?
Управление динамикой спина в двойной полупроводниковой квантовой точке с помощью бигармонического электрического поля
Физика твердого тела. 2026. Т. 68. № 4. С. 639–648.
Хомицкий Д. В., Запруднов Н. А.
Рассматривается задача о динамике туннелирования и переворота спина электрона под действием бигармонического электрического поля, приложенного к двойной квантовой точке на основе арсенида галлия с сильным спин-орбитальным взаимодействием. При настройке частоты первой гармоники на зеемановское расщепление в одной точке и частоты второй гармоники на разность потенциальных энергий в соседних точках для определенных амплитуд гармоник наблюдаются два полезных эффекта: ускорение переворота спина и фиксация знака его z-проекции в каждой квантовой точке в среднем по времени. Данные эффекты могут быть полезны для оптимизации работы связанных спиновых кубитов.
Терегулов Т. Р., Лубенец Е. Р., / Series Quantum Physics "arXiv". 2026. No. 2609.31472.
Добавлено: 28 сентября 2026 г.
Вергелес С. С., Воинцев И. А., Physics of Fluids 2026 Vol. 38 P. 024117-1–024117-8
Добавлено: 26 сентября 2026 г.
Frolov N. Y., Klokov A. Y., Sharkov A. I. и др., Applied Physics Letters 2026 Vol. 128 P. 092201-1–092201-5
Добавлено: 26 сентября 2026 г.
Войтович В. И., Махов И. С., Мельниченко И. А. и др., Optics Letters 2026 Vol. 51 No. 17 P. 4872–4875
Добавлено: 25 сентября 2026 г.
Бабичев А. В., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., Оптика и спектроскопия 2026 Т. 134 № 3 С. 272–277
Представлены результаты по реализации генерации при повышенных температурах в лазерах с длиной волны генерации 980 nm на основе вертикального микрорезонатора с использованием непоглощающих на длине волны оптической накачки зеркал. Минимальная пороговая мощность накачки составила ~0.8 mW и соответствовала температуре 150 K. Добротность микрорезонатора, определенная на пороге генерации, превысила 13000. Максимальная рабочая температура микролазера составила 195 ...
Добавлено: 25 сентября 2026 г.
Бабичев А. В., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2026 Т. 52 № 12 С. 40–43
Реализована одночастотная генерация при 300 K в лазерах на основе вертикального микрорезонатора. Для лазеров с полупроводниковым выводным зеркалом пороговая плотность мощности накачки составила 6.5 kW/cm2. Добротность микрорезонатора и длина волны излучения, определенные на пороге генерации, равнялись 8800 и ~ 959.8 nm. Применение конструкции микрорезонатора с гибридным выводным зеркалом позволило повысить добротность микрорезонатора (до 12 360) ...
Добавлено: 25 сентября 2026 г.
Бабичев А. В., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2026 Т. 52 № 18 С. 30–34
Представлены результаты реализации генерации при комнатной температуре в планарных вертикальных микрорезонаторах на основе зеркал Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As. При 300 K пороговая плотность мощности и добротность на пороге генерации составили 11.4± 0.7 kW/cm2 и 5070± 160 соответственно. Двукратное превышение порога генерации привело к увеличению добротности микрорезонатора до 19 000. Эффективный латеральный теплоотвод подтвержден малым сдвигом энергии кванта, который составил ...
Добавлено: 25 сентября 2026 г.
Будков Ю. А., Kiselev M. G., Journal of Chemical Physics 2026 Vol. 165 No. 12 Article 124508
Добавлено: 24 сентября 2026 г.
Крыжановская Н. В., Махов И. С., Драгунова А. С., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2026 Vol. 19 No. 1.1 P. 98–104
Добавлено: 23 сентября 2026 г.
Добавлено: 23 сентября 2026 г.
Андреева С. А., Gavrilov A. A., Dzhikirba K. R. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 Article 134515
Добавлено: 23 сентября 2026 г.
Образцова А. А., Иванов К. А., Моисеев Э. И. и др., Journal of Physics D: Applied Physics 2026 Vol. 59 No. 30 P. 305103
Добавлено: 23 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Запруднов Н. А., Физика и техника полупроводников 2022 Т. 56 № 10 С. 973–978
Исследована динамика туннелирования и спина для дырочных состояний в двойной квантовой точке на основе GaAs при наличии сильного спин-орбитального взаимодействия и периодического электрического поля. Рассмотрены режимы туннелирования с переворотом спина в условиях "медленной" эволюции, при которой частота поля меньше остальных энергетических параметров стационарной части гамильтониана. Обнаружено, что в таких условиях туннелирование с переворотом спина может ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Лаврухина Е. А., Тележников А. В., Физика и техника полупроводников 2023 Т. 57 № 7 С. 551–554
Разработана модель локализованных состояний в двойной квантовой точке на крае топологического изолятора на основе квантовой ямы HgTe/CdTe, сформированной тремя магнитными барьерами. Исследованы особенности энергетического спектра, плотности вероятности и спиновой плотности квантовых состояний в зависимости от ориентации векторов намагниченности магнитных барьеров. Изучена локализация волновых функций слева и справа от точки антикроссинга в спектре и сделан вывод ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Запруднов Н. А., Физика и техника полупроводников 2024 Т. 58 № 4 С. 173–178
Рассматривается влияние соотношения вкладов Рашбы и Дрессельхауза в спин-орбитальном взаимодействии на траекторию спина на сфере Блоха, индуцируемую периодическим электрическим полем в двойной квантовой точке в полупроводнике GaAs, при условии электрического дипольного спинового резонанса. Показано, что изменение амплитуды параметра Рашбы, которое может быть осуществлено полем затвора, приводит к изменению плоскости вращения спина в широких пределах. Предсказанный ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Лаврухина Е. А., Физика и техника полупроводников 2025 Т. 59 № 6 С. 344–349
Исследованы методы управления пространственной локализацией и спиновой поляризацией состояний в модели двойной квантовой точки на крае топологического изолятора на основе квантовой ямы HgTe/CdTe, сформированной тремя магнитными барьерами. Обнаружены переходы в спектре под действием резонансного электрического поля, для которых начальные и конечные состояния отвечают различной пространственной локализации либо определенному знаку выбранной спиновой проекции. На их основе ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Лаврухина Е. А., Журнал экспериментальной и теоретической физики 2026 Т. 169 № 6 С. 668–687
Представлены результаты моделирования одноэлектронной динамики в режимах интерференции Ландау-Зенера-Штюкельберга-Майораны и электрического дипольного спинового резонанса для двойной квантовой точки, образованной тремя магнитными барьерами на краю топологического изолятора, сформированного на базе квантовой ямы HgTe/CdHgTe. Выбраны параметры системы, обеспечивающие присутствие четырех дискретных уровней, для которых реализуется связанная динамика спиновой и координатной степеней свободы. Результаты численного моделирования показывают, что ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Андреева С. А., Щепетильников А. В., Николаев Г. А. и др., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2025 Т. 121 № 7-8 С. 674–680
Квантовый фазовый переход был обнаружен в многодолинной двумерной электронной системе, заключенной в AlAs квантовой яме, при низкой температуре и в больших магнитных полях. Переход возникал при последовательном увеличении угла наклона магнитного поля и сопровождался появлением особенности - острого пика - в продольном сопротивлении образца. Несмотря на то, что тип наблюдаемого фазового перехода крайне сложно установить ...
Добавлено: 22 апреля 2025 г.
Щепетильников А. В., Николаев Г. А., Андреева С. А. и др., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2024 Т. 119 № 11-12 С. 840–846
Фазовый переход, сопровождающийся появлением пика в продольном сопротивлении двумерной электронной системы, был изучен при помощи электронного спинового резонанса вблизи нечетного фактора заполнения ν=3ν=3 в ZnO/MgZnO гетеропереходе. Такой переход возникал при увеличении угла наклона магнитного поля θθ до некоторого критического значения θcθc. Анализ амплитуды спинового резонанса позволил продемонстрировать спиновую природу этого явления. Так, основное состояние системы по обе стороны от перехода ...
Добавлено: 22 апреля 2025 г.
S. K. Gotovko, Ivanova A. G., P. S. Kudimkina и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2025 Vol. 111 No. 6 Article 064430
Добавлено: 3 марта 2025 г.
Streltsov S. V., Temnikov F. V., Кугель К. И. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2022 Vol. 105 No. 20 P. 1–10
Добавлено: 11 июня 2022 г.
Bahovadinov M. S., Matveenko S., Journal of Physics: Condensed Matter 2022 Vol. 34 No. 31 Article 315601
Добавлено: 20 мая 2022 г.
Щепетильников А. В., Khisameeva A., Nefyodov Y. A. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 104 No. 7 Article 075437
Добавлено: 10 января 2022 г.
Gotovko S.K., Marchenko V. I., Prokofiev A. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 104 No. 21 Article 214415
Добавлено: 10 декабря 2021 г.