которым предъявляются строгие требования. В данной работе производятся сравнение и анализ различных подходов для ...
Добавлено: 16 сентября 2025 г.