?
Optical properties of InGaAsN quantum well-based microlasers passivated by SiO2 sol–gel film
Optics Letters. 2025. Vol. 50. No. 21. P. 6819–6822.
Ivan Melnichenko, Shugabaev T., Фоминых Н. А., Махов И. С., Моисеев Э. И., Gridchin V., Жуков А. Е., Kulagina M., Крыжановская Н. В.
Ключевые слова: микролазерыmicrolasersповерхностная пассивацияsurface passivationInGaAsN quantum wellInGaAsN квантовая яма
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
Singapore: Springer Singapore, 2026.
Добавлено: 12 октября 2026 г.
Goncharov A., Чибисов А. Н., Advanced Theory and Simulations 2023 Vol. 12 No. 13 Article 2200816
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Prokhorenko A., Чибисов А. Н., Gnidenko A. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2024 Vol. 15 No. 41 P. 10295–10300
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Чибисов А. Н., Chibisova M., Modern Electronic Materials 2025 Vol. 71 P. 99–103
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Tyagi V., Srivastava A., Mangal A. и др., Surfaces and Interfaces 2025 Vol. 73 Article 107591
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Vangapandu E., Agrawal S., Kumar S. и др., Materials Science in Semiconductor Processing 2026 Vol. 211 Article 110752
Добавлено: 10 октября 2026 г.
В данной работе исследуются теоретические пределы обнаружения объектов в изотропных рассеивающих средах с использованием однофотонного лидара. В рамках упрощенной модели мы выводим фундаментальную зависимость между максимальной достижимой дальностью обнаружения и необходимым количеством фотонов в импульсе. Анализируются два различных предельных режима: режим баллистических фотонов, который сохраняет высокое пространственное разрешение, но требует экспоненциального увеличения мощности источника с ...
Добавлено: 8 октября 2026 г.
Добавлено: 8 октября 2026 г.
Добавлено: 8 октября 2026 г.
Исаев Т. Ф., Шаров А. Н., Журнал вычислительной математики и математической физики 2026 Т. 66 № 1 С. 83–93
Исследуются свойства оптических покрытий на основе использования упрощенного симулятора ошибок в толщинах слоев покрытий при их напылении. Обосновывается возможность такого подхода. Выводятся аналитические оценки среднеквадратичного значения нормы вектора ошибок и степени коррелированности ошибок в толщинах слоев покрытия. Изучается зависимость среднеквадратичного значения нормы вектора ошибок и свойств покрытия от уровня случайных ошибок в слоях. ...
Добавлено: 5 октября 2026 г.
Осипова А. М., Пилипенко С. В., Novikov D. I. и др., Physical Review D - Particles, Fields, Gravitation and Cosmology 2026 Vol. 114 Article 063522
Добавлено: 5 октября 2026 г.
Gribova N. I., Osmanov S. V., Lyashko S. D. и др., Journal of Magnetism and Magnetic Materials 2025 No. 614 P. 1–8
Добавлено: 4 октября 2026 г.
Seleznev G., Fominov Yakov V., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 7 Article 074505
Добавлено: 2 октября 2026 г.
Добавлено: 2 октября 2026 г.
Углов Т. В., Пахлов П. Н., Бодров Д. А. и др., Journal of High Energy Physics 2026 Vol. 04 Article 101
Добавлено: 2 октября 2026 г.
Войтович В. И., Махов И. С., Мельниченко И. А. и др., Optics Letters 2026 Vol. 51 No. 17 P. 4872–4875
Добавлено: 25 сентября 2026 г.
Бабичев А. В., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2026 Т. 52 № 18 С. 30–34
Представлены результаты реализации генерации при комнатной температуре в планарных вертикальных микрорезонаторах на основе зеркал Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As. При 300 K пороговая плотность мощности и добротность на пороге генерации составили 11.4± 0.7 kW/cm2 и 5070± 160 соответственно. Двукратное превышение порога генерации привело к увеличению добротности микрорезонатора до 19 000. Эффективный латеральный теплоотвод подтвержден малым сдвигом энергии кванта, который составил ...
Добавлено: 25 сентября 2026 г.
Zhou J., Zhou X., Zaman N. и др., ACS Applied Materials & Interfaces 2026 Vol. 18 No. 36 P. 49359–49369
Добавлено: 5 сентября 2026 г.
Babichev A., Bobrov M., Vasil'ev A. и др., Applied Physics Letters 2026 Vol. 128 No. 24 Article 241102
Добавлено: 8 июля 2026 г.
Масютин Д. А., Моисеев Э. И., Комаров С. Д. и др., Письма в Журнал технической физики 2026 Т. 52 № 7 С. 27–30
Исследованы инжекционные полупроводниковые микролазеры с кольцевым резонатором радиусом 15 мкм с несимметричным расположением внутреннего отверстия резонатора. Показано, что асимметрия обеспечивает формирование в диаграмме направленности двух лепестков излучения, разориентированных на 50° относительно оси смещения внутреннего отверстия. Измеренная добротность резонаторов сопоставима с добротностью дисковых резонаторов и находится на уровне ∼ 10^6. ...
Добавлено: 18 мая 2026 г.
Babichev A., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics 2026 Vol. 32 No. 6 Article 1700208
Добавлено: 23 марта 2026 г.