?
Изменение зарядового состояния МОП-структур с радиационно-индуцированным зарядом при сильнополевой инжекции электронов
Изучено влияние режимов сильнополевой инжекции электронов на зарядовое состояние и дефект-
ность МОП-структуры (металл–оксид–полупроводник) после радиационного облучения. Показа-
но, что для стирания радиационно-индуцированного положительного заряда, накапливаемого в
пленке SiO2 МОП-структур, необходимо использовать сильнополевую туннельную инжекцию
электронов по Фаулеру–Нордгейму при электрических полях, не вызывающих генерацию дырок.
Установлено, что стирание радиационно-индуцированного положительного заряда в пленке SiO2
МОП-структур и генерация новых поверхностных состояний в основном определяются величиной
заряда, инжектированного в диэлектрик. Установлено, что при аннигиляции захваченных в SiO2
дырок в результате взаимодействия с инжектированными электронами наблюдается существенное
увеличение количества поверхностных состояний, значительно превышающих количество поверх-
ностных состояний, возникающих при отжиге радиационно-индуцированного заряда при комнат-
ной температуре. Предложена модель, описывающая процесс аннигиляции радиационно-индуци-
рованного положительного заряда при взаимодействии с инжектированными электронами.