Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 14-ой Российской научно-технической конференции. Суздаль 2012 г.

М. : НИЯУ МИФИ, 2012.

Научный редактор: Стенин В. Я.

Сборник научных трудов содержит статьи по материалам докладов 14-й Российской научно-технической конференции «Электроника, микро и наноэлектроника» (г. Суздаль, 26 – 29 июня 2012 г.). 

Представленные работы выполнены преподавателями, научными сотрудниками, аспирантами и студентами НИЯУ МИФИ, а также специалистами других вузов и научно-исследовательских организаций.

Сборник предназначен для специалистов, аспирантов и студентов, интересующихся работами в области современной электроники.

Главы книги

Определение параметров электрической подсхемы, подключаемой к SPICE модели МОП транзистора для учета влияния ОЯЧ

Орехов Е. В., В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 14-ой Российской научно-технической конференции. Суздаль 2012 г.: М.: НИЯУ МИФИ, 2012. С. 8–15.

Описана процедура определения параметров улучшенной электрической подсхемы, подключаемой к SPICE модели КНИ МОП транзистора для учета влияния ОЯЧ, из результатов смешанного моделирования с помощью Synopsys TCAD. По сравнению со стандартной подсхемой, содержащей простой генератор тока с двумя экспонентами, описываемая подсхема является более точной, т.к. учитывает рассасывание заряда трека за счет двух механизмов: рекомбинации избыточных носителей ...

Добавлено: 12 апреля 2012 г.

Моделирование структуры SiGe гетеропереходного биполярного транзистора с учетом эффекта саморазогрева

Петросянц К. О., Торговников Р. А., В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 14-ой Российской научно-технической конференции. Суздаль 2012 г.: М.: НИЯУ МИФИ, 2012. С. 267–273.

С помощью приборно-технологической САПР проведено электро-тепловое моделирование современных п/п структур SiGe ГБТ. Показано, что для приборов, работающих с высокими плотностями тока и/или удельной мощности, наличие в структурах диэлектрической щелевой изоляции существенно ограничивает возможности отвода тепла, что повышает рабочую температуру приборов и приводит к деградации электрических параметров. ...

Добавлено: 12 апреля 2012 г.

Макромодель EKV-RAD для КНИ/КНС МОП-транзисторов, учитывающая радиационные эффекты

Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др., В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 14-ой Российской научно-технической конференции. Суздаль 2012 г.: М.: НИЯУ МИФИ, 2012. С. 8–20.

Описана макромодель EKV-RAD для КНИ/КНС МОП-транзисторов, построенная на базе стандартной модели EKV. Макромодель дополнительно учитывает эффекты плавающей подложки и различных видов радиационного воздействия и легко встраивается в программу SPICE и её разновидности. Макромодель опробована на конкретных примерах расчёта аналоговых и цифровых узлов радиационно стойких КНИ/КНС КМОП БИС и обеспечивает достаточную для практических применений точность. ...

Добавлено: 21 марта 2014 г.

Моделирование влияния паразитного биполярного транзистора на механизм одиночных сбоев ячейки памяти КНИ КМОП ОЗУ

Петросянц К. О., Харитонов И. А., Орехов Е. В. и др., В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 14-ой Российской научно-технической конференции. Суздаль 2012 г.: М.: НИЯУ МИФИ, 2012. С. 21–32.

С помощью моделирования подробно исследован механизм одиночных сбоев в структуре ячейки памяти КНИ КМОП ОЗУ с проектными нормами 0.5 и 0.1 мкм. Показано, что сбои могут возникнуть из-за паразитного действия биполярного транзистора, увеличивающего величину суммарного собранного заряда. Проанализированы переходные процессы в КМОП КНИ ячейке памяти при попадании ОЯЧ в различные области структуры запертого n-МОП транзистора. ...

Добавлено: 25 марта 2014 г.