TCAD моделирование сбоеустойчивости SELBOX и DSOI КМОП КНИ ячеек памяти

?

TCAD моделирование сбоеустойчивости SELBOX и DSOI КМОП КНИ ячеек памяти

С. 227–229.

Проведено смешанное TCAD-SPICE моделирование удара тяжелой заряженной частица в ячейку памяти на основе КНИ КМОП транзисторов. Исследовалась зависимость критического значения линейных потерь энергии от температуры для трех конфигураций 0,24 мкм КНИ МОП-транзисторов: традиционный КНИ, Selective BOX и Double SOI. Было показано, что отказоустойчивость ячеек на основе Double SOI МОПТ значительно повышается при отрицательном смещении на нижнем затворе.

Язык: русский

DOI

В книге

Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г.

М.: МАКС Пресс, 2020.

The Study and Determination of Rational Hydraulic Parameters of a Prototype Multi-Gear Pump

Zharkevich O., Berg A., Reshetnikova O. и др., Fluids 2025 Vol. 10 No. 8 Article 211

Добавлено: 6 ноября 2025 г.

How tolerant are hydroids to cimate-change-induced acute spikes in sea water temperature? A case study of arctic Dynamena pumila (L., 1758)

Marfenin N., Vitaly S. Dementyev, Nikolaev E., Hydrobiology (ISSN 2673-9917) Hydrobiology Editorial Office hydrobiology@mdpi.com MDPI, St. Alban-Anlage 66 4052 Basel, Switzerland Tel: +41 61 683 77 34 www.mdpi.com mdpi.com/journal/hydrobiolog 2023 Vol. 2 No. 4 P. 583–601

Добавлено: 6 декабря 2023 г.

Выносливость колониального организма к повышению температуры среды в зависимости от его размеров на примере колониального гидроида Dynamena pumila (L., 1758)

Марфенин Н. Н., Дементьев В. С., Николаев Е. В., Russian Journal of Ecosystem Ecology 2023 Т. 8 № 3

Экспериментально установлено, что выращенные в лаборатории более крупные колонии Dynamena pumila (Hydrozoa, Cnidaria), включающие 10–11 молодых побегов, менее устойчивы к повышению температуры воды до верхнего температурного предела данного вида (25 °С), чем такие же колонии меньшего размера с одним-двумя побегами. При повышении температуры часть гидрантов временно деградирует, а дефицит пищи в большей степени испытывают колонии ...

Добавлено: 6 декабря 2023 г.

Исследование возможностей применения различных промышленных экстракторов для определения параметров SPICE-моделей субмикронных МОПТ в диапазоне температуры до 300°С

Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М., В кн.: Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021.: М.: МАКС Пресс, 2021. С. 117–120.

Исследовались возможности определения параметров SPICE-моделей в расширенном диапазоне температур с помощью трех наиболее распространенных коммерческих экстракторов IC-CAP, MBP и BSIMProPlus. Приведены сравнительные оценки эффективности экстракторов на примере расчета ВАХ МОПТ с учетом температуры до +300°C. ...

Добавлено: 5 ноября 2021 г.

Dependence of Temperature and Back-Gate Bias on Single-Event Upset Induced by Heavy Ion in 0.2-μm DSOI CMOS Technology

Wang Y., Liu F., Li B. и др., IEEE Transactions on Nuclear Science 2021 Vol. 68 No. 8 P. 1660–1667

Добавлено: 26 сентября 2021 г.

Методика определения параметров SPICE-моделей для анализа влияния ОЯЧ на КМОП-схемы при уменьшении размеров транзисторов

Харитонов И. А., Попов Д. А., Рахматуллин Б. А., Наноиндустрия 2020 Т. 13 № S5-2 С. 379–385

Рассмотрены и проанализированы SPICE-модели различной сложности для анализа влияния отдельных тяжелых (ядерных) частиц (ОЯЧ) на КМОП-схемы. Для варианта модели, учитывающей влияние электрического смещения в узле на параметры импульса тока, приведены выражения для оценки основных параметров такой модели в зависимости от параметров частицы и структуры транзисторов. Приведено сравнение параметров всплесков тока для используемой модели и из ...

Добавлено: 16 апреля 2021 г.

TCAD-SPICE Investigation of SEU Sensitivity for SOI and DSOI CMOS SRAM Cells in Temperature Range up to 300 °C

, D.A. Popov, Li B. и др., , in: Proceedings of the 3nd International Conference on Microelectronic Devices and Technologies (MicDAT 2020).: Barcelona: International Frequency Sensor Association (IFSA), 2020. Ch. 15 P. 31–34.

Добавлено: 23 марта 2021 г.

TCAD and SPICE Models for Account of Radiation Effects in Nanoscale MOSFET Structures

K. O. Petrosyants, D. A. Popov, M. R. Ismail-Zade и др., , in: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2020).Вып. 4.: ИППМ РАН, 2020. P. 2–8.

Два типа моделей МОПТ, имеющихся в коммерческих версиях TCAD- и SPICE-симуляторов, дополнены уравнениями для учёта радиационных эффектов. Адекватность моделей иллюстрирована на двух примерах: 1) 0,2 и 0,24 мкм КНИ/DSOI МОПТ с учётом дозовых эффектов и ОЯЧ; 2) 28 нм МОПТ на объёмном кремнии, 45 нм и 28 нм КНИ МОПТ с high‑k диэлектриком с учётом дозовых эффектов. ...

Добавлено: 5 декабря 2020 г.

SPICE-модели JFET и MOSFET в широком диапазоне температур

Исмаил-Заде М. Р., Известия высших учебных заведений. Электроника 2020 Т. 25 № 1 С. 40–47

Схемотехническое проектирование электронных устройств для жестких условий эксплуатации требует наличия SPICE-моделей электронных компонентов, учитывающих влияние сверхнизкой и сверхвысокой температуры окружающей среды. Однако стандартные SPICE-модели компонентов в коммерческих версиях SPICE-подобных симуляторов обеспечивают достаточную точность в ограниченном температурном диапазоне (-60…+150 °С) и не могут применяться для расчета электронных схем в диапазоне температур от сверхнизких до сверхвысоких. В ...

Добавлено: 30 октября 2019 г.

SPICE-модели JFET и MOSFET в широком диапазоне температуры (–200…+300°C)

Исмаил-Заде М. Р., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2019». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, 23-25 сентября 2019 г.: М.: ООО "Спектр", 2019. С. 284–292.

Доработаны компактные SPICE-модели полевых транзисторов со структурой MOSFET и JFET, предназначенные для расчета электронных схем в диапазоне температуры от сверхнизких до сверхвысоких (–200…+300°С). Разработана процедура экстракции параметров SPICE-моделей на основе результатов измерений или приборно-технологического моделирования стандартного набора ВАХ и ВФХ в широком диапазоне температуры. ...

Добавлено: 30 сентября 2019 г.

Radiation- and Temperature-Induced Fault Modeling and Simulation in BiCMOS LSI’s Components using RAD-THERM TCAD Subsystem

Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А., , in: 2019 IEEE 22nd International Symposium on Design and Diagnostics of Electronic Circuits & Systems (DDECS).: Cluj: IEEE, 2019. P. 1–4.

Добавлено: 31 мая 2019 г.