?
Исследование структурных и оптических свойств InGaAs-квантовых точек
Физика и техника полупроводников. 2024. Т. 58. № 6. С. 318–325.
Проведена отработка режимов формирования квантовых точек InxGa1−xAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Показано, что снижение содержания индия в структурах с InGaAs-квантовыми точками приводит к уменьшению длины волны излучения основного состояния и насыщению зависимости. Использование квантовых точек, сформированных из слоя In0.5Ga0.5As, позволяет реализовать фотолюминесценцию при температуре 13 K с максимумом вблизи 995 нм и характерной полушириной пика ФЛ ∼ 57 мэВ, при этом в данном массиве квантовых точек эффекта бимодальности не обнаружено. Полученные структуры с In0.5Ga0.5As-квантовыми точками продемонстрировали высокую пиковою интенсивность фотолюминесценции при температуре 300 K, что позволяет использовать данный тип активных областей для формирования вертикальных микрорезонаторов для последующей реализации схемы резервуарных вычислений.
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
Добавлено: 26 июня 2026 г.
Полькин А. В., Skvortsov M., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 113 Article 174516
Добавлено: 25 июня 2026 г.
Skvortsov M., Artem Polkin, Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 113 No. 10 Article 100502
Добавлено: 25 июня 2026 г.
Деменев А. А., Терешко С. Н., Гиппиус Н А и др., Известия РАН. Серия физическая Россия 2025 Т. 89 № 2 С. 265–273
В диапазоне длительностей до 1.5 нс исследована временная эволюция поляризованных спектров излучения спинорных экситон-поляритонных конденсатов в двойных туннельно-связанных потенциальных ловушках в высокодобротном GaAs/AlAs микрорезонаторе при T = 2 К, резонансно возбуждаемых пикосекундными лазерными импульсами. Получена оценка для времени спиновой релаксации конденсатов в двойной ловушке τS ≈ 10 нс. Обсуждается влияние туннельного взаимодействия и анизотропии потенциала ловушек ...
Добавлено: 23 июня 2026 г.
Абрамов-Максимов В. Е., И.А. Бакунина, Геомагнетизм и аэрономия 2026 Т. 66 № 3 С. 515–529
Проанализировано 8 вспышечных событий по данным многочастотных наблюдений сети радиотелескопов Radio Solar Telescope Network. Целью анализа было выявление предвестников солнечных вспышек. В семи рассмотренных случаях выявлены предвспышечные квазипериодические флуктуации радиоизлучения. Сделанная по вейвлет-спектрам оценка квазипериодов дает в большинстве случаев значения 40–50 сек. В одном событии с большой вспышкой класса M8.0 квазипериодические флуктуации не проявились. В ...
Добавлено: 22 июня 2026 г.
Рассмотрена связь особенностей положения и ориентации магнитных жгутов в активной области (АО) с источниками микроволнового (17 ГГц) излучения и излучения в крайнем ультрафиолетовом диапазоне (EUV) при возникновении эруптивных вспышек, сопровождающихся корональными выбросами массы, и вспышек с "запертой" эрупцией. Приведены примеры эруптивных событий, демонстрирующие пространственное совпадение микроволновых источников с расположением магнитных жгутов в АО, восстановленных при ...
Добавлено: 22 июня 2026 г.
Г. Г. Бондаренко, Кристя В. И., Савичкин Д. О. и др., Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 2026 № 4 С. 29–36
Сформулирована модель тлеющего газового разряда в смеси аргона и паров ртути при наличии
на поверхности катода тонкой диэлектрической пленки. Рассчитаны зависимости характеристик
разряда от температуры в интервале ее изменения, в котором заметный вклад в ионизацию
рабочей газовой смеси дает ионизация атомов ртути метастабильными возбужденными атомами
аргона (реакция Пеннинга). Показано, что в случае катода без диэлектрической пленки при
повышении температуры до ...
Добавлено: 20 июня 2026 г.
Chertenkov V. I., Щур Л. Н., Lobachevskii Journal of Mathematics 2026 Vol. 47 No. 2 P. 720–727
Добавлено: 16 июня 2026 г.
Батурин А. С., Гаврилов В. Р., Иванов А. В. и др., Измерительная техника 2026 Т. 75 № 2 С. 14–28
28 декабря 2025 года Всероссийскому научно-исследовательскому институту оптико-физических измерений (ВНИИОФИ) исполнилось 60 лет. За прошедшие десятилетия институт выполнил значительное количество научных исследований, разработал и поставил потребителям тысячи высокоточных средств оптико-физических измерений (включая эталонное оборудование). В статье представлены наиболее значимые для метрологического обеспечения оптико-физических измерений результаты научно-исследовательских работ, выполненных ВНИИОФИ за период 2016–2025 гг. ...
Добавлено: 15 июня 2026 г.
Качество формируемого оптической системой изображения определяется её частотно-контрастной характеристикой или коэффициентами передачи модуляции на различных пространственных частотах. Для обеспечения единства измерений коэффициентов передачи модуляции и создания эталонной базы по воспроизведению, хранению и передаче единицы коэффициента передачи модуляции усовершенствован Государственный первичный эталон единиц оптической силы очковой оптики ГЭТ 205-2013 в части воспроизведения единицы коэффициентов передачи модуляции ...
Добавлено: 15 июня 2026 г.
Filippova A. V., Yurchenko N. Y., Smirnov S. A. и др., Journal of Alloys and Compounds 2026 No. 1074 Article 189162
Добавлено: 12 июня 2026 г.
Спонтанное образование скин-слоя в воде с деформацией ОН-полосы КР вкладом компоненты льда 3200 см-1
Першин С. М., Степанов Е. В., Артемова Д. Г. и др., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2026 Т. 123 № 6 С. 383–390
Открыто спонтанное образование в течение 4 ч скин-слоя дистиллированной воды толщиной до 3 мм при комнатной температуре с новыми свойствами. Обнаружены деформация ОН-полосы комбинационного рассеяния вкладом компоненты льда ( 3200 см-1), снижение коэффициента упругого рассеяния и его флуктуаций, а также увеличение на 20 капиллярах. Восстановление слоя после обогащения воздухом в результате перемешивания указывает на стабильность ...
Добавлено: 8 июня 2026 г.
N.S. Artekha, D.R. Shklyar, Physics of Plasmas 2026 Vol. 33 No. 6 Article 062105
Добавлено: 6 июня 2026 г.
Zirnik G., Остовари М. А., Zhukov S. и др., Journal of Materials Science: Materials in Electronics 2026 Vol. 37 Article 738
Добавлено: 6 июня 2026 г.
Flamarion M. V., Пелиновский Е. Н., Nonlinear Dynamics 2026 Vol. 114 Article 784
Добавлено: 5 июня 2026 г.
Добавлено: 4 июня 2026 г.
Babichev A. V., Papylev D. S., S. D. Komarov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2024 Vol. 17 No. 3.1 P. 233–237
Добавлено: 14 мая 2025 г.
Solodovnik M., Balakirev S., Ivan S. Makhov и др., Applied Surface Science 2025 Vol. 700 Article 163211
Добавлено: 17 апреля 2025 г.
Balakirev S. V., Махов И. С., Kirichenko D. V. и др., Optical Materials 2025 Vol. 163 Article 116964
We reveal a strong dependence of optical properties of InAs quantum dots (QDs) on the As/Ga flux ratio used
during the overgrowth with a low-temperature GaAs layer. Evaluating various characteristics of the photoluminescence
spectra, we determine an optimal As/Ga flux ratio which allows formation of QDs emitting at the
longest wavelengths, with the highest intensity and the largest ...
Добавлено: 17 апреля 2025 г.
Бабичев А. В., Пирогов Е. В., Соболев М. С. и др., Физика и техника полупроводников 2022 Т. 56 № 10 С. 1002–1010
Представлены результаты исследования азотсодержащих активных областей на основе сверхрешеток, выращенных на подложках GaAs. Активные области на основе чередующихся слоев InAs и GaAsN сформированы методом молекулярно-пучковой эпитаксии c плазменным источником азота. На основе анализа рентгенодифракционных кривых качания проведены оценки толщин и среднего состава слоев сверхрешеток. Исследование темнопольных изображений, полученных методом просвечивающей электронной микроскопии, показало наличие интердиффузии ...
Добавлено: 1 ноября 2024 г.
Gridchin V., Kotlyar K., Ubyivovk E. и др., ACS Applied Nano Materials 2024 Vol. 7 No. 15 P. 17460–17468
Выполнено исследование синтеза InGaN соединений в режиме трехмерного роста. Впервые показано, что самоорганизация при росте InGaN приводит к формированию структуры ядро-оболочка нанопроволок, нанотрубок, фазы цинковой обманки (ZB) и наноцветов. Обнаружено, что нитевидный нанокристал InGaN ядро-оболочка формируется на самом начальном этапе роста. Увеличение времени роста приводит к диффузии индия из ядер ННК и их накопление на ...
Добавлено: 18 октября 2024 г.
Махов И. С., Крыжановская Н. В., Драгунова А. С. и др., Journal of Luminescence 2024 Vol. 276 Article 120819
One drawback of self-organized quantum dots is their low optical gain. The development of new shaping methods that would allow higher gain, for example, due to a higher surface density of the QD array, remains an important task to date. In the present work, arrays of quantum dots have been formed by substituting phosphorous atoms ...
Добавлено: 27 августа 2024 г.
Андрюшкин В. В., Драгунова А. С., Комаров С. Д. и др., Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики 2022 Т. 22 № 5 С. 921–928
Предмет исследования. Представлены результаты исследования оптических свойств низкоплотных квантовых точек InGaPAs. Показано влияние на оптические и структурные свойства квантовых точек низких температур и параметров термического отжига. Метод. Квантовые точки InGaPAs получены методом молекулярно- пучковой эпитаксии за счет замещения фосфора на мышьяк в тонком слое InGaP непосредственно в процессе эпитаксиального роста. Оптические свойства квантовых точек InGaPAs ...
Добавлено: 3 июня 2024 г.