?
Extension of Standard SPICE SiGe HBT Models in the Cryogenic Temperature Range
P. 1–5.
Кузьмин А. В., Хасанова Э. И., Хасанов С. С., Journal of Experimental and Theoretical Physics 2026 Vol. 169 No. 3 P. 306 –313
Методами рентгеновской дифракции и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии исследованы монокристаллы слоистого органического проводника κ-BEDT-TTF₂Cu₂(CN)₃. Электронная структура проводящего слоя BEDT-TTF₂ и детали его поверхности Ферми проанализированы с помощью квантово-химических расчётов в рамках теории функционала плотности (DFT) на основе модели изолированных положительно заряженных проводящих слоёв в виртуальной среде компенсации заряда. Несмотря на то, что общепринятая стехиометрия для κ-солей ...
Добавлено: 6 мая 2026 г.
Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А. и др., Известия высших учебных заведений. Электроника 2024 Т. 29 № 5 С. 640–657
Операционные усилители широко используются в электронных системах, к которым предъявляются требования по стойкости к воздействию ионизирующих излучений. В связи с этим у разработчика ИС возникает необходимость проводить схемотехническое моделирование с учетом радиационных факторов. Основной проблемой этого метода моделирования операционных усилителей является отсутствие в SPICE-подобных программах адекватных моделей биполярных транзисторов, учитывающих влияние разных видов излучения. Существующие ...
Добавлено: 6 ноября 2025 г.
Petrosyants K. O., Харитонов И. А., Tegin M. S., WSEAS Transactions on Circuits and Systems 2023 Vol. 22 P. 126–134
Добавлено: 6 ноября 2025 г.
Petrosyants K. O., Silkin D. S., D. A. Popov и др., Russian Microelectronics 2024 Vol. 53 No. 7 P. 737–743
Добавлено: 6 ноября 2025 г.
Описан набор разработанных программных и информационных средств для обеспечения сквозного электротеплового моделирования мощных электронных схем на печатных платах с помощью программных средств Comsol, SPICE, «Асоника-ТМ». Представлены примеры сквозного электротеплового моделирования и тепловизионного анализа мощной электронной схемы на печатной плате с использованием вышеупомянутых программных средств. ...
Добавлено: 21 мая 2023 г.
Igor Kharitonov, Gleb Klopotov, Valentin Kobyakov и др., , in: Proceedings of 2022 IEEE Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT).: M.: IEEE, 2022. P. 1–5.
Добавлено: 26 июля 2022 г.
Харитонов И.А., Белопашенцев А.С., Наноиндустрия 2022 Т. 15 № S8-1(113) С. 195–200
С использованием модифицированных SPICE-моделей МОПТ, расширенного пакета SPICE-моделирования с учетом эффектов старения даны количественные оценки усиления влияния эффектов горячих носителей и пробоя подзатворного диэлектрика на характеристики КМОП ОУ, а также время их бессбойной работы при уменьшении минимальных размеров транзисторов от 180 до 28 нм. ...
Добавлено: 7 июля 2022 г.
Zasimov P., Рязанцев С. В., Tyurin D. и др., Monthly Notices of the Royal Astronomical Society 2021 Vol. 506 No. 3 P. 3499–3510
Добавлено: 16 ноября 2021 г.
Кожухов М. В., Мухаметдинова А. Р., Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС) 2021 № 4 С. 81–85
В статье представлена SPICE-модель кремний-германиевого (SiGe) гетеропереходного биполярного транзистора (ГБТ), позволяющая проводить схемотехническое моделирование устройств с учетом влияния горячих носителей заряда на их электрические характеристики. Представленная SPICE‑модель SiGe ГБТ разработана с использованием макромодельного подхода. Ядро представленной макромодели является стандартная SPICE-модель биполярного транзистора (GP, VBIC, HICUM, MEXTRAM), к которой подключены дополнительные элементы, учитывающие влияния эффектов старения при ...
Добавлено: 15 ноября 2021 г.
Зайцев-Зотов С. В., Кон И. А., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2020 Т. 111 № 1 С. 45–49
Представлены результаты изучения поперечного магнетосопротивления дираковского полуметалла InBi с узловой линией. Обнаружено, что магнетосопротивление не является квадратичным. В области малых магнитных полей B < 0.1 Тл оно характеризуется повышенной кривизной, в области средних описывается суммой линейного и квадратичного вкладов, а в области больших магнитных полей B > 1 Тл приближается к квадратичному закону с кривизной, в несколько раз меньшей кривизны вблизи нулевого ...
Добавлено: 28 октября 2021 г.
Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. и др., Наноиндустрия 2020 Т. 13 № S5-2 С. 386–392
С использованием универсального подхода для суб-100 нм МОП-транзисторных структур были разработаны SPICE-модели с учётом радиационных и низкотемпературных эффектов, а также процедура идентификации параметров моделей на основе результатов натурного/машинного эксперимента. Подход состоит в комбинации макромоделирования на базе стандартной модели из состава SPICE-симулятора и введения дополнительных аналитических функций для радиационно-/температурно-зависимых параметров. Возможности разработанных SPICE-моделей и процедуры идентификации ...
Добавлено: 11 апреля 2021 г.
Рязанцев С. В., Zasimov P., Feldman V., Chemical Physics Letters 2020 Vol. 753 Article 137540
Добавлено: 10 февраля 2021 г.
K. O. Petrosyants, M. R. Ismail-Zade, L. M. Sambursky, Russian Microelectronics 2020 Vol. 49 No. 7 P. 501–506
Добавлено: 31 января 2021 г.
Zasimov P., Рязанцев С. В., Tyurin D. и др., Monthly Notices of the Royal Astronomical Society 2020 Vol. 491 No. 4 P. 5140–5150
Добавлено: 21 января 2021 г.
Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г.: М.: МАКС Пресс, 2020. С. 229–232.
В работе представлены SPICE Low-T модели субмикронных КМОП транзисторов, предназначенные для расчета электронных схем в диапазоне криогенной температуры (до 4 К). Разработана процедура экстракции SPICE-параметров Low-T моделей на основе результатов измерений или TCAD-моделирования стандартного набора ВАХ и ВФХ в криогенном диапазоне температуры. ...
Добавлено: 29 ноября 2020 г.
Добавлено: 24 апреля 2020 г.
Ростов н/Д: Издательство Фонд науки и образования, 2018.
В сборнике представлены тезисы докладов, вошедших в программу "38 Совещания по физике низких температур". Последовательность расположения тезисов соответствует последовательности, в которой доклады помещены в программе Совещания. ...
Добавлено: 31 октября 2019 г.
Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М., Известия высших учебных заведений. Электроника 2019 Т. 24 № 2 С. 174–184
Компактные модели JFET-транзисторов, используемые в коммерческих версиях SPICE-подобных программ, ориентированы только на стандартный диапазон температур от –60 до +150 °С и не пригодны для расчета электронных схем в диапазоне криогенных температур (ниже –120 °С). В работе представлена Low-T SPICE-модель JFET для расчета схем в расширенном диапазоне температур, в том числе криогенных (от –200 до +110 °С). Модель учитывает ...
Добавлено: 5 июня 2019 г.