?
Foam Polymers in Multifunctional Insulating Coatings
Polymers. 2021. Vol. 13. No. 21. Article 3698.
Язык:
английский
Dmitry Vasilyev, Gorev V., Ихсанов Р. Ш. и др., Journal of Materials Science 2026 No. 61 P. 25452–25470
Добавлено: 23 июля 2026 г.
Borovitskaya I. V., Pimenov V. N., Korshunov S. N. и др., Physics of Atomic Nuclei 2026 Vol. 89 No. 1 P. S48–S55
Добавлено: 22 июля 2026 г.
Economies 2026 Vol. 14 No. 07 P. 277
Добавлено: 14 июля 2026 г.
V.I. Voitovich, I.S. Makhov, Andryushkin V. V. и др., Journal of Luminescence 2026 Vol. 295 Article 121936
Добавлено: 8 июля 2026 г.
Babichev A., Bobrov M., Vasil'ev A. и др., Applied Physics Letters 2026 Vol. 128 Article 241102
Добавлено: 8 июля 2026 г.
Г. Г. Бондаренко, Кристя В. И., Савичкин Д. О. и др., Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 2026 № 4 С. 29–36
Сформулирована модель тлеющего газового разряда в смеси аргона и паров ртути при наличии
на поверхности катода тонкой диэлектрической пленки. Рассчитаны зависимости характеристик
разряда от температуры в интервале ее изменения, в котором заметный вклад в ионизацию
рабочей газовой смеси дает ионизация атомов ртути метастабильными возбужденными атомами
аргона (реакция Пеннинга). Показано, что в случае катода без диэлектрической пленки при
повышении температуры до ...
Добавлено: 20 июня 2026 г.
Zirnik G., Остовари М. А., Zhukov S. и др., Journal of Materials Science: Materials in Electronics 2026 Vol. 37 Article 738
Добавлено: 6 июня 2026 г.
Добавлено: 2 июня 2026 г.
Wary R. R., Mahato B., Sharma N. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2026 Vol. 17 No. 17 P. 5099–5107
Добавлено: 2 июня 2026 г.
Duran E. ., Pulgar A., Izquierdo R. и др., Physica Status Solidi (A) Applications and Materials 2026 Vol. 223 No. 7 Article e202500942
Добавлено: 1 июня 2026 г.
Jiang Q., Fang J., Chen J. и др., Science China Information Sciences 2026 Vol. 69 No. 6 Article 162402
Resonators based on nanoelectromechanical systems (NEMS) using two-dimensional (2D) materials with high-quality factors and excellent electrical control are critical for tunable coherent phonon dynamics, resonant sensors and wireless communications. However, their performance is fundamentally limited by the lack of a unified framework governing energy dissipation mechanisms and their electrical tunability. Here, we synergistically modulate both ...
Добавлено: 28 мая 2026 г.
Elesin L., Shilov A., Jana S. и др., Advanced Functional Materials 2026 P. 1–10
Добавлено: 28 мая 2026 г.
Выполнено сравнительное исследование процессов сильнополевой зарядовой
деградации подзатворного диэлектрика структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП)
с алюминиевым и поликремниевым затвором. Зарядовые явления в МДП-структурах
изучали методом сильнополевой инжекции электронов в диэлектрик в режиме возрастания
плотности стрессового инжекционного тока с кратковременными переключениями
в измерительный режим при постоянной низкой плотности инжекционного тока.
Использование данного метода позволило получить новые данные о процессах зарядовой
деградации подзатворного диэлектрика МДП-структур с ...
Добавлено: 21 мая 2026 г.
Kaveev A. K., Fedorov V. V., Pavlov A. V. и др., Journal of Materials Chemistry C 2026 Vol. 14 No. 7 P. 2697–2705
Добавлено: 19 мая 2026 г.
Масютин Д. А., Моисеев Э. И., Комаров С. Д. и др., Письма в Журнал технической физики 2026 Т. 52 № 7 С. 27–30
Исследованы инжекционные полупроводниковые микролазеры с кольцевым резонатором радиусом 15 мкм с несимметричным расположением внутреннего отверстия резонатора. Показано, что асимметрия обеспечивает формирование в диаграмме направленности двух лепестков излучения, разориентированных на 50° относительно оси смещения внутреннего отверстия. Измеренная добротность резонаторов сопоставима с добротностью дисковых резонаторов и находится на уровне ∼ 10^6. ...
Добавлено: 18 мая 2026 г.
Sabu T., Ter-Zakaryan K. A., Aleksey Dmitrievich Zhukov и др., Polymers 2023 Vol. 15 No. 20 Article 4104
Добавлено: 21 февраля 2024 г.
A.S. Dragunova, N.V. Kryzhanovskaya, F. I. Zubov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2023 Vol. 16 No. 1.2 P. 108–113
Добавлено: 3 июля 2023 г.
Крыжановская Н. В., Драгунова А. С., Фоминых Н. А. и др., , in: 2022 International Conference Laser Optics (ICLO).: IEEE, 2022. P. 1–1.
Добавлено: 27 сентября 2022 г.
F I Zubov, E I Moiseev, A M Nadtochiy и др., Semiconductor Science and Technology 2022 Vol. 37 No. 7 Article 075010
Добавлено: 12 июля 2022 г.
Петросянц К. О., Торговников Р. А., , in: 31-th Semiconductor Thermal Measurement, Modeling and Management Symposium,.: San Jose: the Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc., 2015. P. 172–175.
Добавлено: 11 марта 2016 г.
К.О. Петросянц, М.В. Кожухов, Известия высших учебных заведений. Электроника 2015 Т. 20 № 6 С. 648–651
Проведено электротепловое моделирование современных структур Si и SiGe биполярных транзисторов с помощью САПР Sentaurus Synopsys. Показано, что для SiGe гетеропереходных биполярных транзисторов, работающих на высоких плотностях тока, наблюдается более высокая рабочая температура по сравнению с идентичными кремниевыми транзисторами при одинаковой рассеиваемой мощности, что приводит к сильной деградации электрофизических параметров прибора и его электрических характеристик. ...
Добавлено: 18 февраля 2016 г.
Роткевич А. С., Семененко А. Н., Динамика сложных систем 2013 Т. 7 № 1 С. 35–42
Рассмотрен пример использования системы АСОНИКА при проектировании радиоэлектронных средств. Представлена постановка задачи и показаны этапы её решения. ...
Добавлено: 24 ноября 2015 г.
В статье представлена методика применения системы АСОНИКА при моделировании тепловых процессов блоков и печатных узлов. В статье также представлен пример расчёта блока и печатного узла на тепловые воздействия при стационарном и нестационарном режимах согласно описанной методике в системе АСОНИКА. ...
Добавлено: 11 декабря 2014 г.
K. Petrosyants, E. Orekhov, I. Kharitonov и др., Proceedings of SPIE (США) 2012 Vol. 8700 P. 16.1–16.6
In this paper we performed 2D and 3D device simulations to analyze the impact of technology scaling on the lattice heating in n-channel bulk silicon and silicon-on-insulator MOS transistors with gate lengths from 0.5 to 0.1 um. Maximum lattice temperatures and transistor thermal resistances for different gate lengths and bias voltages were calculated. The increase ...
Добавлено: 23 января 2014 г.