?
Моделирование влияния паразитного биполярного транзистора на механизм одиночных сбоев ячейки памяти КНИ КМОП ОЗУ
С. 21–32.
С помощью моделирования подробно исследован механизм одиночных сбоев в структуре ячейки памяти КНИ КМОП ОЗУ с проектными нормами 0.5 и 0.1 мкм. Показано, что сбои могут возникнуть из-за паразитного действия биполярного транзистора, увеличивающего величину суммарного собранного заряда. Проанализированы переходные процессы в КМОП КНИ ячейке памяти при попадании ОЯЧ в различные области структуры запертого n-МОП транзистора.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Силкин Д. С. и др., Наноиндустрия 2024 Т. 17 № S10-1(128) С. 302–312
В статье представлена комбинированная TCAD-SPICE-модель для оценки стойкости ячеек памяти к удару одиночного ядра частицы (ОЯЧ), в которой учитываются физические параметры транзисторов, схемотехника ячейки памяти и параметры ударяющей частицы. Модель и программные средства откалиброваны для технологий КМОП с проектными нормами 90 нм, 65 нм. В работе приведены оценки стойкости ячеек памяти с разными проектными нормами ...
Добавлено: 3 сентября 2024 г.
Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А. и др., Известия высших учебных заведений. Электроника 2023 Т. 28 № 6 С. 826–837
С уменьшением размеров транзисторов возникают условия, когда удар одной частицы затрагивает сразу несколько транзисторов в составе ячейки памяти. Вследствие этого при моделировании недостаточно учитывать один транзистор, в который непосредственно попадает частица. В работе рассмотрена полноразмерная 3D-модель двух n-канальных транзисторов, являющихся частью 6T-ячейки памяти, в которую ударяет заряженная частица. Предложен способ моделирования удара частицы, который позволяет ...
Добавлено: 11 января 2024 г.
Wang Y., Liu F., Li B. и др., IEEE Transactions on Nuclear Science 2021 Vol. 68 No. 8 P. 1660–1667
Добавлено: 26 сентября 2021 г.
Рассмотрены и проанализированы SPICE-модели различной сложности для анализа влияния отдельных тяжелых (ядерных) частиц (ОЯЧ) на КМОП-схемы. Для варианта модели, учитывающей влияние электрического смещения в узле на параметры импульса тока, приведены выражения для оценки основных параметров такой модели в зависимости от параметров частицы и структуры транзисторов. Приведено сравнение параметров всплесков тока для используемой модели и из ...
Добавлено: 16 апреля 2021 г.
, D.A. Popov, Li B. и др., , in: Proceedings of the 3nd International Conference on Microelectronic Devices and Technologies (MicDAT 2020).: Barcelona: International Frequency Sensor Association (IFSA), 2020. Ch. 15 P. 31–34.
Добавлено: 23 марта 2021 г.
Попов Д. А., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г.: М.: МАКС Пресс, 2020. С. 227–229.
Проведено смешанное TCAD-SPICE моделирование удара тяжелой заряженной частица в ячейку памяти на основе КНИ КМОП транзисторов. Исследовалась зависимость критического значения линейных потерь энергии от температуры для трех конфигураций 0,24 мкм КНИ МОП-транзисторов: традиционный КНИ, Selective BOX и Double SOI. Было показано, что отказоустойчивость ячеек на основе Double SOI МОПТ значительно повышается при отрицательном смещении на ...
Добавлено: 5 декабря 2020 г.
K. O. Petrosyants, D. A. Popov, M. R. Ismail-Zade и др., , in: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2020).Вып. 4.: ИППМ РАН, 2020. P. 2–8.
Два типа моделей МОПТ, имеющихся в коммерческих версиях TCAD- и SPICE-симуляторов, дополнены уравнениями для учёта радиационных эффектов. Адекватность моделей иллюстрирована на двух примерах: 1) 0,2 и 0,24 мкм КНИ/DSOI МОПТ с учётом дозовых эффектов и ОЯЧ; 2) 28 нм МОПТ на объёмном кремнии, 45 нм и 28 нм КНИ МОПТ с high‑k диэлектриком с учётом дозовых эффектов. ...
Добавлено: 5 декабря 2020 г.
Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А., , in: 2019 IEEE 22nd International Symposium on Design and Diagnostics of Electronic Circuits & Systems (DDECS).: Cluj: IEEE, 2019. P. 1–4.
Добавлено: 31 мая 2019 г.
Харитонов И. А., В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2018)Вып. 3.: М., Зеленоград: ИППМ РАН, 2018. С. 103–110.
Описаны «электро-термо-рад» модели стойких МОП транзисторов и примеры их использования для SPICE моделирование КМОП ИС с учетом совместного влияния факторов температуры и полученной дозы излучения. ...
Добавлено: 23 октября 2018 г.
Харитонов И. А., В кн.: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия.: М.: НИИСИ РАН, 2017. С. 64–65.
. ...
Добавлено: 13 сентября 2017 г.
Трубочкина Н. К., Качество. Инновации. Образование 2014 № 9 С. 43–53
Описан подход к созданию матриц памяти на основе двух различных алгоритмов построения базовой ячейки памяти – RS–триггера переходной схемотехники. Приведены результаты успешного компьютерного моделирования двух одноослойных наноструктур для матриц памяти с повышенной информационной плотностью. Принципиально важным является однослойная реализация наноструктур запоминающих элементов, что существенно упрощает и удешевляет процесс производства матриц памяти на этих наноструктурах. Отмечается ...
Добавлено: 2 марта 2015 г.
Попов Д. А., Харитонов И. А., В кн.: Фундоментальная наука и технология - перспективные разработки/ Fundamental science and technology - promising developments IIIТ. 3. Вып. III.: CreateSpace, 2014. С. 4–6.
В статьи рассмотрено смешанной TCAD-SPICE моделирование воздействия одиночной заряженной частицы на ячейку памяти, состоящей из КМОП КНИ МОПТ с длиной канала 0.25 мкм. Моделирование производилось при различных температурах окружающей среды (от -100 С до 180 С). Показана важность учета влияния температуры на устойчивость ячеек памяти к сбоям, вызываемым воздействием отдельных тяжелых частиц, т.к. стойкость при повышенной ...
Добавлено: 5 июня 2014 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Попов Д. А., , in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’13).: Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2013. P. 312–315.
Было произведено моделирование одиночных сбоев (SEU) вызванных ударом тяжелых ионов в SOI CMOS SRAM ячейки. Моделирование производилось с использованием смешанного подхода, то есть двухмерная структура полупроводникового прибора моделировалась с помощью САПР TCAD в сочетании с SPICE моделированием схемы. Показано как паразитный биполярный транзистор и положение точки удара иона влияние на сбой SOI CMOS SRAM ячейки ...
Добавлено: 4 октября 2013 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Попов Д. А., В кн.: Труды международной научно-практической конференции "International Scientific – Practical Conference" INNOVATIVE INFORMATION TECHNOLOGIES", Prague, 2013, April 22-26Т. 3.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2013. С. 451–458.
В работе приведены результаты приборно-технологического (TCAD) и схемотехнического (HSPICE) моделирования переходных процессов в ячейках КМОП ИС, изготовленных по технологии «кремний на изоляторе», с учетом влияния эффекта саморазгрева. Исследовано влияние периода входного сигнала на температуры активных областей транзисторов. Электрические и тепловые параметры структур КМОП КНИ транзисторов, полученные на этапе TCAD моделирования, использованы на этапе схемотехнического моделирования ...
Добавлено: 29 апреля 2013 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Орехов Е. В. и др., В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2012. Сборник трудов.: М.: ИППМ РАН, 2012. С. 413–418.
В статье приведены результаты смешанного 3D приборно-схемотехнического моделирования воздействия ОЯЧ на различные области КНИ МОП транзисторов в составе ячейки памяти при масштабировании транзисторов от 0,5 до 0,1 мкм. Показано, что на устойчивость ячейки памяти к воздействию ОЯЧ существенно влияет не только величина критического заряда, но также и место попадания частицы и форма возникающего при этом ...
Добавлено: 2 декабря 2012 г.
Представлена качественно новая 4-слойная полупроводниковая наноструктура запоминающей ячейки в переходной схемотехнике. При использовании данной ячейки памяти в технологическом диапазоне 10 нм (шаг маски) и при минимальной толщине слоя 3 нм можно получать матрицы памяти для суперкомпьютеров с информационной плотностью 10^10 бит/см2 (в одном информационном слое) и рабочей частотой порядка 10^10 Гц. ...
Добавлено: 19 апреля 2012 г.
Орехов Е. В., В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 14-ой Российской научно-технической конференции. Суздаль 2012 г.: М.: НИЯУ МИФИ, 2012. С. 8–15.
Описана процедура определения параметров улучшенной электрической подсхемы, подключаемой к SPICE модели КНИ МОП транзистора для учета влияния ОЯЧ, из результатов смешанного моделирования с помощью Synopsys TCAD. По сравнению со стандартной подсхемой, содержащей простой генератор тока с двумя экспонентами, описываемая подсхема является более точной, т.к. учитывает рассасывание заряда трека за счет двух механизмов: рекомбинации избыточных носителей ...
Добавлено: 12 апреля 2012 г.
Харитонов И. А., В кн.: Труды IX Межотраслевой конференции по радиационной стойкости, Снежинск, Челябинская область, Россия, 12-15 октября 2010 г. РоссияТ. 1.: Снежинск: РФЯЦ-ВНИИТФ, 2010. С. 49–52.
В работе рассматриваются вопросы определения параметров схемотехнических моделей элементов радиационно стойких КНИ БИС с учетом суммарной поглощенной дозы для уровней схемных фрагментов и выше. Описана макромодель КНИ КМОП транзистора для моделирования схем, приведены методика и результаты определения параметров макромодели из результатов радиационных испытаний КМОП КНИ схем. ...
Добавлено: 12 апреля 2012 г.