Изменение зарядового состояния МОП-структур с радиационно-индуцированным зарядом при сильнополевой инжекции электронов

Андреев Д. В.; Г. Г. Бондаренко; Андреев В. В.

doi:10.31857/S1028096023010053

Публикации

?

Изменение зарядового состояния МОП-структур с радиационно-индуцированным зарядом при сильнополевой инжекции электронов

Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2023. № 1. С. 55–60.

Андреев Д. В., Бондаренко Г. Г., Андреев В. В.

Изучено влияние режимов сильнополевой инжекции электронов на зарядовое состояние и дефект-
ность МОП-структуры (металл–оксид–полупроводник) после радиационного облучения. Показа-
но, что для стирания радиационно-индуцированного положительного заряда, накапливаемого в
пленке SiO2 МОП-структур, необходимо использовать сильнополевую туннельную инжекцию
электронов по Фаулеру–Нордгейму при электрических полях, не вызывающих генерацию дырок.
Установлено, что стирание радиационно-индуцированного положительного заряда в пленке SiO2
МОП-структур и генерация новых поверхностных состояний в основном определяются величиной
заряда, инжектированного в диэлектрик. Установлено, что при аннигиляции захваченных в SiO2
дырок в результате взаимодействия с инжектированными электронами наблюдается существенное
увеличение количества поверхностных состояний, значительно превышающих количество поверх-
ностных состояний, возникающих при отжиге радиационно-индуцированного заряда при комнат-
ной температуре. Предложена модель, описывающая процесс аннигиляции радиационно-индуци-
рованного положительного заряда при взаимодействии с инжектированными электронами.

Научное направление: Технические науки Технологии материалов

Язык: русский

Полный текст

DOI

Ключевые слова: high-field electron injection МОП-структура сильно-полевая инжекция электронов MOS Structures Radiation-Induced Charge радиационно-индуцированный заряд

Современные тенденции и инновации в науке и производстве. Материалы XV международной научно-практической конференции

Междуреченск: Кузбасский государственный технический университет им. Т.Ф. Горбачева, 2026.

В сборнике представлены материалы докладов по направлениям Международной научно-практической конференции «Современные тенденции и инновации в науке и производстве»: 1. Технологии и инновации в горной промышленности; 2. Экономика, управление, финансы; 3. Информационные системы и технологии; 4. Юный исследователь. Целью этой конференции является обмен передовым опытом, повышения квалификации их участников и, вместе с тем, это способ установления и укрепления научного сотрудничества среди ...

Добавлено: 11 августа 2026 г.

Modeling of the Influence of Temperature on Interaction of a Cathode with a Thin Insulating Film and a Glow Gas Discharge Plasma in a Mixture of Argon and Mercury Vapor

G. G. Bondarenko, Kristya V. I., Savichkin D. O. и др., Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques 2026 Vol. 20 No. 2 P. 417–423

Добавлено: 1 августа 2026 г.

Proceedings of the International Science Conference “Scientific research of the SCO countries: synergy and integration” - Reports in English (June 3, 2026. Beijing, PRC)

Scientific publishing house Infinity, 2026.

Добавлено: 24 июля 2026 г.

A simplified approach to predicting thermal expansion anisotropy of solids from first principles: application to the orthorhombic phase of Mo2C

Dmitry Vasilyev, Gorev V., Ихсанов Р. Ш. и др., Journal of Materials Science 2026 No. 61 P. 25452–25470

Добавлено: 23 июля 2026 г.

Influence of Pulsed Laser Radiation on the Morphology and Surface Properties of Tungsten Implanted with Helium Ions

Borovitskaya I. V., Pimenov V. N., Korshunov S. N. и др., Physics of Atomic Nuclei 2026 Vol. 89 No. 1 P. S48–S55

Добавлено: 22 июля 2026 г.

De-Dollarization, Global Economic Integration, and Resilience in BRICS+ Economies

Kilinc N., Али И., Economies 2026 Vol. 14 No. 7 Article 277

Добавлено: 14 июля 2026 г.

2025 9th International Conference on Information, Control, and Communication Technologies (ICCT-2025)

IEEE, 2025.

Добавлено: 23 июня 2026 г.

Моделирование влияния температуры на взаимодействие катода с тонкой диэлектрической пленкой и плазмы тлеющего газового разряда в смеси аргона и паров ртути

Г. Г. Бондаренко, Кристя В. И., Савичкин Д. О. и др., Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 2026 № 4 С. 29–36

Сформулирована модель тлеющего газового разряда в смеси аргона и паров ртути при наличии на поверхности катода тонкой диэлектрической пленки. Рассчитаны зависимости характеристик разряда от температуры в интервале ее изменения, в котором заметный вклад в ионизацию рабочей газовой смеси дает ионизация атомов ртути метастабильными возбужденными атомами аргона (реакция Пеннинга). Показано, что в случае катода без диэлектрической пленки при повышении температуры до ...

Добавлено: 20 июня 2026 г.

Structural and broadband radio-frequency properties of InGaZnO4 nanoparticles synthesized by gel decomposition method

Zirnik G., Остовари М. А., Zhukov S. и др., Journal of Materials Science: Materials in Electronics 2026 Vol. 37 Article 738

Добавлено: 6 июня 2026 г.

Facile and Green Approach to Synthesize Biomass-Derived Zero-/Two-Dimensional Carbon Dots/g-C3N4 Heterojunction for Efficient Photocatalytic and Photoelectrocatalytic Applications

Дас А., Saikia J., Maji N. и др., ChemNanoMat 2026 Vol. 12 No. 5 Article e202500733

Добавлено: 2 июня 2026 г.

Optimal Design of Copper-Doped ZnO Heterostructures for Photocatalytic and Photoeletrochemical Performance: A Combined Experimental and DFT Study

Wary R. R., Mahato B., Sharma N. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2026 Vol. 17 No. 17 P. 5099–5107

Добавлено: 2 июня 2026 г.

Bridging Superconductors With United Nations Development Goals: Perspectives and Applications

Duran E. ., Pulgar A., Izquierdo R. и др., Physica Status Solidi (A) Applications and Materials 2026 Vol. 223 No. 7 Article e202500942

Добавлено: 1 июня 2026 г.

Анализ направлений инновационного развития средств измерений в Российской Федерации

Плотников С. О., Альманах современной метрологии 2024 № 2(38) С. 140–149

Приведены результаты анализа данных, собранных методом экспертного анкетирования сотрудников государственных научных метрологических институтов, а также покупателей средств измерений. ...

Добавлено: 21 мая 2026 г.

АНАЛИЗ СОДЕРЖАНИЯ ФЕДЕРАЛЬНОГО ИНФОРМАЦИОННОГО ФОНДА ПО ОБЕСПЕЧЕНИЮ ЕДИНСТВА ИЗМЕРЕНИЙ В ЧАСТИ ОСЦИЛЛОГРАФОВ

Апрелев А. В., Пивоварова Н. И., Плотников С. О. и др., Альманах современной метрологии 2022 № 2(30) С. 94–101

Приведены результаты анализа данных, находящихся в Федеральном информационном фонде по обеспечению единства измерений в части осциллографов. ...

Добавлено: 21 мая 2026 г.

Влияние материала затвора МДП-структур на процессы сильнополевой зарядовой деградации подзатворного диэлектрика

Андреев Д. В., Корнев С. А., Бондаренко Г. Г. и др., Перспективные материалы 2026 № 6 С. 5–11

Выполнено сравнительное исследование процессов сильнополевой зарядовой деградации подзатворного диэлектрика структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) с алюминиевым и поликремниевым затвором. Зарядовые явления в МДП-структурах изучали методом сильнополевой инжекции электронов в диэлектрик в режиме возрастания плотности стрессового инжекционного тока с кратковременными переключениями в измерительный режим при постоянной низкой плотности инжекционного тока. Использование данного метода позволило получить новые данные о процессах зарядовой деградации подзатворного диэлектрика МДП-структур с ...

Добавлено: 21 мая 2026 г.

Plasmonic Au-Assisted g-C3N4/CeO2 Heterojunction for Enhanced Photocatalytic Breakdown of Organic Pollutants

Rathish S., Andrey S. Vasenko, Thazhathenair A. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2026 Vol. 17 No. 18 P. 5386–5394

Добавлено: 16 мая 2026 г.

The origin of enhanced photocatalytic performance in titanium dioxide via niobium doping: From experimental assessments to DFT insights

Paul R., Дас А., Sharma N. и др., Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects 2026 Vol. 728 Article 138830

Добавлено: 16 мая 2026 г.

Change in the Charge State of MOS Structures with a Radiation-Induced Charge under High-Field Injection of Electrons

Andreev D. V., Бондаренко Г. Г., Andreev V. V., Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques 2023 Vol. 17 No. 1 P. 48–53

Добавлено: 27 марта 2023 г.

Use of MIS Sensors of Radiation in High-Field Electron Injection Modes

Andreev D. V., Bondarenko G.G., Andreev V. V. и др., Journal of Contemporary Physics 2020 Vol. 55 No. 2 P. 144–150

Добавлено: 2 июля 2020 г.

Charge Effects in the Dielectric Films of MIS Structures under the Concurrent Influence of Radiation and High-Field Electron Injection

Andreev D. V., Bondarenko G.G., Andreev V. V. и др., Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques 2020 Vol. 14 No. 2 P. 260–263

Добавлено: 26 мая 2020 г.

Use of High-Field Electron Injection into Dielectrics to Enhance Functional Capabilities of Radiation MOS Sensors

Andreev D. V., Gennady G.Bondarenko, Andreev V. V. и др., Sensors 2020 Vol. 20 (8) No. 2382 P. 1–11

Добавлено: 23 апреля 2020 г.

Зарядовые явления в диэлектрических пленках МДП-структур при одновременном воздействии радиационных излучений и сильнополевой инжекции электронов

Андреев Д. В., Бондаренко Г. Г., Андреев В. В. и др., Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 2020 № 3 С. 53–57

На основе полученных экспериментальных данных разработана модель процессов изменения зарядового состояния МДП-структур при одновременном воздействии сильнополевой туннельной инжекции электронов и радиационных излучений. Модель учитывает взаимодействие инжектированных электронов с зарядами, возникающими в диэлектрической пленке вследствие радиационной и сильнополевой ионизации. Показано, что при взаимодействии инжектируемых электронов с дырками, захваченными в пленке SiO2, часть дырок может аннигилировать, приводя к ...

Добавлено: 17 февраля 2020 г.

Charge characteristics of MOS structure with thermal SiO2 films doped with phosphorus under high-field electron injection

Andreev D. V., Бондаренко Г. Г., Stolyarov A. A., Inorganic Materials: Applied Research 2016 Vol. 7 No. 2 P. 187–191

Добавлено: 28 мая 2016 г.

Modification of MOS Devices by High-Field Electron Injection and Arc Plasma Jet Treatment

Andreev V. V., Бондаренко Г. Г., Maslovsky V. M. и др., Acta Physica Polonica A 2015 Vol. 12 No. 5 P. 887–890

Добавлено: 31 декабря 2015 г.