Study of planar microcavity structure with In0.63Ga0.37As quantum dots and non-absorbing Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As mirrors

Babichev A. V.; Papylev D. S.; S. D. Komarov; N. V. Kryzhanovskaya; Blokhin S. A.; Nevedomsky V. N.; Gladyshev A. G.; Karachinsky L. Y.; Novikov I. I.; Egorov A. Y.

doi:10.18721/JPM.173.147

?

Study of planar microcavity structure with In0.63Ga0.37As quantum dots and non-absorbing Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As mirrors

St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 2024. Vol. 17. No. 3.1. P. 233–237.

Babichev A. V., Papylev D. S., S. D. Komarov, N. V. Kryzhanovskaya, Blokhin S. A., Nevedomsky V. N., Gladyshev A. G., Karachinsky L. Y., Novikov I. I., Egorov A. Y.

Научное направление: Физика Нанотехнологии

Язык: английский

Полный текст

DOI

Текст на другом сайте

Ключевые слова: InGaAs molecular-beam epitaxy молекулярно-пучковая эпитаксия gallium arsenide InGaAs арсенид галлия planar microcavity Stransky-Krastanow growth mode планарный вертикальный микрорезонатор механизм Странски-Крастанова

ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:

Создание и исследование полупроводниковых микро- и нанолазеров для схем интегральной фотоники (2024)

Electrically driven Rabi dynamics of magnetic field induced corner states in a two-dimensional topological insulator

D.V. Khomitsky, Lavrukhina E. A., Krasavin D. P. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 22 Article 225414

Добавлено: 23 октября 2026 г.

Stress tensor in fundamental measure theory of hard-sphere fluids: A thermomechanical approach

Будков Ю. А., Каликин Н. Н., Journal of Chemical Physics 2026 Vol. 165 No. 16 Article 164108

Добавлено: 22 октября 2026 г.

Отсутствие отражения фонон-поляритона от края металлической маски на поверхности SiC

Ивченко В. С., Иевлева В. А., Матиенко Д. А. и др., Журнал технической физики 2026 № 9 С. 1738–1749

Задача о возбуждении бегущих фонон-поляритонных волн на поверхности полярного кристалла падающей извне световой волной (с частотой, близкой к частоте решеточных колебаний) решена теоретически только для бесконечной открытой поверхности кристалла. В случаях, когда часть поверхности покрыта металлической маской, препятствующей проникновению возбуждающего излучения к атомам среды, и эта маска имеет произвольную форму, общепризнанного решения неоднородной задачи нет. ...

Добавлено: 20 октября 2026 г.

Исследование движения сферического фронта клеток в вязком матриксе: роль клеточных делений и взаимодействия клеток с матриксом при развитии опухолей

Логвенков С. А., Известия РАН. Механика жидкости и газа 2026 № 3 С. 59–75

Решена задача об эволюции объемной концентрации клеток в сферическом агрегате, состоящем из клеток, внеклеточного матрикса и жидкости. Агрегат окружен внеклеточным матриксом. Постановка задачи использует разработанную автором ранее модель многофазной биологической сплошной среды, образованной двумя активно взаимодействующими твердыми фазами и жидкостью. Исследовано распространение сферического фронта клеток в вязком матриксе в результате деления клеток и активных взаимодействий клеток с ...

Добавлено: 20 октября 2026 г.

Electrically driven Rabi dynamics of magnetic field induced corner states in a two-dimensional topological insulator

Lavrukhina E. A., Krasavin D. P., Krishtopenko S. S. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 22 Article 225414

Добавлено: 19 октября 2026 г.

Phase Transitions in the Ni2.14Mn0.81Fe0.05Ga Heusler Alloy under the Influence of a Magnetic Fild and Hydrostatic Pressure

Смерчанский П. С., Koledov V. V., Kamantsev A. P. и др., Physics of Metals and Metallography 2026 Vol. 127 No. 6-7 P. 689–693

Добавлено: 19 октября 2026 г.

Dissipative quantum mechanics of Andreev bound states

Заикин А. Д., Kalenkov M. S., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 Article 214502

We propose a microscopic scheme that allows to describe ac Josephson effect in superconducting junctions in terms of dissipative quantum dynamics of subgap Andreev bound states. This approach is particularly useful for highly transparent junctions at subgap bias voltages in which case a nontrivial combination of Landau-Zener tunneling between Andreev levels and their instability due to quasiparticle escape ...

Добавлено: 18 октября 2026 г.

Landau-Zener Tunneling and Quantum Interference of Andreev States

Заикин А. Д., Kalenkov M. S., Physical Review Letters 2026 Vol. 137 Article 076004

With the aid of a microscopic theory we derive an effective Hamiltonian that controls quantum dynamics of Andreev states in superconducting nanojunctions out of equilibrium. Resolving the corresponding Schrödinger-like equation we obtain the “wave functions” for Andreev levels and evaluate electric current across the junction in the presence of an external voltage bias.We demonstrate that quantum interference of Andreev ...

Добавлено: 18 октября 2026 г.

Structure and conformational dynamics of formamide molecule in the ground and lowest excited electronic states

Тукачев Н. В., Bataev V., Abramenkov A. и др., Computational and Theoretical Chemistry 2016 No. 1080 P. 23–32

Добавлено: 14 октября 2026 г.

Conformational analysis of N-methylformamide in ground S0 and excited S1 and T1 electronic states

Тукачев Н. В., Bataev V. А., Godunov I. А., Journal of Quantitative Spectroscopy and Radiative Transfer 2016 Vol. 177 P. 291–300

Добавлено: 14 октября 2026 г.

Conformational analysis of acetamide in the ground and lowest excited electronic states

Тукачев Н. В., Bataev V. А., Godunov I. А., Journal of Quantitative Spectroscopy and Radiative Transfer 2017 Vol. 192 P. 30–41

Добавлено: 14 октября 2026 г.

Conformational analysis of N-methylacetamide molecule in the ground and excited electronic states

Тукачев Н. В., Bataev V. A., Godunov I. A., Computational and Theoretical Chemistry 2017 Vol. 1113 P. 82–93

Добавлено: 14 октября 2026 г.

Ground state geometry of PPV oligomers

Тукачев Н. В., Maslennikov D., Sosorev A. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2019 Vol. 10 No. 12 P. 3232–3239

Добавлено: 14 октября 2026 г.

Effects of π-spacer and fluorine loading on the optoelectronic and photovoltaic properties of (X-DADAD)n benzodithiophene-based conjugated polymers

Тукачев Н. В., Akkuratov A., Kuznetsov I. и др., Synthetic Metals 2020 Vol. 259 Article 116231

Добавлено: 14 октября 2026 г.

Toward probing of the local electron–phonon interaction in small-molecule organic semiconductors with Raman spectroscopy

Тукачев Н. В., Nuraliev M., Parashchuk O. и др., Journal of Chemical Physics 2020 Vol. 153 No. 17 Article 174303

Добавлено: 14 октября 2026 г.

Impact of the acceptor units on optoelectronic and photovoltaic properties of (XDADAD)n-type copolymers:computational and experimental study

Тукачев Н. В., Klimovich I., Prudnov F. и др., Dyes and Pigments 2021 Vol. 185 Article 108899

Добавлено: 14 октября 2026 г.

Suppression of dynamic disorder by electrostatic interactions in structurally close organic semiconductors

Тукачев Н. В., Sosorev A., Parashchuk O. и др., Physical Chemistry Chemical Physics 2021 Vol. 23 No. 29 P. 15485–15491

Добавлено: 14 октября 2026 г.

Low-frequency vibrational modes in G-quadruplexes reveal the mechanical properties of nucleic acids

Тукачев Н. В., González-Jiménez M., Ramakrishnan G. и др., Physical Chemistry Chemical Physics 2021 Vol. 23 No. 23 P. 13250–13260

Добавлено: 14 октября 2026 г.

Understanding the emergence of the boson peak in molecular glasses

González-Jiménez M., Barnard T., Russell B. и др., Nature Communications 2023 Vol. 14 Article 215

Добавлено: 14 октября 2026 г.

Room temperature microlasers based on quasi-planar geometry

Babichev A. V., Kovach Y. N., Драгунова А. С. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2026 Vol. 19 No. 1.1 P. 98–104

Добавлено: 23 сентября 2026 г.

Спин-зависимое фотопоглощение в структурах с квантовой ямой InGaAs/GaAs и близкорасположенным дельта-слоем Mn

Хомицкий Д. В., Дорохин М. В., Ведь М. В. и др., Физика твердого тела 2026 Т. 68 № 8 С. 1325–1332

Выполнено расширенное исследование спин-зависимого фотоэлектрического эффекта в диодах Шоттки на основе гетероструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs и близкорасположенным дельта-слоем Mn. Эффект заключается в зависимости сигнала фотоэдс от знака циркулярной поляризации облучающего структуру света. Эффект носит резонансный характер: при накачке светом с энергией, соответствующей основному переходу в квантовой яме, значение разностной фотоэдс максимально. Эффект объясняется конкуренцией ...

Добавлено: 6 сентября 2026 г.

Room-temperature, continuous wave lasing in planar microcavities with quantum dots

Babichev A., Bobrov M., Vasil'ev A. и др., Applied Physics Letters 2026 Vol. 128 No. 24 Article 241102

Добавлено: 8 июля 2026 г.

Fundamental difference in the mechanisms of transformation of InAs nanostructures due to indium segregation on flat and patterned GaAs surfaces

Solodovnik M., Balakirev S., Ivan S. Makhov и др., Applied Surface Science 2025 Vol. 700 Article 163211

Добавлено: 17 апреля 2025 г.

Optimal As/Ga flux ratio for low-temperature overgrowth of InAs quantum dots dependent on the GaAs overgrowth rate

Balakirev S. V., Махов И. С., Kirichenko D. V. и др., Optical Materials 2025 Vol. 163 Article 116964

We reveal a strong dependence of optical properties of InAs quantum dots (QDs) on the As/Ga flux ratio used during the overgrowth with a low-temperature GaAs layer. Evaluating various characteristics of the photoluminescence spectra, we determine an optimal As/Ga flux ratio which allows formation of QDs emitting at the longest wavelengths, with the highest intensity and the largest ...

Добавлено: 17 апреля 2025 г.