?
Change in the Charge State of MOS Structures with a Radiation-Induced Charge under High-Field Injection of Electrons
Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2023. Vol. 17. No. 1. P. 48–53.
Междуреченск: Кузбасский государственный технический университет им. Т.Ф. Горбачева, 2026.
В сборнике представлены материалы докладов по направлениям Международной научно-практической конференции «Современные тенденции и инновации в науке и производстве»: 1. Технологии и инновации в горной промышленности; 2. Экономика, управление, финансы; 3. Информационные системы и технологии; 4. Юный исследователь. Целью этой конференции является обмен передовым опытом, повышения квалификации их участников и, вместе с тем, это способ установления и укрепления научного сотрудничества среди ...
Добавлено: 11 августа 2026 г.
G. G. Bondarenko, Kristya V. I., Savichkin D. O. и др., Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques 2026 Vol. 20 No. 2 P. 417–423
Добавлено: 1 августа 2026 г.
Scientific publishing house Infinity, 2026.
Добавлено: 24 июля 2026 г.
Dmitry Vasilyev, Gorev V., Ихсанов Р. Ш. и др., Journal of Materials Science 2026 No. 61 P. 25452–25470
Добавлено: 23 июля 2026 г.
Borovitskaya I. V., Pimenov V. N., Korshunov S. N. и др., Physics of Atomic Nuclei 2026 Vol. 89 No. 1 P. S48–S55
Добавлено: 22 июля 2026 г.
IEEE, 2025.
Добавлено: 23 июня 2026 г.
Г. Г. Бондаренко, Кристя В. И., Савичкин Д. О. и др., Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 2026 № 4 С. 29–36
Сформулирована модель тлеющего газового разряда в смеси аргона и паров ртути при наличии
на поверхности катода тонкой диэлектрической пленки. Рассчитаны зависимости характеристик
разряда от температуры в интервале ее изменения, в котором заметный вклад в ионизацию
рабочей газовой смеси дает ионизация атомов ртути метастабильными возбужденными атомами
аргона (реакция Пеннинга). Показано, что в случае катода без диэлектрической пленки при
повышении температуры до ...
Добавлено: 20 июня 2026 г.
Zirnik G., Остовари М. А., Zhukov S. и др., Journal of Materials Science: Materials in Electronics 2026 Vol. 37 Article 738
Добавлено: 6 июня 2026 г.
Добавлено: 2 июня 2026 г.
Wary R. R., Mahato B., Sharma N. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2026 Vol. 17 No. 17 P. 5099–5107
Добавлено: 2 июня 2026 г.
Duran E. ., Pulgar A., Izquierdo R. и др., Physica Status Solidi (A) Applications and Materials 2026 Vol. 223 No. 7 Article e202500942
Добавлено: 1 июня 2026 г.
Плотников С. О., Альманах современной метрологии 2024 № 2(38) С. 140–149
Приведены результаты анализа данных, собранных методом экспертного анкетирования сотрудников государственных научных метрологических институтов, а также покупателей средств измерений. ...
Добавлено: 21 мая 2026 г.
Апрелев А. В., Пивоварова Н. И., Плотников С. О. и др., Альманах современной метрологии 2022 № 2(30) С. 94–101
Приведены результаты анализа данных, находящихся в Федеральном информационном фонде по обеспечению единства измерений в части осциллографов. ...
Добавлено: 21 мая 2026 г.
Выполнено сравнительное исследование процессов сильнополевой зарядовой
деградации подзатворного диэлектрика структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП)
с алюминиевым и поликремниевым затвором. Зарядовые явления в МДП-структурах
изучали методом сильнополевой инжекции электронов в диэлектрик в режиме возрастания
плотности стрессового инжекционного тока с кратковременными переключениями
в измерительный режим при постоянной низкой плотности инжекционного тока.
Использование данного метода позволило получить новые данные о процессах зарядовой
деградации подзатворного диэлектрика МДП-структур с ...
Добавлено: 21 мая 2026 г.
Rathish S., Andrey S. Vasenko, Thazhathenair A. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2026 Vol. 17 No. 18 P. 5386–5394
Добавлено: 16 мая 2026 г.
Андреев Д. В., Бондаренко Г. Г., Андреев В. В., Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 2023 № 1 С. 55–60
Изучено влияние режимов сильнополевой инжекции электронов на зарядовое состояние и дефектность МОП-структуры (металл–оксид–полупроводник) после радиационного облучения. Показано, что для стирания радиационно-индуцированного положительного заряда, накапливаемого в
пленке SiO2 МОП-структур, необходимо использовать сильнополевую туннельную инжекцию
электронов по Фаулеру–Нордгейму при электрических полях, не вызывающих генерацию дырок.
Установлено, что стирание радиационно-индуцированного положительного заряда в пленке SiO2
МОП-структур и генерация новых поверхностных состояний в ...
Добавлено: 27 марта 2023 г.
Добавлено: 10 января 2020 г.
Andreev D. V., Bondarenko G.G., Andreev V. V. и др., High Temperature Material Processes 2017 Vol. 21 No. 4 P. 299–307
Добавлено: 24 июня 2018 г.
Andreev D. V., Бондаренко Г. Г., Stolyarov A. A., Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques 2016 Vol. 10 No. 2 P. 450–454
Добавлено: 28 мая 2016 г.
Andreev D. V., Бондаренко Г. Г., Andreev V. V. и др., IOP Conference Series: Materials Science and Engineering (MSE) 2016 Vol. 110 No. 012041 P. 1–6
We have investigated processes of modification and changing of the charge state of MOS structures having a multilayer gate dielectric based on a thermal SiO2 film doped with phosphorus under conditions of different modes of high-field electron injection and an electron irradiation. We have determined that negative charge, accumulating in the phosphosilicate glass (PSG) ultra ...
Добавлено: 24 февраля 2016 г.
Andreev V. V., Бондаренко Г. Г., Maslovsky V. M. и др., Acta Physica Polonica A 2015 Vol. 12 No. 5 P. 887–890
Добавлено: 31 декабря 2015 г.