?
SERS effect on the surface of ZnO nanorods coated with CsPbBr3
Physics of Complex System. 2026. Vol. 7. No. 1. P. 3–15.
Гетероструктуры на основе наностержней ZnO и наночастиц CsPbBr3 были ис-следованы с целью оценки их потенциала в качестве полупроводниковых SERS-субстратов. Было выявлено, что морфология ZnO определяет эффективность межфазного переноса энергии, уве-личивая фотолюминесценцию при длине возбуждения 390 нм и вызывая снижение ширины за-прещенной зоны в композитах. Анализ спектров комбинационного рассеяния выявил значитель-ное усиление интенсивности и появление низкочастотных мод CsPbBr3, выделенных с помощью гауссовой деконволюции, что подтверждает SERS-подобное поведение гибридных структур. Полученные результаты демонстрируют перспективность ZnO/CsPbBr3-гетероструктур для сен-сорики и оптоэлектронных приложений.
Язык:
английский
Воронеж: Издательский дом ВГУ, 2026.
В сборник вошли материалы XXXII Международной научно-технической конференции «Радиолокация, навигация, связь» (RLNC*2026), прошедшие ре цензирование членами программного комитета конференции. Основной целью конференции является организация взаимодействия научных и научно технических коллективов для обмена опытом и новыми творческими успехами. Достижение этой цели также способствует внедрению перспективных разрабо ток, имеющих практическое значение для дальнейшего развития промышленно сти, экономики ...
Добавлено: 29 августа 2026 г.
Мельников И. Е., Пелиновский Е. Н., Nonlinear Dynamics 2026 No. 114 Article 934
Добавлено: 27 августа 2026 г.
Добавлено: 27 августа 2026 г.
Добавлено: 27 августа 2026 г.
Белоусов Ю. А., Кискин М. А., Сидорук А. В. и др., Australian Journal of Chemistry 2022 Vol. 75 No. 9 P. 572–580
Добавлено: 26 августа 2026 г.
Добавлено: 20 августа 2026 г.
Gimaev R., Karpenkov A., Shelkovyi F. и др., Journal of Alloys and Compounds 2026 No. 1080 Article 190307
Магнитотермические свойства четвертичного сплава Fe49Rh46.1Pd3.1Ir1.8 исследованы с помощью комбинации расчетов из первых принципов, структурной характеристики, магнитометрии, калориметрии и прямых измерений адиабатического изменения температуры. Получен исключительный магнитокалорический отклик: ΔTad достигает −11,9 К в поле 1,85 Т в прерывистом режиме и −8,6 К в непрерывном (циклическом) режиме, причем оба значения превышают значения, зарегистрированные на сегодняшний день для ...
Добавлено: 18 августа 2026 г.
Добавлено: 13 августа 2026 г.
S. S. Seidov, N. G. Pugach, Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 7 Article 074504
Добавлено: 13 августа 2026 г.
Ievlev E., Marshakov A., Sumbatian G. и др., Physical Review D - Particles, Fields, Gravitation and Cosmology 2026 Vol. 114 Article 046006
Добавлено: 13 августа 2026 г.
Ратников Ф. Д., Бочарников В. О., Journal of High Energy Physics 2026 Vol. 2026 P. 1–21
Добавлено: 12 августа 2026 г.
Будков Ю. А., Каликин Н. Н., Journal of Chemical Physics 2026 Vol. 165 Article 064506
Добавлено: 12 августа 2026 г.
Добавлено: 11 августа 2026 г.
Пономарев А. А., Александров Н. Л., Journal of Physics D: Applied Physics 2026 Vol. 59 No. 31 Article 315205
Добавлено: 6 августа 2026 г.
Калябин Д. В., Демидов В. В., Никитов С. А., Физика металлов и металловедение 2025 Т. 126 № 11 С. 1220–1225
Исследован спиновый транспорт в антиферромагнитных проводниках. Спиновый ток инжектировали из ферромагнитной пленки Co в антиферромагнитный проводник FeMn, после чего было исследовано постоянное напряжение, возникающее в слое Pt в условиях ферромагнитного резонанса при различных углах поворота ориентации постоянного магнитного поля в плоскости пленки. Был рассчитан вклад, вызванный чистым спиновым током (спиновой накачкой), зарегистрированный с помощью обратного ...
Добавлено: 27 марта 2026 г.
Андрюшкин В. В., Драгунова А. С., Комаров С. Д. и др., Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики 2022 Т. 22 № 5 С. 921–928
Предмет исследования. Представлены результаты исследования оптических свойств низкоплотных квантовых точек InGaPAs. Показано влияние на оптические и структурные свойства квантовых точек низких температур и параметров термического отжига. Метод. Квантовые точки InGaPAs получены методом молекулярно- пучковой эпитаксии за счет замещения фосфора на мышьяк в тонком слое InGaP непосредственно в процессе эпитаксиального роста. Оптические свойства квантовых точек InGaPAs ...
Добавлено: 3 июня 2024 г.
Жакетов В. Д., Девятериков Д. И., Авдеев М. М. и др., Физика твердого тела 2023 Т. 65 № 7 С. 1123–1128
Рассмотрены эффекты близости в структурах с гелимагнитным упорядочением. Методом магнетронного
напыления изготовлены структуры с резкими границами. С помощью рефлектометрии поляризованных
нейтронов получены результаты, указывающие на изменение магнитного состояния гелимагнетика под
влиянием сверхпроводимости. Предложен новый тип структур с чередующимися слоями сверхпроводника и
редкоземельного гелимагнетика для исследования магнитных эффектов близости. Результаты исследований
с помощью рентгеновских методов и атомно-силовой микроскопии демонстрирует высокое качество
полученных ...
Добавлено: 9 декабря 2023 г.
Ячменев А. Э., Лаврухин Д. В., Хабибуллин Р. А. и др., Оптика и спектроскопия 2021 Т. 129 № 6 С. 741–746
Экспериментальное сравнение характеристик фотопроводящих антенн - детекторов терагерцевого (ТГц) излучения на основе сверхрешеточных гетероструктур InGaAs/InAs/InAlAs с различными типами упругих напряжений в слоях. ...
Добавлено: 10 ноября 2022 г.
Sinner A., Лозовик Ю. Е., Ziegler K., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 104 No. 24 Article 245124
Добавлено: 2 января 2022 г.
Соловьев В. А., Чернов М. Ю., Комков О. С. и др., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2019 Т. 109 № 6 С. 381–386
Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs (001) выращены метаморфные квантово-размерные гетероструктуры InAs(Sb)/InGaAs/InAlAs с тонкими (1–5 нм) сильнонапряженными вставками GaAs и InAs в градиентном метаморфном буферном слое InxAl1−xAs. Показано, что использование вставки GaAs толщиной 5 нм в области метаморфного буферного слоя при x∼0.37 приводит к почти двукратному возрастанию интенсивности фотолюминесценции при 300 К (λ∼3.5мкм) из квантовой ямы InAs/InGaAs, содержащей монослойную вставку InSb. ...
Добавлено: 31 мая 2021 г.
Kulik L. V., Gorbunov A. V., Zhuravlev A. S. и др., Applied Physics Letters 2019 Vol. 114 No. 6 P. 1–5
Добавлено: 20 февраля 2019 г.
Zhuravlev A. S., Kulik L.V., Kuznetsov V. A. и др., JETP Letters 2018 Vol. 108 No. 6 P. 419–422
Экспериментально исследованы особенности спиновой поляризации электронной системы и релаксации неравновесных спиновых возбуждений в окрестности дробного состояния с четным знаменателем 3/2 в двумерной электронной системе на основе гетероструктуры GaAs/AlGaAs. Показано, что состояние 3/2 является особой точкой в зависимости спинового упорядочения двумерной электронной системы от фактора заполнения, на которой спиновая подсистема перестраивается. Обнаружена область факторов заполнения в ...
Добавлено: 30 ноября 2018 г.
Н. Новгород: ФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова», 2017.
Сборник трудов содержит материалы, посвященные результатам деятельности ведущих предприятий микроэлектронной промышленности, аккумулирующие передовые достижения естественных наук и существенно влияющие на тактико-технические характеристики и конкурентоспособность радиоэлектронной аппаратуры. ...
Добавлено: 20 ноября 2018 г.