Optical properties of InGaAsN quantum well-based microlasers passivated by SiO2 sol–gel film

Ivan Melnichenko; Shugabaev T.; N. Fominykh; I. Makhov; E. Moiseev; Gridchin V.; A. Zhukov; Kulagina M.; N. Kryzhanovskaya

doi:10.1364/OL.577745

?

Optical properties of InGaAsN quantum well-based microlasers passivated by SiO2 sol–gel film

Optics Letters. 2025. Vol. 50. No. 21. P. 6819–6822.

Ivan Melnichenko, Shugabaev T., Фоминых Н. А., Махов И. С., Моисеев Э. И., Gridchin V., Жуков А. Е., Kulagina M., Крыжановская Н. В.

Научное направление: Физика Нанотехнологии

Язык: английский

Полный текст

DOI

Текст на другом сайте

Ключевые слова: микролазеры microlasers поверхностная пассивация surface passivation InGaAsN quantum well InGaAsN квантовая яма

ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:

Исследование дисковых микролазеров и фотонных интегральных схем для оптических переключений и сенсорных элементов (2025)

Wave propagation and transformation in the frame of magnetohydrodynamics with a vortex electric field

Bisnovatyi-Kogan G., Кондратьев И. А., Моисеенко С. Г., International Journal of Modern Physics A 2025 Vol. 40 No. 7 Article 2550018

Добавлено: 11 мая 2026 г.

MHD Simulations of Magnetized Rotating Jets

Торопина О. Д., Бисноватый-Коган Г. С., Моисеенко С. Г., Astronomy Reports 2025 Vol. 69 No. Suppl. 1 P. 80–90

Представлены результаты МГД-моделирования сверхзвуковых астрофизических и лабораторных струй во внешнем полоидальном магнитном поле (Br,Bz) с учетом вращения вещества. Выброшенное вещество коллимируется магнитным полем, степень коллимации и структура потока зависят от соотношения между индукцией магнитного поля и угловой скоростью вещества. При сильном магнитном поле и умеренном вращении образуется бочкообразная структура вытянутой формы, оставляющая после себя стабильный ...

Добавлено: 11 мая 2026 г.

Synthesis, Structures, and Optical Properties of Semiconductor Perovskite Nanoparticles CsBX3 (B = Pb, Mn; X = Br, Cl)

Гущина В. А., Russian Journal of Inorganic Chemistry 2024 Vol. 69 No. 6 P. 940–948

В настоящее время наночастицы ABX3 (NPs) на основе галогенидов свинца привлекают внимание благодаря своим уникальным оптическим свойствам и широкому спектру применения. Получение наночастиц со свинцом в качестве частичной или полной замены особенно интересно из-за токсичности этого химического элемента и большинства его соединений. В этом исследовании мы предлагаем модифицированный метод синтеза наночастиц перовскита с использованием марганца в качестве ...

Добавлено: 6 мая 2026 г.

Impact on Aluminum Alloy B95 by Powerful Pulsed Ion-Plasma and Electron Flows in the Plasma Focus Device

Morozov E. V., Demin A. S., Borovitskaya I. V. и др., Inorganic Materials: Applied Research 2026 Vol. 17 No. 3 P. 619–626

Добавлено: 4 мая 2026 г.

An Approximate Method for Calculating Kinetic Coefficients of Heavy Ions in He-Containing Mixtures in a Strong Electric Field

Пономарев А. А., Александров Н. Л., Plasma Physics Reports 2026 Vol. 52 No. 3 P. 367–378

Добавлено: 27 апреля 2026 г.

Influence of the Normal Magnetic Component to Magnetotail Current Sheet Forma

Domrin V. I., Malova H. V., V. Yu. Popov и др., Cosmic Research 2026 Vol. 64 No. 2 P. 238–252

Добавлено: 27 апреля 2026 г.

Asymmetric Equilibrium Structures of Superthin Current Sheets: The Asymmetry of Plasma Sources

Tsareva O. O., Malova H. V., V. Yu. Popov и др., Plasma Physics Reports 2026 Vol. 52 No. 2 P. 179–185

Добавлено: 27 апреля 2026 г.

Особенности генерации квазипериодических ОНЧ-излучений с существенной частотной динамикой внутри плазмосферы

П.А.Беспалов, О.Н. Савина, Геомагнетизм и аэрономия 2025 Т. 65 № 5 С. 620–628

Рассмотрены несколько базовых моделей частотной динамики в квазипериодических ОНЧ-излучениях с периодами повторения спектральных форм от 10 до 300 с. Во всех случаях речь идет о проявлениях циклотронной неустойчивости электронных радиационных поясов, которые хорошо описываются в рамках теории плазменного магнитосферного мазера, основанной на усредненной самосогласованной системе квазилинейных уравнений для частиц и волн. Не очень четкие спектральные элементы характерны для QP-всплесков, представляющих ...

Добавлено: 25 апреля 2026 г.

Modeling of Influence of a Thin Dielectric Film at a Fraction of Cathode Surface on Transition of a Glow Gas Discharge into an Arc Discharge

Bondarenko G.G., Fisher M. R., Kristya V. I., Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics 2026 Vol. 90 No. 4 P. 572–576

Добавлено: 25 апреля 2026 г.

Stable Multi-Wavelength Resonant Metal-dielectric Hybrid Nanostructure in the Infrared Range

Lu X., Tognazzi A., Klimov V. и др., Plasmonics 2026 Vol. 21 P. 1503–1512

Добавлено: 22 апреля 2026 г.

Cross-influence of two societies in deterministic evolutionary game

Щур Л. Н., Antonov D., Burovski E., International Journal of Bifurcation and Chaos in Applied Sciences and Engineering 2026 P. 1–9

Добавлено: 20 апреля 2026 г.

Ising models on the hydrogen peroxide and other lattices

Qin X., Deng Y., Щур Л. Н. и др., / Series arXiv "math". 2026. No. 2603.02962.

Добавлено: 20 апреля 2026 г.

Algorithmic overlaps as thermodynamic variables: from local to cluster Monte Carlo dynamics in critical phenomena

Пиле Я. Э., Deng Y., Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2026. No. 2604.10254.

Добавлено: 20 апреля 2026 г.

Electric Double Layer: From Classical Stern-like Models to Advanced Continuum Theories

Doronin S. V., Будков Ю. А., Current Opinion in Electrochemistry 2026 Vol. 57 Article 101853

Добавлено: 19 апреля 2026 г.

Theory of capillary-induced self-coacervation in zwitterionic polymer solutions

Nikolai N. Kalikin, Petr E. Brandyshev, Yury A. Budkov, Journal of Chemical Physics 2026 Vol. 164 No. 15 Article 154904

Добавлено: 18 апреля 2026 г.

UV-C microdisk lasers based on AlGaN heterostructures on sapphire

Моисеев Э. И., D.A. Masyutin, I.A. Melnichenko и др., Optics and Laser Technology 2026 Vol. 201 No. 115289 Article 115289

Добавлено: 18 апреля 2026 г.

Quantum-dot surface-emitting lasers: micropillar cavities grown by molecular-beam epitaxy

Babichev A., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics 2026 Vol. 32 No. 6 Article 1700208

Добавлено: 23 марта 2026 г.

Высокочастотная модуляция микрокольцевого лазера с квантовыми точками при повышенной температуре

Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Махов И. С. и др., Письма в Журнал технической физики 2025 Т. 51 № 20 С. 32–35

Исследованы динамические характеристики микрокольцевого лазера с квантовыми точками InGaAs/GaAs с помощью малосигнальной высокочастотной токовой модуляции при 55 ◦С. Наибольшее значение полосы модуляции составило 3.7 GHz, энергозатраты при оптической передаче оценены в 4.2−6.4 pJ/bit. Также определены температурные зависимости параметров, влияющих на быстродействие (K-фактор, пороговый ток, эффективность токовой модуляции). ...

Добавлено: 29 октября 2025 г.

Микродисковые лазеры с вынесенной контактной площадкой мостиковой конструкции, сформированные жидкостным химическим травлением

Образцова А. А., Пивоварова А. А., Комаров С. Д. и др., Физика и техника полупроводников 2025 Т. 59 № 1 С. 37–42

Представлен подход к созданию микролазеров с квантовыми точками на подложках GaAs с дисковым резонатором, электрическим контактом мостикового типа и опорной мезой, сформированными методом жидкостного химического травления. Мостиковая конструкция представляет собой две соединенные подвешенной золотой балкой мезаструктуры, одна из которых является, собственно, микродисковым резонатором, а вторая служит для создания вынесенного электрического контакта. Предложенный метод открывает пути ...

Добавлено: 26 мая 2025 г.

Полудисковые микролазеры с полукольцевым контактом на основе InGaAs/GaAs квантовых яма-точек с высокой выходной мощностью

Зубов Ф. И., Шерняков Ю. М., Бекман А. А. и др., Письма в Журнал технической физики 2024 Т. 50 № 6 С. 23–27

Исследованы ватт-амперные характеристики полудисковых микролазеров c активной областью на основе квантовых яма-точек InGaAs/GaAs, излучающих на длине волны 1090 nm. Приборы изготовлены путем скалывания дисковых резонаторов диаметром 200 µm с шириной кольцевого контакта 10 µm. В режиме непрерывной накачки максимальная выходная мощность при 20◦C составила 110 mW, а лазерная генерация наблюдалась до 113◦C ...

Добавлено: 25 февраля 2025 г.

Ultra-short stripe microlasers fabricated with a focused ion beam etching technique

Махов И. С., Комаров С. Д., Фоминых Н. А. и др., Optics Letters 2025 Vol. 50 No. 2 P. 387–390

Добавлено: 9 января 2025 г.

Mode leakage into substrate in microdisk lasers

I.A. Melnichenko, E.I. Moiseev, K.A. Ivanov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2024 Vol. 17 No. 3_2 P. 212–216

Экспериментально и с помощью моделирования исследовано распространение мод шепчущей галереи дискового лазера с квантово-точечной инжекцией в подложке GaAs. Для микролазера диаметром 50 мкм с облицовками из Al0.4Ga0.6As толщиной 1,5 мкм интенсивность моды, просачивающейся в подложку, может составлять до 10-3 от интенсивности лазерной моды в волноводе. ...

Добавлено: 23 декабря 2024 г.

Far-field patterns and lasing threshold of limaçon − and quadrupole-shaped microlasers with InGaAs quantum well-dots

Моисеев Э. И., Иванов К. А., Khabibullin R. и др., Optics and Laser Technology 2025 Vol. 183 Article 112299

Добавлено: 23 декабря 2024 г.

Микродисковые лазеры на основе InGaAs/GaAs-квантовых точек, монолитно-интегрированные с волноводом

Фоминых Н. А., Крыжановская Н. В., Комаров С. Д. и др., Физика и техника полупроводников 2024 Т. 58 № 2 С. 107–113

Исследованы микродисковые лазеры диаметром 30 и 40 мкм с активной областью на основе InGaAs/GaAs- квантовых точек, латерально сопряженные с оптическим волноводом. Микролазеры и волноводы были изготовлены в едином процессе на одной подложке GaAs. Проведено исследование спектральных характеристик при протекающих через микролазер и (или) волновод токах инжекции, превышающих порог генерации до 4 раз. Показана возможность снижения ...

Добавлено: 20 мая 2024 г.