?
Определение параметров схемотехнических моделей элементов КМОП КНИ БИС по результатам радиационных испытаний
С. 49–52.
В работе рассматриваются вопросы определения параметров схемотехнических моделей элементов радиационно стойких КНИ БИС с учетом суммарной поглощенной дозы для уровней схемных фрагментов и выше. Описана макромодель КНИ КМОП транзистора для моделирования схем, приведены методика и результаты определения параметров макромодели из результатов радиационных испытаний КМОП КНИ схем.
В книге
Т. 1. , Снежинск: РФЯЦ-ВНИИТФ, 2010.
K. O. Petrosyants, D. A. Popov, M. R. Ismail-Zade и др., , in: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2020).Вып. 4.: ИППМ РАН, 2020. P. 2–8.
Два типа моделей МОПТ, имеющихся в коммерческих версиях TCAD- и SPICE-симуляторов, дополнены уравнениями для учёта радиационных эффектов. Адекватность моделей иллюстрирована на двух примерах: 1) 0,2 и 0,24 мкм КНИ/DSOI МОПТ с учётом дозовых эффектов и ОЯЧ; 2) 28 нм МОПТ на объёмном кремнии, 45 нм и 28 нм КНИ МОПТ с high‑k диэлектриком с учётом дозовых эффектов. ...
Добавлено: 5 декабря 2020 г.
Andreev D. V., Bondarenko G.G., Andreev V. V. и др., Acta Physica Polonica A 2019 Vol. 36 No. 2 P. 263–266
Добавлено: 5 ноября 2019 г.
Кожухов М. В., Безродных И. П., Морозова Е. И. и др., В кн.: Актуальные проблемы создания космических систем дистанционного зондирования Земли.: М.: АО «Корпорация «ВНИИЭМ», 2016. С. 300–309.
Возможности длительной эксплуатации оборудования на спутниках тесно связаны с
динамикой потоков электронов внешнего радиационного пояса Земли (ВРПЗ), увеличение радиационных нагрузок может приводить к нарушениям работы электронных систем: появлению поверхностных токов и возникновению спонтанных электрических разрядов. Структура потоков электронов ВРПЗ формируется под влиянием целого ряда конкурирующих процессов транспортировки, ускорения и потерь частиц, которые возникают внутри магнитосферы и ...
Добавлено: 31 октября 2019 г.
М.: НИИСИ РАН, 2018.
Сборник содержит программу и тезисы докладов 17-ой Всероссийской научно-технической конференции «Электроника, микро- и наноэлектроника», проводимой в г. Суздаль с 14 по 18 мая 2018 года Федеральным государственным учреждением «Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской Академии наук», а также ООО «Галактический поток», при поддержке Российского Фонда Фундаментальных Исследований (Грант РФФИ № 18-07-20020).
Представленные тезисы отражают широкую панораму деятельности сотрудников ...
Добавлено: 7 ноября 2018 г.
Вологдин Э. Н., Лысенко А. П., М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2018.
Основным содержанием учебного пособия является:
рассмотрение вопросов влияния радиации, создающей структурные дефекты, на основные параметры биполярных транзисторов,
рассматриваются вопросы, связанные с влиянием ионизационных факторов на работу транзисторов (радиационные переходные процессы),
рассматривается влияние ядерных реакций и быстрого отжига на параметры транзисторов;
дается классификация радиационных эффектов в биполярных транзисторах. ...
Добавлено: 16 марта 2018 г.
Вологдин Э. Н., Лысенко А. П., М.: НИУ ВШЭ, 2018.
Основным содержанием учебного пособия является:
рассмотрение вопросов взаимодействия основных видов радиации с твердым телом,
рассматриваются структуры конкретных точечных и групповых радиационных дефектов в кремнии, германии и арсениде галлия,
рассматриваются теоретические предпосылки для расчетов изменения основных электро-физических параметров полупроводников;
дается сводка имеющихся в настоящее время эмпирических зависимостей основных параметров полупроводников от интегрального потока облучения различными видами радиационного воздействия. ...
Добавлено: 15 марта 2018 г.
Kharitonov I. A., , in: Proceedings of XV IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'2017).: Piscataway: IEEE, 2017. P. 1–8.
Добавлено: 29 октября 2017 г.
Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., В кн.: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия.: М.: НИИСИ РАН, 2017. С. 53–54.
. ...
Добавлено: 13 сентября 2017 г.
М.: НИИСИ РАН, 2017.
Сборник содержит программу и тезисы докладов 16-ой Всероссийской научно-технической конференции «Электроника, микро- и наноэлектроника», проводимой в г. Суздаль с 3 по 7 июля 2017 года Федеральным государственным учреждением «Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской Академии наук», Московским научно-техническим обществом радиотехники, электроники и связи имени А.С. Попова при поддержке Российского Фонда Фундаментальных Исследований (Грант ...
Добавлено: 13 сентября 2017 г.
На основании проведенных исследований показана возможность получения конструкционного радиационно-защитного композиционного материала, упрочняемого при радиационно-термических нагрузках. Воздействие высоких доз гамма облучения приводит к образованию в цементно-магнетито-серпентинитовом композите однокальциевого феррита СаFe2O4, обладающего высокой физической и рентгеновской плотностью, что определяет радиационное упрочнение композита и повышение его механической прочности вплоть до дозовой нагрузки 10 МГр. При радиационном γ-облучении защитного ...
Добавлено: 17 мая 2017 г.
Абрамешин Д. А., Звездов Д. С., Системный администратор 2016 № 163 С. 93–95
В данной работе рассмотрена математическая модель Роуза-Фаулера-Вайcберга, которая анализирует радиационную электропроводность полимерных пленок при облучении электронами низких энергий. В ходе проведенных исследований было разработано специальное программное обеспечение в математической среде MathCAD, которое позволяет проводить расчеты по поглощенной дозе, полевой зависимости и частотному фактору радиационной электропроводности. Данное программное обеспечение используется для проведения экспериментов в лаборатории функциональной ...
Добавлено: 6 марта 2017 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., В кн.: Международной форум "Микроэлектроника-2016". 2-я научная конференция "Интегральные схемы и микроэлектронные модули".: М.: Техносфера, 2016. С. 303–308.
В работе с помощью средств TCAD проведено моделирование двух перспективных разновидностей глубоко субмикронных КНИ МОПТ с частично скрытым оксидом (Partial SOI) и L-образным скрытым оксидом (quasi-SOI) с целью оценки их радиационной стойкости и влияния эффекта «саморазогрева». На примере 100 нм КНИ МОП-транзистора показано, что новые структуры (Partial SOI и Quasi-SOI) по сравнению со стандартной КНИ МОПТ структурой ...
Добавлено: 11 октября 2016 г.
Radiation resistance of structural radiation-protective composite material based on magnetite matrix
Yastrebinskii R. N., Бондаренко Г. Г., Pavlenko V. I., Inorganic Materials: Applied Research 2016 Vol. 7 No. 5 P. 718–723
Добавлено: 21 сентября 2016 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др., В кн.: 19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016».: ФГУП "НИИП", 2016. С. 97–98.
С помощью 2D TCAD моделирования исследован тиристорный эффект, вызванный прохождением тяжелой заряженной частицы (ТЗЧ) через структуру традиционного (объемного) КМОП инвертора и инвертора, выполненного по технологии с дополнительными слоями диэлектрической изоляции, окружающими области стока и истока (“quasi-SOI” with L-type isolation). Показано, что пороговое значение ЛПЭ, вызывающее защелкивание паразитной тиристорной структуры для классической объемной технологии составляет 25 МэВ·см2/мг, ...
Добавлено: 20 июня 2016 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Попов Д. А. и др., В кн.: 19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016».: ФГУП "НИИП", 2016. С. 56–57.
Представлены результаты совместного приборно-технологического (TCAD)-схемотехнического (SPICE) моделирования устойчивости ячейки памяти, изготовленной по высокотемпературной КНИ КМОП технологии (0.35 мкм) к воздействию тяжелых частиц при повышенной температуре. Показано, что устойчивость ячейки памяти заметно снижается при увеличении температуры от комнатной до 300°С. ...
Добавлено: 20 июня 2016 г.
ФГУП "НИИП", 2016.
Настоящий научно-технический сборник содержит тезисы устных и стендовых докладов 19-ой Всероссийской научно-технической конференции "Стойкость-2016", г. Лыткарино, 7-8 июня 2016 г. ...
Добавлено: 20 июня 2016 г.
Теоретически и экспериментально исследовано воздействие быстрых электронов с энергией
0,5 – 6,2 МэВ при флюенсе 1018 электронов/см2 и γ-источников 60Со (Е = 1,25 МэВ) при поглощенной
дозе 0,1 – 25 МГр на радиационно-защитные композиты на основе магнетитовой матрицы,
используемые для биологической защиты атомного реактора. Исследована глубина
проникновения электронного пучка и характер распределения поглощенной дозы быстрых
электронов по толщине защитного композита. ...
Добавлено: 18 мая 2016 г.
Адонин А. С., Петросянц К. О., М.: Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2022.
Книга посвящена КМОП интегральным схемам (ИС) со структурой «кремний на сапфире», которые являются стратегическим важным направлением создания ИС для экстремальных и ответственных применений и одновременно быстро развивающимся перспективным направлением создания больших ИС (БИС) и систем на кристалле (СнК) для мобильных систем связи. В книге рассмотрены следующие вопросы: специфика интегральных схем со структурой КМОП КНС; требования ...
Добавлено: 5 апреля 2016 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др., Информационные технологии 2015 Т. 21 № 12 С. 916–922
Возможности коммерческих SPICE-симуляторов электронных схем расширены в новую область – расчёт схем космической электроники. С этой целью в библиотеки моделей коммерческих версий программы SPICE включён набор моделей биполярных и МОП-транзисторов, учитывающих воздействие различных видов радиации (гамма-лучей, протонов, нейтронов, электронов, одиночных заряженных частиц). Приведены примеры расчёта биполярных и МОП-интегральных схем с учётом требований радиационной стойкости. ...
Добавлено: 25 февраля 2016 г.
Петросянц К. О., В кн.: Международная конференция «Микроэлектроника 2015». Сборник тезисов. г.Алушта, Крым, 28 сентября - 3 октября 2015 г.: М.: Техносфера, 2015. С. 215–216.
Разработаны библиотеки TCAD- и SPICE-моделей интегральных биполярных и МОП-транзисторов, предназначенные для проектирования радиационно-стойких Би-КМОП БИС и учитывающие следующие виды радиационных воздействий: гамма-лучей, нейтронов, электронов, протонов, импульсного излучения и отдельных ядерных частиц (ОЯЧ). ...
Добавлено: 16 февраля 2016 г.
Лыткарино МО: [б.и.], 2015.
Настоящий научно-технический сборник содержит тезисы докладов 18 Всероссийской технической научно-конференции по радиационной стойкости электронных систем "Стойкость 2015" ...
Добавлено: 18 сентября 2015 г.
Артюхова М. А., T-Comm: Телекоммуникации и транспорт 2014 Т. 8 № 10 С. 10–12
Радиоэлектронная аппаратура космических аппаратов (РАЭ КА) при эксплуатации подвергается воздействию ионизирующего излучения космического пространства (ИИ КП), что является дополнительной причиной отказов. На настоящий момент принято раздельно оценивать надежность РЭА и ее радиационную стойкость, не смотря на то, что эти явления взаимосвязаны. Целью статьи является оценка влияния ИИ КП на показатели надежности СВЧ-устройств, а именно на ...
Добавлено: 4 декабря 2014 г.