?
SERS effect on the surface of ZnO nanorods coated with CsPbBr3
Physics of Complex System. 2026. Vol. 7. No. 1. P. 3–15.
Гетероструктуры на основе наностержней ZnO и наночастиц CsPbBr3 были ис-следованы с целью оценки их потенциала в качестве полупроводниковых SERS-субстратов. Было выявлено, что морфология ZnO определяет эффективность межфазного переноса энергии, уве-личивая фотолюминесценцию при длине возбуждения 390 нм и вызывая снижение ширины за-прещенной зоны в композитах. Анализ спектров комбинационного рассеяния выявил значитель-ное усиление интенсивности и появление низкочастотных мод CsPbBr3, выделенных с помощью гауссовой деконволюции, что подтверждает SERS-подобное поведение гибридных структур. Полученные результаты демонстрируют перспективность ZnO/CsPbBr3-гетероструктур для сен-сорики и оптоэлектронных приложений.
Язык:
английский
Будков Ю. А., The European Physical Journal E - Soft Matter 2026 Vol. 49 No. 105
Добавлено: 11 ноября 2026 г.
Минаев В. Л., Измерительная техника 2026 Т. 75 № 5 С. 54–65
Для высокоточного контроля формы поверхностей оптических деталей применяют интерферометры Физо. Интерферометры Физо с общим путём используют для измерений такого параметра, как отклонение от плоскостности и сферичности (максимального размаха) PV (peak-valley), так как данная конструкция предотвращает влияние аберраций оптической системы на результаты измерений. При настройке интерферометра Физо на нулевую полосу, когда опорный и предметный пучки проходят ...
Добавлено: 10 ноября 2026 г.
Минаев В. Л., Оптический журнал 2026 Т. 93 № 10 С. 43–52
Предмет исследования. Метод абсолютной калибровки интерференционного микроскопа с использованием поверхности жидкости в качестве эталонной плоскости. Цель работы. Повышение точности измерений профиля поверхности оптических деталей с помощью интерференционного микроскопа за счёт коррекции аберраций оптической системы с использованием жидкого эталонного зеркала. Метод. Метод двух экспозиций с вычитанием фазовых изображений эталонной поверхности. Сравнение результатов измерений высоты ступеньки с использованием жидкого зеркала в качестве ...
Добавлено: 10 ноября 2026 г.
Минаев В. Л., Оптический журнал 2026 Т. 93 № 10 С. 31–42
Предмет исследования. Интерференционный метод измерений отклонений от плоскостности оптических поверхностей крупногабаритных плоских оптических элементов на базе интерферометра «PhSh-Лямбда» и оценка эффективности алгоритмов обработки интерферограмм в условиях вибрационных и воздушных возмущений. Цель работы. Расширение возможностей интерферометра «PhSh-Лямбда» путём использования его в качестве базового приёмно-передающего блока для широкоапартурного неравноплечного интерферометра Тваймана–Грина при контроле крупногабаритных плоских оптических элементов диаметром до 600 мм. ...
Добавлено: 10 ноября 2026 г.
Минаев В. Л., Оптика и спектроскопия 2026 Т. 134 № 11 С. 1382–1390
Исследованы методы восстановления фазового распределения из интерферограмм при контроле формы и топографии поверхностей оптических элементов с целью разработки подхода, позволяющего выполнять реконструкцию фазы методом фазовых шагов по одной интерферограмме в полосах конечной ширины. Для этого, используя метод Фурье, вначале синтезируется набор сдвинутых по фазе интерферограмм, по которым с помощью метода фазовых шагов восстанавливается фазовое распределение. ...
Добавлено: 10 ноября 2026 г.
Alexey A. Sokolik, Azat F. Aminov, Vdovin E. и др., Applied Physics Letters 2026 Vol. 129 No. 16 P. 1–6
Добавлено: 10 ноября 2026 г.
Добавлено: 10 ноября 2026 г.
Lukyanchuk V., Норман Г. Э., Кондратюк Н. Д. и др., Scientific Reports 2026 Vol. 16 No. 1 Article 16435
Добавлено: 10 ноября 2026 г.
В статье представлен программный инструмент, разработанный для обработки терагерцовых тепловых изображений лица человека, полученных в ходе контролируемого психофизиологического эксперимента. В эксперименте однопиксельный детектор с частотой 500 ГГц в сочетании с двухзеркальной сканирующей системой формирует последовательность низкоразрешенных тепловых кадров (700 × 51 пиксель) лица испытуемого в условиях релаксации и стрессовых когнитивных и физических нагрузок. Целью обработки ...
Добавлено: 9 ноября 2026 г.
Abumusabh M., Adachi I., Adamczyk K. и др., Physical Review Letters 2026 Vol. 137 No. 19 Article 191901
Добавлено: 9 ноября 2026 г.
Abumusabh M., Aggarwal L., Ahmed H. и др., Physical Review D - Particles, Fields, Gravitation and Cosmology 2026 Vol. 114 No. 5 Article 052016
Добавлено: 9 ноября 2026 г.
Abumusabh M., Adachi I., Aggarwal L. и др., Physical Review Letters 2026 Vol. 136 No. 23 Article 231802
Добавлено: 9 ноября 2026 г.
Abumusabh M., Adachi I., Adamczyk K. и др., Physical Review D - Particles, Fields, Gravitation and Cosmology 2026 Vol. 113 No. 3 Article 032004
Добавлено: 9 ноября 2026 г.
Углов Т. В., International Journal of Modern Physics A 2026 P. 2645005–2645013
Добавлено: 9 ноября 2026 г.
Ясавеев М. И., International Journal of Modern Physics A 2026 Article 2645007
Добавлено: 9 ноября 2026 г.
Ясавеев М. И., Пахлов П. Н., Петерс Н. А. и др., Journal of High Energy Physics 2026 Vol. 7 Article 169
Добавлено: 9 ноября 2026 г.
Bagaeva D. I., Demina G. R., Panina I. S. и др., International Journal of Biological Macromolecules (Нидерланды) 2026 Vol. 358 No. 1 P. 1–19
Добавлено: 7 ноября 2026 г.
Калябин Д. В., Демидов В. В., Никитов С. А., Физика металлов и металловедение 2025 Т. 126 № 11 С. 1220–1225
Исследован спиновый транспорт в антиферромагнитных проводниках. Спиновый ток инжектировали из ферромагнитной пленки Co в антиферромагнитный проводник FeMn, после чего было исследовано постоянное напряжение, возникающее в слое Pt в условиях ферромагнитного резонанса при различных углах поворота ориентации постоянного магнитного поля в плоскости пленки. Был рассчитан вклад, вызванный чистым спиновым током (спиновой накачкой), зарегистрированный с помощью обратного ...
Добавлено: 27 марта 2026 г.
Андрюшкин В. В., Драгунова А. С., Комаров С. Д. и др., Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики 2022 Т. 22 № 5 С. 921–928
Предмет исследования. Представлены результаты исследования оптических свойств низкоплотных квантовых точек InGaPAs. Показано влияние на оптические и структурные свойства квантовых точек низких температур и параметров термического отжига. Метод. Квантовые точки InGaPAs получены методом молекулярно- пучковой эпитаксии за счет замещения фосфора на мышьяк в тонком слое InGaP непосредственно в процессе эпитаксиального роста. Оптические свойства квантовых точек InGaPAs ...
Добавлено: 3 июня 2024 г.
Жакетов В. Д., Девятериков Д. И., Авдеев М. М. и др., Физика твердого тела 2023 Т. 65 № 7 С. 1123–1128
Рассмотрены эффекты близости в структурах с гелимагнитным упорядочением. Методом магнетронного
напыления изготовлены структуры с резкими границами. С помощью рефлектометрии поляризованных
нейтронов получены результаты, указывающие на изменение магнитного состояния гелимагнетика под
влиянием сверхпроводимости. Предложен новый тип структур с чередующимися слоями сверхпроводника и
редкоземельного гелимагнетика для исследования магнитных эффектов близости. Результаты исследований
с помощью рентгеновских методов и атомно-силовой микроскопии демонстрирует высокое качество
полученных ...
Добавлено: 9 декабря 2023 г.
Ячменев А. Э., Лаврухин Д. В., Хабибуллин Р. А. и др., Оптика и спектроскопия 2021 Т. 129 № 6 С. 741–746
Экспериментальное сравнение характеристик фотопроводящих антенн - детекторов терагерцевого (ТГц) излучения на основе сверхрешеточных гетероструктур InGaAs/InAs/InAlAs с различными типами упругих напряжений в слоях. ...
Добавлено: 10 ноября 2022 г.
Sinner A., Лозовик Ю. Е., Ziegler K., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 104 No. 24 Article 245124
Добавлено: 2 января 2022 г.
Соловьев В. А., Чернов М. Ю., Комков О. С. и др., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2019 Т. 109 № 6 С. 381–386
Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs (001) выращены метаморфные квантово-размерные гетероструктуры InAs(Sb)/InGaAs/InAlAs с тонкими (1–5 нм) сильнонапряженными вставками GaAs и InAs в градиентном метаморфном буферном слое InxAl1−xAs. Показано, что использование вставки GaAs толщиной 5 нм в области метаморфного буферного слоя при x∼0.37 приводит к почти двукратному возрастанию интенсивности фотолюминесценции при 300 К (λ∼3.5мкм) из квантовой ямы InAs/InGaAs, содержащей монослойную вставку InSb. ...
Добавлено: 31 мая 2021 г.
Kulik L. V., Gorbunov A. V., Zhuravlev A. S. и др., Applied Physics Letters 2019 Vol. 114 No. 6 P. 1–5
Добавлено: 20 февраля 2019 г.