• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Статьи
  • Change in the Charge State of MOS Structures with a Radiation-Induced Charge under High-Field Injection of Electrons
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
17 июня 2026 г.
Биоинформатики НИУ ВШЭ обнаружили 20 опасных мутаций в гене, связанном с легочной артериальной гипертензией
Ученые НИУ ВШЭ совместно с коллегами из российских университетов выяснили, какие мутации в гене ACVRL1 опасны для пациентов с легочной артериальной гипертензией. Они смоделировали, как изменения в гене влияют на связывание АТФ с белком — процесс, от которого зависит передача сигналов, необходимых для работы сосудов. Оказалось, что 20 из 32 вариантов могут нарушать передачу сигнала и провоцировать болезнь. Результаты опубликованы в Journal of Structural Biology.
17 июня 2026 г.
Интеллектуальная робототехника: кадровый голод и масса возможностей
Пока на рынке мало кадров, способных заниматься разработкой интеллектуальных робототехнических систем. Между тем именно к этому идет робототехника. Как учат ее проектированию и каково будущее отрасли, в интервью IQ Media рассказал заведующий Проектно-учебной лабораторией робототехники НИУ ВШЭ Вадим Моргачев.
17 июня 2026 г.
Каким должно быть образование, чтобы готовить кадры для экономики будущего
Эти вопросы обсудят на форуме HR EXPO PRO ЛЮДЕЙ, который состоится 18-19 июня в Москве. В его работе примет участие ректор НИУ ВШЭ Никита Анисимов, федеральные министры, HR-директора компаний, ректоры вузов, эксперты. На форуме будет представлен стенд, посвященный программам ДПО НИУ ВШЭ.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Change in the Charge State of MOS Structures with a Radiation-Induced Charge under High-Field Injection of Electrons

Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2023. Vol. 17. No. 1. P. 48–53.
Andreev D. V., Бондаренко Г. Г., Andreev V. V.
Научное направление: Тех­ничес­кие науки Технологии материалов
Язык: английский
Полный текст
Ключевые слова: МОП-структурыhigh-field injectionMOS StructuresRadiation-Induced Chargeрадиационно-индуцированный зарядсильно-полевая инжекция
Похожие публикации
Structural and broadband radio-frequency properties of InGaZnO4 nanoparticles synthesized by gel decomposition method
Zirnik G., Остовари М. А., Zhukov S. и др., Journal of Materials Science: Materials in Electronics 2026 Vol. 37 Article 738
Добавлено: 6 июня 2026 г.
Facile and Green Approach to Synthesize Biomass-Derived Zero-/Two-Dimensional Carbon Dots/g-C3N4 Heterojunction for Efficient Photocatalytic and Photoelectrocatalytic Applications
Дас А., Saikia J., Maji N. и др., ChemNanoMat 2026 Vol. 12 No. 5 Article e202500733
Добавлено: 2 июня 2026 г.
Optimal Design of Copper-Doped ZnO Heterostructures for Photocatalytic and Photoeletrochemical Performance: A Combined Experimental and DFT Study
Wary R. R., Mahato B., Sharma N. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2026 Vol. 17 No. 17 P. 5099–5107
Добавлено: 2 июня 2026 г.
Bridging Superconductors With United Nations Development Goals: Perspectives and Applications
Duran E. ., Pulgar A., Izquierdo R. и др., Physica Status Solidi (A) Applications and Materials 2026 Vol. 223 No. 7 Article e202500942
Добавлено: 1 июня 2026 г.
Анализ направлений инновационного развития средств измерений в Российской Федерации
Плотников С. О., Альманах современной метрологии 2024 № 2(38) С. 140–149
Приведены результаты анализа данных, собранных методом экспертного анкетирования сотрудников государственных научных метрологических институтов, а также покупателей средств измерений. ...
Добавлено: 21 мая 2026 г.
АНАЛИЗ СОДЕРЖАНИЯ ФЕДЕРАЛЬНОГО ИНФОРМАЦИОННОГО ФОНДА ПО ОБЕСПЕЧЕНИЮ ЕДИНСТВА ИЗМЕРЕНИЙ В ЧАСТИ ОСЦИЛЛОГРАФОВ
Апрелев А. В., Пивоварова Н. И., Плотников С. О. и др., Альманах современной метрологии 2022 № 2(30) С. 94–101
Приведены результаты анализа данных, находящихся в Федеральном информационном фонде по обеспечению единства измерений в части осциллографов. ...
Добавлено: 21 мая 2026 г.
Влияние материала затвора МДП-структур на процессы сильнополевой зарядовой деградации подзатворного диэлектрика
Андреев Д. В., Корнев С. А., Бондаренко Г. Г. и др., Перспективные материалы 2026 № 6 С. 5–11
Выполнено сравнительное исследование процессов сильнополевой зарядовой деградации подзатворного диэлектрика структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) с алюминиевым и поликремниевым затвором. Зарядовые явления в МДП-структурах изучали методом сильнополевой инжекции электронов в диэлектрик в режиме возрастания плотности стрессового инжекционного тока с кратковременными переключениями в измерительный режим при постоянной низкой плотности инжекционного тока. Использование данного метода позволило получить новые данные о процессах зарядовой деградации подзатворного диэлектрика МДП-структур с ...
Добавлено: 21 мая 2026 г.
Plasmonic Au-Assisted g-C3N4/CeO2 Heterojunction for Enhanced Photocatalytic Breakdown of Organic Pollutants
Rathish S., Andrey S. Vasenko, Thazhathenair A. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2026 Vol. 17 No. 18 P. 5386–5394
Добавлено: 16 мая 2026 г.
The origin of enhanced photocatalytic performance in titanium dioxide via niobium doping: From experimental assessments to DFT insights
Paul R., Дас А., Sharma N. и др., Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects 2026 Vol. 728 Article 138830
Добавлено: 16 мая 2026 г.
Perovskite nanoparticles Cs4PbBr6 and CsPbBr3: synthesis, analysis and peculiar optical properties
Гущина В. А., / Series chemrxiv-2023-vpzhz-v2 "ChemRxiv". 2023.
Наночастицы полностью неорганических перовскитов CsPbBr3 и Cs4PbBr6 интенсивно изучаются благодаря их уникальным свойствам и широкому спектру применений; однако природа их оптических свойств до сих пор полностью не изучена из-за сложности синтеза однофазных наночастиц. В данной статье мы описываем особенности синтеза однофазных частиц и результаты их химического и фазового анализа. Используя данные о концентрациях наночастиц, мы ...
Добавлено: 14 мая 2026 г.
CsPbBr3 and Cs4PbBr6 perovskite nanoparticles: hidden potential of Cs4PbBr6 or ineffective fluorescence?
Гущина В. А., Mendeleev Communications 2025 Vol. 35 No. 2 P. 193–195
Наночастицы полностью неорганических перовскитов CsPbBr3 и Cs4PbBr6 интенсивно изучаются благодаря их уникальным оптическим свойствам, хотя синтез однофазных наночастиц представляет собой сложную задачу. В данной работе подробно описан метод синтеза однофазных наночастиц CsPbBr3 и Cs4PbBr6, а также их химический и фазовый анализ. В рамках современной концепции зонной структуры перовскитов выявлены и объяснены характерные оптические свойства, такие ...
Добавлено: 14 мая 2026 г.
SERS effect on the surface of ZnO nanorods coated with CsPbBr3
Гущина В. А., Physics of Complex System 2026 Vol. 7 No. 1 P. 3–15
Гетероструктуры на основе наностержней ZnO и наночастиц CsPbBr3 были ис-следованы с целью оценки их потенциала в качестве полупроводниковых SERS-субстратов. Было выявлено, что морфология ZnO определяет эффективность межфазного переноса энергии, уве-личивая фотолюминесценцию при длине возбуждения 390 нм и вызывая снижение ширины за-прещенной зоны в композитах. Анализ спектров комбинационного рассеяния выявил значитель-ное усиление интенсивности и появление низкочастотных ...
Добавлено: 14 мая 2026 г.
Интегрированная среда моделирования для верификации и валидации программ управления подключенными и высокоавтоматизированными транспортными средствами
Степанянц В. Г., Хорошилов Г. С., Долгов И. М. и др., Труды Института системного программирования РАН 2026 Т. 38 № 3 С. 95–110
На рынок постепенно выходят высокоавтоматизированные и подключенные транспортные средства (ТС). В настоящее время предлагаются решения, позволяющие использовать эти технологии для совместного управления дорожным движением, что может значительно повысить его безопасность. В статье анализируются требования к интегрированной среде моделирования подключенных и высокоавтоматизированных ТС и совместной автоматизации управления дорожным движением с высокодетализированным учетом влияния окружающих объектов. Проанализированы ...
Добавлено: 12 мая 2026 г.
Synthesis, Structures, and Optical Properties of Semiconductor Perovskite Nanoparticles CsBX3 (B = Pb, Mn; X = Br, Cl)
Гущина В. А., Russian Journal of Inorganic Chemistry 2024 Vol. 69 No. 6 P. 940–948
В настоящее время наночастицы ABX3 (NPs) на основе галогенидов свинца привлекают внимание благодаря своим уникальным оптическим свойствам и широкому спектру применения. Получение наночастиц со свинцом в качестве частичной или полной замены особенно интересно из-за токсичности этого химического элемента и большинства его соединений. В этом исследовании мы предлагаем модифицированный метод синтеза наночастиц перовскита с использованием марганца в качестве ...
Добавлено: 6 мая 2026 г.
Программные инструментальные средства для разработки мероприятий по снижению брака серийного производства
Ясницкий Л. Н., Голдобин М. А., Мезенцев А. С., Прикладная математика и вопросы управления 2025 № 2 С. 99–116
Представлен обзор современных методов и основанных на них программных инструментах, применяемых для математического моделирования серийных производственных процессов с целью снижения брака и повышения качества производимых изделий. Перечисляются группы работ, нацеленных на обнаружение и классификацию дефектов, работ, в которых решаются задачи прогнозирования образования дефектов и определения значимости параметров, работ направленных на поиск оптимального сочетания технологических параметров изготовления изделий, ...
Добавлено: 5 мая 2026 г.
Impact on Aluminum Alloy B95 by Powerful Pulsed Ion-Plasma and Electron Flows in the Plasma Focus Device
Morozov E. V., Demin A. S., Borovitskaya I. V. и др., Inorganic Materials: Applied Research 2026 Vol. 17 No. 3 P. 619–626
Добавлено: 4 мая 2026 г.
Synthesis and Properties of a Composite Material Based on Polyethylene, Bismuth Oxide, and Boron Carbide
Pavlenko V. I., Bondarenko G.G., Cherkashina N. I. и др., Inorganic Materials: Applied Research 2026 Vol. 17 No. 2 P. 276–282
Добавлено: 9 апреля 2026 г.
Изменение зарядового состояния МОП-структур с радиационно-индуцированным зарядом при сильнополевой инжекции электронов
Андреев Д. В., Бондаренко Г. Г., Андреев В. В., Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 2023 № 1 С. 55–60
Изучено влияние режимов сильнополевой инжекции электронов на зарядовое состояние и дефектность МОП-структуры (металл–оксид–полупроводник) после радиационного облучения. Показано, что для стирания радиационно-индуцированного положительного заряда, накапливаемого в пленке SiO2 МОП-структур, необходимо использовать сильнополевую туннельную инжекцию электронов по Фаулеру–Нордгейму при электрических полях, не вызывающих генерацию дырок. Установлено, что стирание радиационно-индуцированного положительного заряда в пленке SiO2 МОП-структур и генерация новых поверхностных состояний в ...
Добавлено: 27 марта 2023 г.
Simulation of charge processes in dielectric films of MIS structures at simultaneous influence by ionization and high-field injection of electrons
Andreev D. V., Bondarenko G.G., Andreev V. V. и др., Procedia Manufacturing 2019 Vol. 37 P. 279–285
Добавлено: 10 января 2020 г.
Modification of MIS structures with thermal SiO2 films by phosphorus diffusion
Andreev D. V., Bondarenko G.G., Andreev V. V. и др., High Temperature Material Processes 2017 Vol. 21 No. 4 P. 299–307
Добавлено: 24 июня 2018 г.
Modification of MIS Structures by Electron Irradiation and High-Field Electron Injection
Andreev D. V., Бондаренко Г. Г., Stolyarov A. A., Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques 2016 Vol. 10 No. 2 P. 450–454
Добавлено: 28 мая 2016 г.
Modification of thin oxide films of MOS structure by high-field injection and irradiation
Andreev D. V., Бондаренко Г. Г., Andreev V. V. и др., IOP Conference Series: Materials Science and Engineering (MSE) 2016 Vol. 110 No. 012041 P. 1–6
We have investigated processes of modification and changing of the charge state of MOS structures having a multilayer gate dielectric based on a thermal SiO2 film doped with phosphorus under conditions of different modes of high-field electron injection and an electron irradiation. We have determined that negative charge, accumulating in the phosphosilicate glass (PSG) ultra ...
Добавлено: 24 февраля 2016 г.
Modification of MOS Devices by High-Field Electron Injection and Arc Plasma Jet Treatment
Andreev V. V., Бондаренко Г. Г., Maslovsky V. M. и др., Acta Physica Polonica A 2015 Vol. 12 No. 5 P. 887–890
Добавлено: 31 декабря 2015 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • http://www.edu.ru
    Федеральный портал «Российское образование»
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика конфиденциальности
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору