?
Исследование структурных и оптических свойств InGaAs-квантовых точек
Физика и техника полупроводников. 2024. Т. 58. № 6. С. 318–325.
Проведена отработка режимов формирования квантовых точек InxGa1−xAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Показано, что снижение содержания индия в структурах с InGaAs-квантовыми точками приводит к уменьшению длины волны излучения основного состояния и насыщению зависимости. Использование квантовых точек, сформированных из слоя In0.5Ga0.5As, позволяет реализовать фотолюминесценцию при температуре 13 K с максимумом вблизи 995 нм и характерной полушириной пика ФЛ ∼ 57 мэВ, при этом в данном массиве квантовых точек эффекта бимодальности не обнаружено. Полученные структуры с In0.5Ga0.5As-квантовыми точками продемонстрировали высокую пиковою интенсивность фотолюминесценции при температуре 300 K, что позволяет использовать данный тип активных областей для формирования вертикальных микрорезонаторов для последующей реализации схемы резервуарных вычислений.
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
Zirnik G., Остовари М. А., Zhukov S. и др., Journal of Materials Science: Materials in Electronics 2026 Vol. 37 Article 738
Добавлено: 6 июня 2026 г.
Flamarion M. V., Пелиновский Е. Н., Nonlinear Dynamics 2026 Vol. 114 Article 784
Добавлено: 5 июня 2026 г.
Добавлено: 4 июня 2026 г.
Kornbleuth M., Opher M., Drake J. F. и др., Astrophysical Journal 2026 Vol. 1004 No. 1 Article 1
Добавлено: 3 июня 2026 г.
Добавлено: 2 июня 2026 г.
Fortuna A. S., A.I. Kartsev, Gorshenkov M. V. и др., Journal of Alloys and Compounds 2026 Vol. 1070 Article 188711
Добавлено: 2 июня 2026 г.
Dikhtievskaya K., Argunov E., Карцев А. И. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2026 Vol. 17 No. 17 P. 4999–5004
Добавлено: 2 июня 2026 г.
Duran E. ., Pulgar A., Izquierdo R. и др., Physica Status Solidi (A) Applications and Materials 2026 Vol. 223 No. 7 Article e202500942
Добавлено: 1 июня 2026 г.
Борисов В. Д., Данилов В. Г., Электросвязь 2025 № 12 С. 73–84
Представлены результаты математического моделирования процесса полевой эмиссии из катода малых размеров – одного из основных физических процессов, обеспечивающих работы многих электронных устройств, в частности FED-дисплеев (устройства, работающие на принципе полевой эмиссии), кантилеверов и т.д. Дается краткий обзор текущих результатов в области исследования, обосновывается актуальность задачи, приводятся примеры наиболее вероятного использования результатов решения задачи. Обсуждаются физические ...
Добавлено: 29 мая 2026 г.
Jiang Q., Fang J., Chen J. и др., Science China Information Sciences 2026 Vol. 69 No. 6 Article 162402
Resonators based on nanoelectromechanical systems (NEMS) using two-dimensional (2D) materials with high-quality factors and excellent electrical control are critical for tunable coherent phonon dynamics, resonant sensors and wireless communications. However, their performance is fundamentally limited by the lack of a unified framework governing energy dissipation mechanisms and their electrical tunability. Here, we synergistically modulate both ...
Добавлено: 28 мая 2026 г.
Elesin L., Shilov A., Jana S. и др., Advanced Functional Materials 2026 P. 1–10
Добавлено: 28 мая 2026 г.
Добавлено: 26 мая 2026 г.
Qian X., Deng Y., Lev N. Shchur и др., Physica A: Statistical Mechanics and its Applications 2026 Vol. 696 Article 131679
Добавлено: 24 мая 2026 г.
Мелентьев П. Н., Калмыков А. С., Гритченко А. С. и др., Успехи физических наук 2024 Т. 194 № 11 С. 1130–1145
Представлен краткий обзор достигнутого уровня оптических методов детектирования единичных молекул в биомедицинских приложениях. Показано, что регистрация флуоресценции единичных молекул красителей, ковалентно связанных с антителами (биомолекулами), совместно с использованием современных методов нанофотоники может быть применена для решения различных задач в биологии и медицине: визуализации биомолекул, токсинов, вирусных частиц, определения ультранизких концентраций аналитов напрямую во взятой пробе, ...
Добавлено: 21 мая 2026 г.
Antsiferov P.S., Stepanov L.V., Matiukhin N. D., Review of Scientific Instruments 2025 Vol. 96 No. 12 Article 123506
Добавлено: 20 мая 2026 г.
Babichev A. V., Papylev D. S., S. D. Komarov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2024 Vol. 17 No. 3.1 P. 233–237
Добавлено: 14 мая 2025 г.
Solodovnik M., Balakirev S., Ivan S. Makhov и др., Applied Surface Science 2025 Vol. 700 Article 163211
Добавлено: 17 апреля 2025 г.
Balakirev S. V., Махов И. С., Kirichenko D. V. и др., Optical Materials 2025 Vol. 163 Article 116964
We reveal a strong dependence of optical properties of InAs quantum dots (QDs) on the As/Ga flux ratio used
during the overgrowth with a low-temperature GaAs layer. Evaluating various characteristics of the photoluminescence
spectra, we determine an optimal As/Ga flux ratio which allows formation of QDs emitting at the
longest wavelengths, with the highest intensity and the largest ...
Добавлено: 17 апреля 2025 г.
Бабичев А. В., Пирогов Е. В., Соболев М. С. и др., Физика и техника полупроводников 2022 Т. 56 № 10 С. 1002–1010
Представлены результаты исследования азотсодержащих активных областей на основе сверхрешеток, выращенных на подложках GaAs. Активные области на основе чередующихся слоев InAs и GaAsN сформированы методом молекулярно-пучковой эпитаксии c плазменным источником азота. На основе анализа рентгенодифракционных кривых качания проведены оценки толщин и среднего состава слоев сверхрешеток. Исследование темнопольных изображений, полученных методом просвечивающей электронной микроскопии, показало наличие интердиффузии ...
Добавлено: 1 ноября 2024 г.
Gridchin V., Kotlyar K., Ubyivovk E. и др., ACS Applied Nano Materials 2024 Vol. 7 No. 15 P. 17460–17468
Выполнено исследование синтеза InGaN соединений в режиме трехмерного роста. Впервые показано, что самоорганизация при росте InGaN приводит к формированию структуры ядро-оболочка нанопроволок, нанотрубок, фазы цинковой обманки (ZB) и наноцветов. Обнаружено, что нитевидный нанокристал InGaN ядро-оболочка формируется на самом начальном этапе роста. Увеличение времени роста приводит к диффузии индия из ядер ННК и их накопление на ...
Добавлено: 18 октября 2024 г.
Махов И. С., Крыжановская Н. В., Драгунова А. С. и др., Journal of Luminescence 2024 Vol. 276 Article 120819
One drawback of self-organized quantum dots is their low optical gain. The development of new shaping methods that would allow higher gain, for example, due to a higher surface density of the QD array, remains an important task to date. In the present work, arrays of quantum dots have been formed by substituting phosphorous atoms ...
Добавлено: 27 августа 2024 г.
Андрюшкин В. В., Драгунова А. С., Комаров С. Д. и др., Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики 2022 Т. 22 № 5 С. 921–928
Предмет исследования. Представлены результаты исследования оптических свойств низкоплотных квантовых точек InGaPAs. Показано влияние на оптические и структурные свойства квантовых точек низких температур и параметров термического отжига. Метод. Квантовые точки InGaPAs получены методом молекулярно- пучковой эпитаксии за счет замещения фосфора на мышьяк в тонком слое InGaP непосредственно в процессе эпитаксиального роста. Оптические свойства квантовых точек InGaPAs ...
Добавлено: 3 июня 2024 г.
Крыжановская Н. В., Драгунова А. С., Комаров С. Д. и др., Оптика и спектроскопия 2021 Т. 129 № 2 С. 218–222
Методами спектроскопии фотолюминесценции (ФЛ) выполнено исследование оптических свойств трех- мерных квантово-размерных островков InGaPAs, сформированных методом замещения фосфора на мышьяк в слое InGaP, осажденном на GaAs непосредственно в процессе эпитаксиального роста. Линия ФЛ сформи- рованного массива островков лежит в диапазоне 950−1000 nm при комнатной температуре. Исследования ФЛ в диапазоне температур 78−300K свидетельствуют о существенной неоднородности массива ...
Добавлено: 3 июня 2024 г.
Babichev A., Sergey D. Komarov, Tkach J. и др., , in: 2022 International Conference on Electrical Engineering and Photonics (EExPolytech) Proceedings.: St. Petersburg: IEEE, 2022. P. 253–256.
Добавлено: 31 мая 2024 г.