• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Статьи
  • SERS effect on the surface of ZnO nanorods coated with CsPbBr3
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
10 августа 2026 г.
«Научный бэкграунд помогает принимать более обоснованные решения»
Преподаватель Института демографии им. А.Г. Вишневского Артур Петросян и в жизни, и в работе ищет неочевидные решения. В интервью проекту «Молодые ученые Вышки» он рассказал о важности масштаба в статистике, практической пользе науки, умении переключаться и поиске неочевидных траекторий в городе и в профессии.
6 августа 2026 г.
Исследователи ВШЭ показали, как создавать регуляторную ДНК напрямую
Исследователи НИУ ВШЭ разработали модель для генерации промоторов и энхансеров — участков ДНК, регулирующих работу генов. Модель работает с нуклеотидами ДНК напрямую, без промежуточного преобразования в непрерывное числовое пространство. Разработка может быть полезна в синтетической биологии и генной терапии. Результаты исследования представлены на воркшопе конференции ICLR 2026.
5 августа 2026 г.
«Самый результативный метод не теряться - делать хорошие исследования»
Эксперты Международной лаборатории проектирования и исследований в онлайн-обучении ВШЭ изучают и разрабатывают методы образования, предполагающие большую вовлеченность студентов и школьников в процесс обучения. Лаборатория активно исследует поведение учащихся через их цифровые следы в онлайн-системах, отношение педагогов к применению современных технологий и коммуникаций в обучении и разрабатывает принципы продуктивного применения ИИ в образовании. О деятельности лаборатории «Вышка.Главное» побеседовала с ее заведующей Анастасией Капузой.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

SERS effect on the surface of ZnO nanorods coated with CsPbBr3

Physics of Complex System. 2026. Vol. 7. No. 1. P. 3–15.
Гущина В. А.

Гетероструктуры на основе наностержней ZnO и наночастиц CsPbBr3 были ис-следованы с целью оценки их потенциала в качестве полупроводниковых SERS-субстратов. Было выявлено, что морфология ZnO определяет эффективность межфазного переноса энергии, уве-личивая фотолюминесценцию при длине возбуждения 390 нм и вызывая снижение ширины за-прещенной зоны в композитах. Анализ спектров комбинационного рассеяния выявил значитель-ное усиление интенсивности и появление низкочастотных мод CsPbBr3, выделенных с помощью гауссовой деконволюции, что подтверждает SERS-подобное поведение гибридных структур. Полученные результаты демонстрируют перспективность ZnO/CsPbBr3-гетероструктур для сен-сорики и оптоэлектронных приложений.

Научное направление: Химия Физика Химические технологии Технологии материалов Нанотехнологии
Язык: английский
Полный текст
DOI
Текст на другом сайте
Ключевые слова: гетероструктурыlow-frequency phonons energy transfer heterostructures Raman enhancementSERS effectZnO nanorodsCsPbBr3 quantum dotsнизкочастотные фононы перенос энергииусиление рамановского рассеянияэффект SERSквантовые точки CsPbBr3Наностержни ZnO
Похожие публикации
The effect of ultra-rapid electron detachment from negative ions on effective attachment coefficient in H2O:O2 and H2O:air mixtures at moderate reduced electric fields
Пономарев А. А., Александров Н. Л., Journal of Physics D: Applied Physics 2026 Vol. 59 Article 315205
Добавлено: 6 августа 2026 г.
Conductance measurements cannot distinguish crossed Andreev reflection from elastic co-tunnelling in normal–superconductor–normal junctions
Храпай В. С., Тихонов Е. С., Nature Physics 2026 P. 1–2
Добавлено: 5 августа 2026 г.
Modeling of the Influence of Temperature on Interaction of a Cathode with a Thin Insulating Film and a Glow Gas Discharge Plasma in a Mixture of Argon and Mercury Vapor
G. G. Bondarenko, Kristya V. I., Savichkin D. O. и др., Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques 2026 Vol. 20 No. 2 P. 417–423
Добавлено: 1 августа 2026 г.
Источник одиночных фотонов с использованием коллоидных квантовых точек CdSe/CdS/ZnS на волноводах из нитрида кремния
Касимов Р. Х., Аржанов А. И., Седых К. О. и др., Оптический журнал 2026 Т. 93 № 1 С. 80–86
Предмет исследования. Использование метода капельного нанесения для изготовления источника одиночных фотонов. Цель работы. Разработка технологического процесса изготовления источника одиночных фотонов на коллоидных квантовых точках для использования их в фотон- ных интегральных схемах. Метод. На первом этапе в программе ANSYS Lumerical рассчитыва- ются период и фактор заполнения фокусирующих элементов связи на длинах волн 545 и 600 ...
Добавлено: 31 июля 2026 г.
Non-Volatile Stochastic Photonic Element with Memory Based on Chalcogenide Material
Nevzorov A., Golikov A., Gneushev D. и др., JETP Letters 2026 Vol. 147–151 No. 3 P. 147–151
Добавлено: 31 июля 2026 г.
Dual-mode infrared detection via photovoltaic and barrier pyroelectric effects in PbTe p–n junctions
Jarashneli A., Кобцев Д. М., Upcher A. и др., Journal of Applied Physics 2026 Vol. 140 No. 2 Article 024501
Добавлено: 31 июля 2026 г.
Electrical detection of spin resonance with time resolution in a two-dimensional electron system
Nikolaev G. A., Orlov O. V., Андреева С. А. и др., Physical Review Applied 2026 Vol. 26 Article 014099
Добавлено: 31 июля 2026 г.
Criticality of a pseudospin phase transition
S. A. Andreeva, Orlov O. V., A. V. Shchepetilnikov и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 6 Article 065420
Добавлено: 31 июля 2026 г.
Surface-sulfonated Al₂O₃, CeO₂, and TiO₂ as functional fillers for Nafion-type gel polymer electrolytes for lithium metal batteries
Voropaeva D., S. Novikova, I. Stenina и др., Solid State Ionics 2026 Vol. 445 Article 117288
Добавлено: 30 июля 2026 г.
Three-dimensional magnetization textures as quaternionic functions
Metlov K., Andrei B. Bogatyrëv, Annalen der Physik 2026 Vol. 538 No. 6 Article e70234
Добавлено: 28 июля 2026 г.
A simplified approach to predicting thermal expansion anisotropy of solids from first principles: application to the orthorhombic phase of Mo2C
Dmitry Vasilyev, Gorev V., Ихсанов Р. Ш. и др., Journal of Materials Science 2026 No. 61 P. 25452–25470
Добавлено: 23 июля 2026 г.
Influence of Pulsed Laser Radiation on the Morphology and Surface Properties of Tungsten Implanted with Helium Ions
Borovitskaya I. V., Pimenov V. N., Korshunov S. N. и др., Physics of Atomic Nuclei 2026 Vol. 89 No. 1 P. S48–S55
Добавлено: 22 июля 2026 г.
Long-range machine-learning potentials with environment-dependent charges enable predicting LO-TO splitting and dielectric constants
Korogod D., Shapeev A., Ivan S. Novikov, Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 2 Article 024104
Добавлено: 22 июля 2026 г.
Global optimization of atomic clusters via physically constrained tensor train decomposition
Sozykin K., Rybin N., Chertkov A. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 113 No. 22 Article 224111
Добавлено: 22 июля 2026 г.
New bound on S1× S2-setting Bell locality of a nonseparable Werner state
Лубенец Е. Р., / Series arxiv.org "quant-ph". 2026. No. 2607.18050.
Добавлено: 21 июля 2026 г.
Optimal navigation in two-dimensional flows: Control theory and reinforcement learning
Парфеньев В. М., Physical Review E - Statistical, Nonlinear, and Soft Matter Physics 2026 Vol. 114 No. 1 Article 015104
Добавлено: 17 июля 2026 г.
Matrix Kadomtsev—Petviashvili Hierarchy and Spin Generalization of Trigonometric Calogero—Moser Hierarchy
Прокофьев В. В., Забродин А. В., Proceedings of the Steklov Institute of Mathematics 2020 Vol. 309 P. 225–239
Добавлено: 14 июля 2026 г.
Обнаружение спинового тока в обменно-смещенных структурах Co/Fe/Mn/Pt
Калябин Д. В., Демидов В. В., Никитов С. А., Физика металлов и металловедение 2025 Т. 126 № 11 С. 1220–1225
Исследован спиновый транспорт в антиферромагнитных проводниках. Спиновый ток инжектировали из ферромагнитной пленки Co в антиферромагнитный проводник FeMn, после чего было исследовано постоянное напряжение, возникающее в слое Pt в условиях ферромагнитного резонанса при различных углах поворота ориентации постоянного магнитного поля в плоскости пленки. Был рассчитан вклад, вызванный чистым спиновым током (спиновой накачкой), зарегистрированный с помощью обратного ...
Добавлено: 27 марта 2026 г.
Влияние низких температур и термического отжига на оптические свойства квантовых точек InGaPAs
Андрюшкин В. В., Драгунова А. С., Комаров С. Д. и др., Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики 2022 Т. 22 № 5 С. 921–928
Предмет исследования. Представлены результаты исследования оптических свойств низкоплотных квантовых точек InGaPAs. Показано влияние на оптические и структурные свойства квантовых точек низких температур и параметров термического отжига. Метод. Квантовые точки InGaPAs получены методом молекулярно- пучковой эпитаксии за счет замещения фосфора на мышьяк в тонком слое InGaP непосредственно в процессе эпитаксиального роста. Оптические свойства квантовых точек InGaPAs ...
Добавлено: 3 июня 2024 г.
Структурные свойства сверхрешеток Nb/Dy и Nb/Ho
Жакетов В. Д., Девятериков Д. И., Авдеев М. М. и др., Физика твердого тела 2023 Т. 65 № 7 С. 1123–1128
Рассмотрены эффекты близости в структурах с гелимагнитным упорядочением. Методом магнетронного напыления изготовлены структуры с резкими границами. С помощью рефлектометрии поляризованных нейтронов получены результаты, указывающие на изменение магнитного состояния гелимагнетика под влиянием сверхпроводимости. Предложен новый тип структур с чередующимися слоями сверхпроводника и редкоземельного гелимагнетика для исследования магнитных эффектов близости. Результаты исследований с помощью рентгеновских методов и атомно-силовой микроскопии демонстрирует высокое качество полученных ...
Добавлено: 9 декабря 2023 г.
Фотопроводящий ТГц детектор на основе новых функциональных слоев в многослойных гетероструктурах
Ячменев А. Э., Лаврухин Д. В., Хабибуллин Р. А. и др., Оптика и спектроскопия 2021 Т. 129 № 6 С. 741–746
Экспериментальное сравнение характеристик фотопроводящих антенн - детекторов терагерцевого (ТГц) излучения на основе сверхрешеточных гетероструктур InGaAs/InAs/InAlAs с различными типами упругих напряжений в слоях. ...
Добавлено: 10 ноября 2022 г.
Electron pairing with gapless excitations in mixed double layers
Sinner A., Лозовик Ю. Е., Ziegler K., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 104 No. 24 Article 245124
Добавлено: 2 января 2022 г.
Влияние сильнонапряженных вставок GaAs и InAs в буферном слое InAlAs на структурные и оптические свойства метаморфных квантово-размерных гетероструктур InAs(Sb)/InGaAs/InAlAs/GaAs
Соловьев В. А., Чернов М. Ю., Комков О. С. и др., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2019 Т. 109 № 6 С. 381–386
Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs (001) выращены метаморфные квантово-размерные гетероструктуры InAs(Sb)/InGaAs/InAlAs с тонкими (1–5 нм) сильнонапряженными вставками GaAs и InAs в градиентном метаморфном буферном слое InxAl1−xAs. Показано, что использование вставки GaAs толщиной 5 нм в области метаморфного буферного слоя при x∼0.37 приводит к почти двукратному возрастанию интенсивности фотолюминесценции при 300 К (λ∼3.5мкм) из квантовой ямы InAs/InGaAs, содержащей монослойную вставку InSb. ...
Добавлено: 31 мая 2021 г.
Spin transport in the bulk of two-dimensional Hall insulator
Kulik L. V., Gorbunov A. V., Zhuravlev A. S. и др., Applied Physics Letters 2019 Vol. 114 No. 6 P. 1–5
Добавлено: 20 февраля 2019 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика конфиденциальности
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору