Study of planar microcavity structure with In0.63Ga0.37As quantum dots and non-absorbing Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As mirrors

Babichev A. V.; Papylev D. S.; S. D. Komarov; N. V. Kryzhanovskaya; Blokhin S. A.; Nevedomsky V. N.; Gladyshev A. G.; Karachinsky L. Y.; Novikov I. I.; Egorov A. Y.

doi:10.18721/JPM.173.147

?

Study of planar microcavity structure with In0.63Ga0.37As quantum dots and non-absorbing Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As mirrors

St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 2024. Vol. 17. No. 3.1. P. 233–237.

Babichev A. V., Papylev D. S., S. D. Komarov, N. V. Kryzhanovskaya, Blokhin S. A., Nevedomsky V. N., Gladyshev A. G., Karachinsky L. Y., Novikov I. I., Egorov A. Y.

Научное направление: Физика Нанотехнологии

Язык: английский

Полный текст

DOI

Текст на другом сайте

Ключевые слова: InGaAs molecular-beam epitaxy молекулярно-пучковая эпитаксия gallium arsenide InGaAs арсенид галлия planar microcavity Stransky-Krastanow growth mode планарный вертикальный микрорезонатор механизм Странски-Крастанова

ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:

Создание и исследование полупроводниковых микро- и нанолазеров для схем интегральной фотоники (2024)

A simplified approach to predicting thermal expansion anisotropy of solids from first principles: application to the orthorhombic phase of Mo2C

Dmitry Vasilyev, Gorev V., Ихсанов Р. Ш. и др., Journal of Materials Science 2026 No. 61 P. 25452–25470

Добавлено: 23 июля 2026 г.

Influence of Pulsed Laser Radiation on the Morphology and Surface Properties of Tungsten Implanted with Helium Ions

Borovitskaya I. V., Pimenov V. N., Korshunov S. N. и др., Physics of Atomic Nuclei 2026 Vol. 89 No. 1 P. S48–S55

Добавлено: 22 июля 2026 г.

Long-range machine-learning potentials with environment-dependent charges enable predicting LO-TO splitting and dielectric constants

Korogod D., Shapeev A., Новиков И. С., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 2 Article 024104

Добавлено: 22 июля 2026 г.

Global optimization of atomic clusters via physically constrained tensor train decomposition

Sozykin K., Rybin N., Chertkov A. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 113 No. 22 Article 224111

Добавлено: 22 июля 2026 г.

New bound on S1× S2-setting Bell locality of a nonseparable Werner state

Лубенец Е. Р., / Series arxiv.org "quant-ph". 2026. No. 2607.18050.

Добавлено: 21 июля 2026 г.

Optimal navigation in two-dimensional flows: Control theory and reinforcement learning

Парфеньев В. М., Physical Review E - Statistical, Nonlinear, and Soft Matter Physics 2026 Vol. 114 No. 1 Article 015104

Добавлено: 17 июля 2026 г.

Matrix Kadomtsev—Petviashvili Hierarchy and Spin Generalization of Trigonometric Calogero—Moser Hierarchy

Прокофьев В. В., Забродин А. В., Proceedings of the Steklov Institute of Mathematics 2020 Vol. 309 P. 225–239

Добавлено: 14 июля 2026 г.

Elliptic solutions of the Toda lattice hierarchy and the elliptic Ruijsenaars–Schneider model

Прокофьев В. В., Забродин А. В., Theoretical and Mathematical Physics 2021 Vol. 208 P. 1093–115

Добавлено: 14 июля 2026 г.

Kink oscillation of a system of two braided magnetic flux tubes

Ruderman M. S., N. S. Petrukhin, Monthly Notices of the Royal Astronomical Society 2026 Vol. 549 No. 4 Article stag783

Добавлено: 12 июля 2026 г.

Digital InGaAs/InAlAs short-period superlattices intended for 1.3-μm InP-lasers

V.I. Voitovich, I.S. Makhov, Andryushkin V. V. и др., Journal of Luminescence 2026 Vol. 295 Article 121936

Добавлено: 8 июля 2026 г.

Room-temperature, continuous wave lasing in planar microcavities with quantum dots

Babichev A., Bobrov M., Vasil'ev A. и др., Applied Physics Letters 2026 Vol. 128 Article 241102

Добавлено: 8 июля 2026 г.

Algorithmic overlaps as thermodynamic variables: From local to cluster Monte Carlo dynamics in critical phenomena

Пиле Я. Э., Deng Y., Щур Л. Н., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 1 Article 014101

Добавлено: 6 июля 2026 г.

"Труды МФТИ" Том 17, № 4 (68) (2025)

МФТИ, 2025.

абота редакции научного журнала «Труды Московского физико-технического института» (кратко «Труды МФТИ»), редакционной коллегии и редакционного совета осуществляется в соответствии с Положением, утвержденным ректором института. В состав редакционной коллегии входят руководители института, факультетов, институтских и факультетских кафедр. Главный редактор журнала —президент МФТИ, член-корр. РАН Кудрявцев Н.Н. Журнал «Труды МФТИ» входит в базу данных РИНЦ (Российский Индекс Научного Цитирования) и доступен в электронной ...

Добавлено: 4 июля 2026 г.

Triplet Correlations in Superconductor/Antiferromagnet Heterostructures: Dependence on Type of Antiferromagnetic Ordering

Bobkov G. A., Bobkov G. A., Bobkova I. V. и др., Journal of Superconductivity and Novel Magnetism 2025 Vol. 38 Article 239

Добавлено: 2 июля 2026 г.

Direct evidence of the quasiparticle conversion length in proximity Josephson junctions

Bakurskiy S. V., Skryabina O. V., Ruzhickiy V. I. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 113 P. 134509-1–134509-10

Добавлено: 2 июля 2026 г.

Proximity-effect engineering in aluminum-based planar Josephson junctions with intrinsic superconductivity

Polevoy K. B., Bakurskiy S. V., Ruzhickiy V. I. и др., Physical Review Applied 2026 Vol. 25 P. 024030-1–024030-12

Добавлено: 2 июля 2026 г.

High-temperature properties of mixed conductors LaxSr0.85−xCe0.15FeO3−δ

V.D. Nikonov, Nikitin S. S., Patrakeev M. V., Ionics 2025 Vol. 31 No. 1 P. 675–687

Добавлено: 26 июня 2026 г.

Optical conductivity of a dirty current-carrying superconductor

Полькин А. В., Skvortsov M., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 113 No. 17 Article 174516

Добавлено: 25 июня 2026 г.

Thermal phase slips in superconducting films

Skvortsov M., Artem V. Polkin, Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 113 No. 10 Article L100502

Добавлено: 25 июня 2026 г.

Динамика спинорных экситон-поляритонных конденсатов в двойных потенциальных ловушках в GaAs/AlAs микрорезонаторе при резонансном пикосекундном возбуждении

Деменев А. А., Терешко С. Н., Гиппиус Н А и др., Известия РАН. Серия физическая 2025 Т. 89 № 2 С. 265–273

В диапазоне длительностей до 1.5 нс исследована временная эволюция поляризованных спектров излучения спинорных экситон-поляритонных конденсатов в двойных туннельно-связанных потенциальных ловушках в высокодобротном GaAs/AlAs микрорезонаторе при T = 2 К, резонансно возбуждаемых пикосекундными лазерными импульсами. Получена оценка для времени спиновой релаксации конденсатов в двойной ловушке τS ≈ 10 нс. Обсуждается влияние туннельного взаимодействия и анизотропии потенциала ловушек ...

Добавлено: 23 июня 2026 г.

Предвестники солнечных вспышек по наблюдениям на RSTN

Абрамов-Максимов В. Е., И.А. Бакунина, Геомагнетизм и аэрономия 2026 Т. 66 № 3 С. 515–529

Проанализировано 8 вспышечных событий по данным многочастотных наблюдений сети радиотелескопов Radio Solar Telescope Network. Целью анализа было выявление предвестников солнечных вспышек. В семи рассмотренных случаях выявлены предвспышечные квазипериодические флуктуации радиоизлучения. Сделанная по вейвлет-спектрам оценка квазипериодов дает в большинстве случаев значения 40–50 сек. В одном событии с большой вспышкой класса M8.0 квазипериодические флуктуации не проявились. В ...

Добавлено: 22 июня 2026 г.

Fundamental difference in the mechanisms of transformation of InAs nanostructures due to indium segregation on flat and patterned GaAs surfaces

Solodovnik M., Balakirev S., Ivan S. Makhov и др., Applied Surface Science 2025 Vol. 700 Article 163211

Добавлено: 17 апреля 2025 г.

Optimal As/Ga flux ratio for low-temperature overgrowth of InAs quantum dots dependent on the GaAs overgrowth rate

Balakirev S. V., Махов И. С., Kirichenko D. V. и др., Optical Materials 2025 Vol. 163 Article 116964

We reveal a strong dependence of optical properties of InAs quantum dots (QDs) on the As/Ga flux ratio used during the overgrowth with a low-temperature GaAs layer. Evaluating various characteristics of the photoluminescence spectra, we determine an optimal As/Ga flux ratio which allows formation of QDs emitting at the longest wavelengths, with the highest intensity and the largest ...

Добавлено: 17 апреля 2025 г.

Исследование активных областей на основе многопериодных сверхрешеток GaAsN/InAs

Бабичев А. В., Пирогов Е. В., Соболев М. С. и др., Физика и техника полупроводников 2022 Т. 56 № 10 С. 1002–1010

Представлены результаты исследования азотсодержащих активных областей на основе сверхрешеток, выращенных на подложках GaAs. Активные области на основе чередующихся слоев InAs и GaAsN сформированы методом молекулярно-пучковой эпитаксии c плазменным источником азота. На основе анализа рентгенодифракционных кривых качания проведены оценки толщин и среднего состава слоев сверхрешеток. Исследование темнопольных изображений, полученных методом просвечивающей электронной микроскопии, показало наличие интердиффузии ...

Добавлено: 1 ноября 2024 г.