Математические модели, встроенные в систему TCAD, для учёта влияния гамма- и нейтронного излучения на полупроводниковые приборы

Известия Южного федерального университета. Технические науки. 2012. № 6(131). С. 77–82.

Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А., Орехов Е. В.

В работе представлены математические модели для учёта влияния поглощённой дозы гамма-излучения и интегрального потока нейтронов на характеристики субмикронных транзисторов. Описана процедура встраивания моделей в систему приборно-технологического моделирования Synopsys TCAD. Рассчитаны следующие зависимости: 1) сток-затворные характеристики для верхнего и нижнего затворов и ток утечки МОП-транзистора с длиной затвора 90 нм, изготовленного по технологии кремний на изоляторе, для различных поглощённых доз гамма- излучения; 2) фактор повреждений от интегрального потока нейтронов для гетеропереходного биполярного транзистора, выполненного по 0,13 мкм технологии кремний-германий.

Ключевые слова: поглощенная доза, приборно-технологическое моделирование, instrument-engineering modeling, absorbed dose, gamma-radiation, integral neutron flux, Mos-transistors, гамма-излучение, интегральный поток нейтронов, МОП-транзисторы, гетеропереходные биполярные транзисторы, оценивание и обеспечение надежности радиоэлектронной аппаратуры, взаимодействие проникающего излучения с твердыми телами