?
Качественно новая слоистая наноструктура ячейки памяти для суперкомпьютеров
Качество. Инновации. Образование. 2010. № 10. С. 52–55.
Представлена качественно новая 4-слойная полупроводниковая наноструктура запоминающей ячейки в переходной схемотехнике. При использовании данной ячейки памяти в технологическом диапазоне 10 нм (шаг маски) и при минимальной толщине слоя 3 нм можно получать матрицы памяти для суперкомпьютеров с информационной плотностью 10^10 бит/см2 (в одном информационном слое) и рабочей частотой порядка 10^10 Гц.
Гущина В. А., / Series chemrxiv-2023-vpzhz-v2 "ChemRxiv". 2023.
Наночастицы полностью неорганических перовскитов CsPbBr3 и Cs4PbBr6 интенсивно изучаются благодаря их уникальным свойствам и широкому спектру применений; однако природа их оптических свойств до сих пор полностью не изучена из-за сложности синтеза однофазных наночастиц. В данной статье мы описываем особенности синтеза однофазных частиц и результаты их химического и фазового анализа. Используя данные о концентрациях наночастиц, мы ...
Добавлено: 14 мая 2026 г.
Добавлено: 20 апреля 2026 г.
Добавлено: 27 ноября 2024 г.
Influence of anisotropy on the study of critical behavior of spin models by machine learning methods
Суховерхова Д. Д., Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2024. No. 2410.14523.
...
Добавлено: 21 октября 2024 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Силкин Д. С. и др., Наноиндустрия 2024 Т. 17 № S10-1(128) С. 302–312
В статье представлена комбинированная TCAD-SPICE-модель для оценки стойкости ячеек памяти к удару одиночного ядра частицы (ОЯЧ), в которой учитываются физические параметры транзисторов, схемотехника ячейки памяти и параметры ударяющей частицы. Модель и программные средства откалиброваны для технологий КМОП с проектными нормами 90 нм, 65 нм. В работе приведены оценки стойкости ячеек памяти с разными проектными нормами ...
Добавлено: 3 сентября 2024 г.
Добавлено: 20 мая 2024 г.
Каган М. Ю., Аксёнов С. В., / Series Research Square "Research Suqare". 2024. No. 1.
Добавлено: 10 апреля 2024 г.
Ребров Я. В., Глазков В. Н., Murtazoev A. F. и др., / Series cond-mat "arxiv.org". 2023.
Добавлено: 29 января 2024 г.
Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А. и др., Известия высших учебных заведений. Электроника 2023 Т. 28 № 6 С. 826–837
С уменьшением размеров транзисторов возникают условия, когда удар одной частицы затрагивает сразу несколько транзисторов в составе ячейки памяти. Вследствие этого при моделировании недостаточно учитывать один транзистор, в который непосредственно попадает частица. В работе рассмотрена полноразмерная 3D-модель двух n-канальных транзисторов, являющихся частью 6T-ячейки памяти, в которую ударяет заряженная частица. Предложен способ моделирования удара частицы, который позволяет ...
Добавлено: 11 января 2024 г.
Добавлено: 15 сентября 2023 г.
Добавлено: 16 ноября 2022 г.
Ихсанов Р. Ш., Mazur E., Каган М. Ю., / Series "Working papers by Cornell University". 2022. No. 2202.01452.
Добавлено: 4 февраля 2022 г.
Будков Ю. А., Zavarzin S., Kolesnikov A. L., Journal of Physical Chemistry C 2021 Vol. 125 No. 38 P. 21151–21159
Добавлено: 16 сентября 2021 г.
Sanina N., Isaeva U., Utenyshev A. и др., Inorganica Chimica Acta 2021 Vol. 527 Article 120559
Добавлено: 16 сентября 2021 г.
Харитонов И. А., В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2018)Вып. 3.: М., Зеленоград: ИППМ РАН, 2018. С. 103–110.
Описаны «электро-термо-рад» модели стойких МОП транзисторов и примеры их использования для SPICE моделирование КМОП ИС с учетом совместного влияния факторов температуры и полученной дозы излучения. ...
Добавлено: 23 октября 2018 г.
Трубочкина Н. К., М.: Юрайт, 2016.
В учебнике представлены базовые понятия теории переходной схемотехники, необходимые для разработки новой элементной базы суперкомпьютеров различных типов. Теорию переходной схемотехники отличает новая концепция синтеза наноструктур, в которой минимальным компонентом для синтеза является не транзистор, а материал и переход (связь) между материалами.
Приводятся данные экспериментального 2D и3D моделирования физических и электрических процессов в кремниевых переходных наноструктурах с ...
Добавлено: 15 февраля 2018 г.
Трубочкина Н. К., Journal of Physics: Conference Series 2018 Vol. 955 No. 012027 P. 1–6
Abstract. The article is devoted to a new view of the structure of DNA as an intellectual scheme possessing the properties of logic and memory. The theory of transient circuitry, developed by the author for optimal computer circuits, revealed an amazing structural similarity between mathematical models of transition silicon elements and logic and memory circuits ...
Добавлено: 29 января 2018 г.
Трубочкина Н. К., М.: Юрайт, 2016.
В учебнике представлены базовые понятия теории переходной схемотехники, необходимые для разработки новой элементной базы суперкомпьютеров различных типов. Теорию переходной схемотехники отличает новая концепция синтеза наноструктур, в которой минимальным компонентом для синтеза является не транзистор, а материал и переход (связь) между материалами.
Приводятся данные экспериментального 2D и3D моделирования физических и электрических процессов в кремниевых переходных наноструктурах с ...
Добавлено: 13 февраля 2017 г.
Трубочкина Н. К., Качество. Инновации. Образование 2014 № 9 С. 43–53
Описан подход к созданию матриц памяти на основе двух различных алгоритмов построения базовой ячейки памяти – RS–триггера переходной схемотехники. Приведены результаты успешного компьютерного моделирования двух одноослойных наноструктур для матриц памяти с повышенной информационной плотностью. Принципиально важным является однослойная реализация наноструктур запоминающих элементов, что существенно упрощает и удешевляет процесс производства матриц памяти на этих наноструктурах. Отмечается ...
Добавлено: 2 марта 2015 г.
Попов Д. А., Харитонов И. А., В кн.: Фундоментальная наука и технология - перспективные разработки/ Fundamental science and technology - promising developments IIIТ. 3. Вып. III.: CreateSpace, 2014. С. 4–6.
В статьи рассмотрено смешанной TCAD-SPICE моделирование воздействия одиночной заряженной частицы на ячейку памяти, состоящей из КМОП КНИ МОПТ с длиной канала 0.25 мкм. Моделирование производилось при различных температурах окружающей среды (от -100 С до 180 С). Показана важность учета влияния температуры на устойчивость ячеек памяти к сбоям, вызываемым воздействием отдельных тяжелых частиц, т.к. стойкость при повышенной ...
Добавлено: 5 июня 2014 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Орехов Е. В. и др., В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 14-ой Российской научно-технической конференции. Суздаль 2012 г.: М.: НИЯУ МИФИ, 2012. С. 21–32.
С помощью моделирования подробно исследован механизм одиночных сбоев в структуре ячейки памяти КНИ КМОП ОЗУ с проектными нормами 0.5 и 0.1 мкм. Показано, что сбои могут возникнуть из-за паразитного действия биполярного транзистора, увеличивающего величину суммарного собранного заряда. Проанализированы переходные процессы в КМОП КНИ ячейке памяти при попадании ОЯЧ в различные области структуры запертого n-МОП транзистора. ...
Добавлено: 25 марта 2014 г.
Вниманию разработчиков элементной базы представлена качественно новая переходная 4-слойная полупроводниковая структура, реализующая логическую функцию И-НЕ. Структура обладает качественно лучшими параметрами в сравнении с транзисторным аналогом как в микро, так и нанодиапазоне. ...
Добавлено: 19 апреля 2012 г.
Орехов Е. В., В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 14-ой Российской научно-технической конференции. Суздаль 2012 г.: М.: НИЯУ МИФИ, 2012. С. 8–15.
Описана процедура определения параметров улучшенной электрической подсхемы, подключаемой к SPICE модели КНИ МОП транзистора для учета влияния ОЯЧ, из результатов смешанного моделирования с помощью Synopsys TCAD. По сравнению со стандартной подсхемой, содержащей простой генератор тока с двумя экспонентами, описываемая подсхема является более точной, т.к. учитывает рассасывание заряда трека за счет двух механизмов: рекомбинации избыточных носителей ...
Добавлено: 12 апреля 2012 г.