?
SiGe HBT Performance Modeling after Proton Radiation Exposure
P. 274-277.
Исследованы эффекты воздействия протонного излучения на кремний-германиевый гетеропереходный биполярный транзистор (SiGe ГБТ) с использованием САПР Synopsys/ISE TCAD. В программу включена модель деградации времени жизни носителей под действием потока протонов. Представлены результаты воздействия протонов различной энергии. Показано, что для SiGe ГБТ увеличение базового тока оказывается больше при воздействии низкоэнергетических протонов, чем при воздействии высокоэнергетических протонов. Представлены результаты моделирования статических и частотных характерстик SiGe ГБТ после воздействия протонов. Результаты моделирования хорошо согласуются с результатами измерений.
В книге
Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2012
Петросянц К. О., Кожухов М. В., Dvornikov O. и др., , in : 2018 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). Proceedings. : M. : IEEE, 2018. Ch. 380. P. 1-4.
Добавлено: 30 мая 2018 г.
Konstantin O. Petrosyants, Maxim V. Kozhukhov, , in : Proceedings of the 24th European conference on radiation and its effects on components and systems -2015 (RADECS 2015), Moscow, Russia, 14-18 September. : Piscataway : Institute of Electrical and Electronic Engineers, 2015. P. 9-12.
Проведено исследование деградации характеристик SiGe ГБТ после воздейсвтия протонного излучения с помощью Synopsys Sentaurus. Представлена и добавлена в структуру Synopsys Sentaurus новая модель для для влияния протонного излучения на электрофизические параметры (t, S0, Nit). Используется способ учета влияния протонного излучения базирующийся на аддитивности ионизационных эффектов и эффектов смещения. По результатам сравнения смоделированных и экспериментальных характеристик SiGe ...
Добавлено: 18 февраля 2016 г.
50584562, M.V. Kozhukhov, , in : PROBLEMS OF ADVANCED MICRO- AND NANOELECTRONIC SYSTEMS DEVELOPMENT (MES) SELECTED ARTICLES of the VII All-Russia Science&Technology Conference MES-2016 Part IV, Design of Electron Component Base. * Part IV: SELECTED ARTICLES of the VII All-Russia Science&Technology Conference MES-2016.: M. : ., 2017. Ch. 1. P. 2-10.
Представлены новые приборно-технологические и схемотехнические модели кремниевых и кремний германиевых биполярных транзисторов, учитывающие влияние облучения нейтронами, протонами и гамма-квантами. Рассмотрена возможность скозного TCAD и SPICE моделирования в рамках проектирования радиационно-стойких интегральных схем. Моделировался полный набор I-V, C-V, fT, fmax характеристик БТ / ГБТ до и после облучения. Результаты TCAD моделирования использовались в качестве входных данных для ...
Добавлено: 25 октября 2017 г.
Петросянц К. О., Кожухов М. В., IEEE Transactions on Nuclear Science 2016 Vol. 63 No. 4 P. 2016 -2021
Performance degradation of the SiGe HBT after proton irradiation is investigated using a new physical TCAD model built into the Synopsys Sentaurus tool. The general conception of the model is based on the additive effects of ionization and displacement effects influence on transistor base current. New equations for the physical parameters τ, S, Nit taking ...
Добавлено: 8 октября 2016 г.
Петросянц К. О., В кн. : Сб. трудов Международной конференции "Интегральные схемы и микроэлектронные модули -- проектирование, производство и применение" (Микроэлектроника -- 2015). : М. : Техносфера, 2016. С. 415-431.
Разработаны библиотеки TCAD- и SPICE-моделей интегральных биполярных и МОП-транзисторов, предназначенные для проектирования радиационно-стойких Би-КМОП БИС и учитывающие следующие виды радиационных воздействий: гамма-лучей, нейтронов, электронов, протонов, импульсного излучения и отдельных ядерных частиц (ОЯЧ). ...
Добавлено: 13 апреля 2016 г.
Вологдин Э. Н., Лысенко А. П., М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2018
Основным содержанием учебного пособия является:
рассмотрение вопросов влияния радиации, создающей структурные дефекты, на основные параметры биполярных транзисторов,
рассматриваются вопросы, связанные с влиянием ионизационных факторов на работу транзисторов (радиационные переходные процессы),
рассматривается влияние ядерных реакций и быстрого отжига на параметры транзисторов;
дается классификация радиационных эффектов в биполярных транзисторах. ...
Добавлено: 16 марта 2018 г.
Петросянц К. О., Кожухов М. В., В кн. : Труды XXV Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 6-11 июля 2015г.). : М. : ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2015. С. 415-423.
В работе была представлена физическая модель для SiGe ГБТ, которая описывает изменение базового тока в результате облучения потоком протонов. ...
Добавлено: 20 февраля 2016 г.
Добавлено: 19 декабря 2020 г.
Петросянц К. О., В кн. : Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021. : М. : МАКС Пресс, 2021. С. 112-116.
Добавлено: 30 ноября 2021 г.
Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А., В кн. : Международный форум "Микроэлектроника-2017" 3-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и электронные модули". Республика Крым, г. Алушта, 02-07 октября 2017 г. : М. : Техносфера, 2017. С. 344-347.
Разработана новая TCAD Rad модель для биполярных и МОП транзисторов, учитывающая влияние протонов на основные радиационно-зависимые параметры, такие как время жизни, подвижность, скорость поверхностной рекомбинации и концентрация радиационно-индуцированных ловушек в оксиде. Результаты моделирования показывают хорошую сходимость с экспериментальными данными. ...
Добавлено: 18 октября 2017 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Кожухов М. В. и др., , in : 2017 International Workshop on Reliability of Micro- and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment” (IWRMN-EDHE 2017). : Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017. P. 1-3.
Добавлено: 16 октября 2017 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., Кожухов М. В., , in : 2017 International Workshop on Reliability of Micro- and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment” (IWRMN-EDHE 2017). : Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017. P. 1-3.
Добавлено: 16 октября 2017 г.
Влияние различных видов радиации на характеристики кремний-германиевых гетеропереходных транзисторов
Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы 2014 № 1 (232) С. 3-18
Приведён обзор работ по исследованию воздействия ионизирующих излучений (гамма, нейтроны и протоны) на характеристики кремний-германиевых гетеропереходных транзисторов, входящих в состав SiGe БиКМОП БИС четырёх поколений с проектной нормой 0,25; 0,18; 0,13 и 0,09 мкм. Экспериментальные данные объясняются на основе существующих представлений о радиационных эффектах в биполярных транзисторах с учётом особенностей кремний-германиевой гетероструктуры. Показано, что основные ...
Добавлено: 18 сентября 2014 г.
Разработана новая TCAD Rad модель для биполярных и МОП транзисторов, учитывающая влияние протонов на основные радиационно-зависимые параметры, такие как время жизни, подвижность, скорость поверхностной рекомбинации и концентрация радиационно-индуцированных ловушек в оксиде. Результаты моделирования показывают хорошую сходимость с экспериментальными данными. ...
Добавлено: 30 января 2019 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., , in : 2017 International Workshop on Reliability of Micro- and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment” (IWRMN-EDHE 2017). : Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017. P. 1-3.
Добавлено: 16 октября 2017 г.
Вторая часть книги состоит из трех глав. В первой главе второй части книги дается всесторонний теоретический анализ радиационной электропроводности полимеров, излагаются новейшие экспериментальные данные по радиационной электропроводности полимеров и прыжковому транспорту носителей заряда в молекулярно допированных полимерах. Воздействие ионизирующих излучений (быстрых электронов, гамма-квантов, протонов, быстрых и медленных нейтронов и др.) на полимерные диэлектрики (в дальнейшем, ...
Добавлено: 20 апреля 2016 г.
В третьей части книги представлены результаты экспериментальных исследований влияния ионизирующего излучения на изделия электронной техники. Книга предназначена для конструкторов и разработчиков электронной аппаратуры космических аппаратов, она также может быть полезна для научных работников и инженеров, специализирующихся в области электроники и радиационной физики.
Введение. Обеспечение надежной эксплуатации космических аппаратов в космосе сопряжено с решением целого комплекса научно-технических ...
Добавлено: 29 декабря 2017 г.
Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Кожухов М. В. и др., Наноиндустрия 2022 Т. 15 № S8-1(113) С. 183-194
Для компонентов БиКМОП БИС с субмикронными и нанометровыми размерами разработаны версии TCAD- и SPICE-моделей, учитывающие воздействие различных видов радиации, температуры в сверхшироком диапазоне -260...+300°C и старения при длительной эксплуатации. ...
Добавлено: 7 июля 2022 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др., , in : Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12). : Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2012. P. 60-65.
Разработана макромодель EKV-RAD для КНИ/КНС МОП-транзисторов с учётом радиационных эффектов. К стандартной модели EKV 1) добавлены зависимости параметров VTO, GAMMA, KP, E0; 2) подключены стандартные схемные компоненты для учёта эффектов плавающей подложки и токов утечки, вызванных статическим и динамическим радиационным воздействием. Максимальная ошибка моделирования составляет 5-7% в диапазоне дозы до 1 Мрад. Показано, что при ...
Добавлено: 22 января 2013 г.
Петросянц К. О., Кожухов М. В., В кн. : Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г. : М. : МАКС Пресс, 2020. С. 394-397.
Представлена унифицированная SPICE-модель Si БТ/SiGe ГБТ, позволяющая проводить схемотехническое моделирование интегральных схем с учетом воздействия проникающей радиации. Представлены результаты измерений и моделирования электрических характеристик биполярных транзисторов до и после воздействия различных видов радиационного излучения. ...
Добавлено: 5 декабря 2020 г.
Jinshun B., Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017
Добавлено: 16 октября 2017 г.
Петросянц К. О., Наноиндустрия 2018 № 82 С. 42-45
Приведены результаты анализа отечественных и зарубежных работ в области TCAD- и SPICE-моделирования компонентов КМОП, КМОП КНИ, SiGe БиКМОП СБИС, предназначенных для работы в условиях воздействия радиации (нейтроны, электроны, протоны, у- и Х-лучи, ОЯЧ, импульсное воздействие), высоких (до +300°С) и низких (до –200°С) температур. Описаны TCAD и SPICE модели биполярных и МОП транзисторов, а также методы ...
Добавлено: 30 января 2019 г.
Konstantin O. Petrosyants, Харитонов И. А., Самбурский Л. М., , in : EUROSOI-ULIS2015 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon January 26-28, 2015 - Bologna, Italy. : Bologna : IEEE, 2015. P. 305-308.
Добавлено: 12 марта 2015 г.
Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. и др., , in : Proceedings of XV IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'2017). : Piscataway : IEEE, 2017. P. 504-511.
Добавлено: 29 октября 2017 г.