Применение пакетов программ TCAD и HSPICE для анализа переходных процессов в ячейках КМОП ИС с учетом влияния эффекта саморазгрева

К. О. Петросянц; И. А. Харитонов; Д. А. Попов

?

Применение пакетов программ TCAD и HSPICE для анализа переходных процессов в ячейках КМОП ИС с учетом влияния эффекта саморазгрева

С. 451–458.

Петросянц К. О., Харитонов И. А., Попов Д. А.

В работе приведены результаты приборно-технологического (TCAD) и схемотехнического (HSPICE) моделирования переходных процессов в ячейках КМОП ИС, изготовленных по технологии «кремний на изоляторе», с учетом влияния эффекта саморазгрева. Исследовано влияние периода входного сигнала на температуры активных областей транзисторов. Электрические и тепловые параметры структур КМОП КНИ транзисторов, полученные на этапе TCAD моделирования, использованы на этапе схемотехнического моделирования составленных из этих транзисторов схем.

Язык: русский

Полный текст

Ключевые слова: КМОП КНИ БИС SYNOPSYS TCAD HSPICE кремний на изоляторе эффект саморазогревва моделирование схем

ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:

Разработка методов многоуровневого исследования и моделирования элементов перспективных изделий микроэлектроники от уровня материала до уровня схем с повышенной стойкостью к температурным и радиационным воздействиям (2013)

В книге

Труды международной научно-практической конференции "International Scientific – Practical Conference" INNOVATIVE INFORMATION TECHNOLOGIES", Prague, 2013, April 22-26

Т. 3. , М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2013.

Dependence of Temperature and Back-Gate Bias on Single-Event Upset Induced by Heavy Ion in 0.2-μm DSOI CMOS Technology

Wang Y., Liu F., Li B. и др., IEEE Transactions on Nuclear Science 2021 Vol. 68 No. 8 P. 1660–1667

Добавлено: 26 сентября 2021 г.

Моделирование влияния паразитного биполярного транзистора на механизм одиночных сбоев ячейки памяти КНИ КМОП ОЗУ

Петросянц К. О., Харитонов И. А., Орехов Е. В. и др., В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 14-ой Российской научно-технической конференции. Суздаль 2012 г.: М.: НИЯУ МИФИ, 2012. С. 21–32.

С помощью моделирования подробно исследован механизм одиночных сбоев в структуре ячейки памяти КНИ КМОП ОЗУ с проектными нормами 0.5 и 0.1 мкм. Показано, что сбои могут возникнуть из-за паразитного действия биполярного транзистора, увеличивающего величину суммарного собранного заряда. Проанализированы переходные процессы в КМОП КНИ ячейке памяти при попадании ОЯЧ в различные области структуры запертого n-МОП транзистора. ...

Добавлено: 25 марта 2014 г.

Coupled TCAD-SPICE Simulation of Parasitic BJT Effect on SOI CMOS SRAM SEU

Петросянц К. О., Харитонов И. А., Попов Д. А., , in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’13).: Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2013. P. 312–315.

Было произведено моделирование одиночных сбоев (SEU) вызванных ударом тяжелых ионов в SOI CMOS SRAM ячейки. Моделирование производилось с использованием смешанного подхода, то есть двухмерная структура полупроводникового прибора моделировалась с помощью САПР TCAD в сочетании с SPICE моделированием схемы. Показано как паразитный биполярный транзистор и положение точки удара иона влияние на сбой SOI CMOS SRAM ячейки ...

Добавлено: 4 октября 2013 г.

Si BJT and SiGe HBT Performance Modeling after Neutron Radiation Exposure

, Торговников Р. А., Вологдин Э. Н. и др., , in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11).: Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 267–270.

С помощью Synopsys TCAD промоделированы эффекты воздействия нейтронного излучения на кремниевые и SiGe биполярные транзисторы. В модель включена деградация времени жизни от облучения. Результаты моделирования согласуются с результатами экспериментальных исследований. ...

Добавлено: 12 апреля 2012 г.

Определение емкостных параметров модели BSIMSOI из результатов приборно-технологического моделирования

Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др., В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.).: М.: НИЯУ МИФИ, 2010. С. 73–78.

Описаны процедура и результаты экстракции емкостных параметров модели BSIMSOI КНИ МОПТ 0,35 мкм с использованием комплекса экстракции IC CAP из результатов приборно-технологического моделирования КНИ КМОП структур в с помощью SYNOPSYS TCAD. ...

Добавлено: 12 апреля 2012 г.

Определение параметров схемотехнических моделей элементов КМОП КНИ БИС по результатам радиационных испытаний

Харитонов И. А., В кн.: Труды IX Межотраслевой конференции по радиационной стойкости, Снежинск, Челябинская область, Россия, 12-15 октября 2010 г. РоссияТ. 1.: Снежинск: РФЯЦ-ВНИИТФ, 2010. С. 49–52.

В работе рассматриваются вопросы определения параметров схемотехнических моделей элементов радиационно стойких КНИ БИС с учетом суммарной поглощенной дозы для уровней схемных фрагментов и выше. Описана макромодель КНИ КМОП транзистора для моделирования схем, приведены методика и результаты определения параметров макромодели из результатов радиационных испытаний КМОП КНИ схем. ...

Добавлено: 12 апреля 2012 г.