• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Глава

Определение электрофизических параметров высокоомных полупроводников при подсветке образца красным излучением регулируемой интенсивности

С. 441-444.
Лысенко А. П., Голубятников В. А., Григорьев Ф. И., Строганкова Н. И., Белов А. Г.

Известно, что подсветка образца высокомного полупроводникового материала заметно изменяет его электрофизические свойства. Показано, что засветка приконтактных областей образца монохроматическим излучением регулируемой интенсивности с энергией кванта, превышающей ширину запрещённой зоны исследуемого материала, приводит к уменьшению сопротивления образца в ряде случаев на несколько порядков величины. Предложен способ раздельного определения сопротивлений образца и контактов к нему, который был опробован на образце полуизолирующего n-GaAs. Показано, что сопротивление объёма образца и суммарное сопротивление контактов близки между собой и равны приблизительно 5  108 Ом.