Исследование фотолюминесценции в системе InGaAs/GaAs с квантовыми точками спектрального диапазона 1100 нм

Физика и техника полупроводников. 2023. Т. 57. № 1. С. 63–70.

Бабичев А. В., Комаров С. Д., Ткач Ю. С., Неведомский В. Н., Блохин С. А., Крыжановская Н. В., Гладышев А. Г., Карачинский Л. Я., Новиков И. И.

Представлены результаты исследования оптических свойств InGaAs-квантовых точек. Однослойные InGaAs-квантовые точки с высотой 5.3, 3.6 и 2.6 монослоя, а также трехслойные квантовые точки с высотой 2.6 монослоя были сформированы методом молекулярно-пучковой эпитаксии по механизму Странски– Крастанова на подложках GaAs, с использованием метода частичного прикрытия и высокотемпературного отжига. Уменьшение размеров квантовых точек позволяет осуществить коротковолновый сдвиг положения максимума спектра фотолюминесценции с 1200 до 1090 нм, а увеличение числа слоев квантовых точек позволяет компенсировать падение интенсивности максимума спектра фотолюминесценции. Показано, что данный тип квантовых точек подходит для создания активных областей лазеров с вертикальным микрорезонатором для нейроморфных вычислений.

Ключевые слова: молекулярно-пучковая эпитаксия, InGaAs, арсенид галлия, механизм Странски–Крастанова

ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА: Исследование характеристик микро- и нанолазеров на основе полупроводниковых гетероструктур А3В5 различной квантовой размерности (2023)