Спин-зависимое фотопоглощение в структурах с квантовой ямой InGaAs/GaAs и близкорасположенным дельта-слоем Mn

?

Спин-зависимое фотопоглощение в структурах с квантовой ямой InGaAs/GaAs и близкорасположенным дельта-слоем Mn

Физика твёрдого тела, Российская Федерация. 2026. Т. 68. № 8. С. 1325–1332.

Хомицкий Д. В., Дорохин М. В., Ведь М. В., Дёмина П. Б., Здоровейщев А. В., Малышева Е. И., Ерофеева И. В., Ноздрин Д. А.

Выполнено расширенное исследование спин-зависимого фотоэлектрического эффекта в диодах Шоттки на основе гетероструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs и близкорасположенным дельта-слоем Mn. Эффект заключается в зависимости сигнала фотоэдс от знака циркулярной поляризации облучающего структуру света. Эффект носит резонансный характер: при накачке светом с энергией, соответствующей основному переходу в квантовой яме, значение разностной фотоэдс максимально. Эффект объясняется конкуренцией двух спин-зависимых процессов: рекомбинации носителей в квантовой яме и выбросом из нее электронов. Зависимость рекомбинации от исходной спиновой поляризации связывается с влиянием дельта-слоя Mn на равновесную поляризацию дырок. За счет действия правил отбора для оптических переходов при этом варьируется рекомбинационное время жизни. Спин-зависимый уход обусловлен туннелированием на расщепленные по спину состояния, связанные с сильным легированием арсенида галлия марганцем. Экспериментальные исследования эффекта спин-зависимой фотоэдс позволяют анализировать механизмы взаимодействия носителей заряда с атомами Mn в дельта-слое.

Научное направление: Физика Нанотехнологии

Язык: русский

DOI

Текст на другом сайте

Temperature-driven structural crossover of vortex matter in a Penrose quasicrystal

Томаева М. А., Неверов В. Д., Шаненко А. А. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 P. 1–6

Добавлено: 5 сентября 2026 г.

Scalable machine learning approach to disordered s-wave superconductors

Неверов В. Д., Красавин А. В., Вагов А. В. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 113 P. 1–6

Добавлено: 5 сентября 2026 г.

Problem solving in philosophy. How to Do Philosophy in the Age of Ultra-Intelligent AI

Вервурт Л. П., Springer, 2026.

Добавлено: 5 сентября 2026 г.

Моделирование влияния тонкой диэлектрической пленки, существующей на части поверхности катода, на переход тлеющего газового разряда в дуговой разряд

Бондаренко Г.Г., Фишер М. Р., Кристя В. И., Известия РАН. Серия физическая 2026 Т. 90 № 4 С. 867–874

Сформулирована модель катодного слоя тлеющего газового разряда при наличии на части рабочей поверхности катода тонкой диэлектрической пленки. Показано, что переход тлеющего разряда в дуговой разряд, сопровождающийся значительным увеличением плотности разрядного тока и уменьшением катодного падения напряжения, происходит наиболее быстро, если пленка занимает примерно половину поверхности катода. ...

Добавлено: 4 сентября 2026 г.

Stress tensor of inhomogeneous flexible polymer chain solutions beyond the ground-state dominance approximation

Будков Ю. А., Journal of Chemical Physics 2026 Vol. 165 No. 9 Article 094902

Добавлено: 2 сентября 2026 г.

Metastability of lipid vesicle shapes in uniaxial extensional flow

Пикина Е. С., Physical Review E - Statistical, Nonlinear, and Soft Matter Physics 2026 Vol. 113 No. 5

Добавлено: 1 сентября 2026 г.

HF Heating Effects as Seen From Below and Above: First Results of Joint SURA–Ionosfera-M Experiment

Чернышов А. А., Padokhin A. M., Grach S. M. и др., Geophysical Research Letters 2026 Vol. 53 P. 1–11

Добавлено: 31 августа 2026 г.

Hectometric Continuum Radiation Observations on Different Temporal Scales in Near-Earth Space

D. A. Dorofeev, A. A. Chernyshov, Mogilevsky M. M. и др., JOURNAL OF GEOPHYSICAL RESEARCH-SPACE PHYSICS 2025 Vol. 130 Article e2025JA033900

Добавлено: 31 августа 2026 г.

On the nature of hectometric continuum-type emissions in the near-Earth plasma

Mogilevsky M. M., Шапошников В. Е., Чернышов А. А. и др., Physics of Plasmas 2025 Vol. 32 P. 1–10

Добавлено: 31 августа 2026 г.

(111)-Textured p-Type PbTe Films Grown on Muscovite Micawith High Room-Temperature Hole Mobility

Kobtsev Danil, Albert J., Nitzan M. и др., Applied Sciences (Switzerland) 2026 Vol. 16 No. 17 Article 8577

Добавлено: 30 августа 2026 г.

Сборник трудов XXXII Международной научно-технической конференции «Радиолокация, навигация, связь»

Воронеж: Издательский дом ВГУ, 2026.

В сборник вошли материалы XXXII Международной научно-технической конференции «Радиолокация, навигация, связь» (RLNC*2026), прошедшие ре цензирование членами программного комитета конференции. Основной целью конференции является организация взаимодействия научных и научно технических коллективов для обмена опытом и новыми творческими успехами. Достижение этой цели также способствует внедрению перспективных разрабо ток, имеющих практическое значение для дальнейшего развития промышленно сти, экономики ...

Добавлено: 29 августа 2026 г.

Pyramidal solitons: existence, instability, and interactions

Мельников И. Е., Пелиновский Е. Н., Nonlinear Dynamics 2026 No. 114 Article 934

Добавлено: 27 августа 2026 г.

Robust CsPbBr3@SiO2 Nanocrystals with Controlled Shell Growth for Stable High-Resolution X‑ray Scintillation Imaging

Жуков А. Е., Liang Y., Zhang X. и др., ACS Applied Nano Materials 2026 Vol. 9 No. 32 P. 15224–15232

Добавлено: 27 августа 2026 г.

Non-epitaxial perovskite polariton laser diode operating under direct current

Жуков А. Е., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И. и др., Nature 2026 Vol. 656 P. 80–85

Добавлено: 27 августа 2026 г.

Understanding the electric double layer at electrode–electrolyte interfaces, Part III: crystallographic-face dependence of silver capacitance in aqueous NaF solutions

Мазур Д. А., Petr E. Brandyshev, Doronin S. и др., Electrochimica Acta 2026 Vol. 577 Article 149729

Добавлено: 20 августа 2026 г.

Giant magnetocaloric effect in the quaternary Fe–Rh–Pd–Ir alloy: Experimental and first-principles study

Gimaev R., Karpenkov A., Shelkovyi F. и др., Journal of Alloys and Compounds 2026 No. 1080 Article 190307

Магнитотермические свойства четвертичного сплава Fe49Rh46.1Pd3.1Ir1.8 исследованы с помощью комбинации расчетов из первых принципов, структурной характеристики, магнитометрии, калориметрии и прямых измерений адиабатического изменения температуры. Получен исключительный магнитокалорический отклик: ΔTad достигает −11,9 К в поле 1,85 Т в прерывистом режиме и −8,6 К в непрерывном (циклическом) режиме, причем оба значения превышают значения, зарегистрированные на сегодняшний день для ...

Добавлено: 18 августа 2026 г.

Quantum viscosity mechanism of dissipative dynamics in the Dicke model expressed via Lindblad equation of motion

Beck M. E., Сеидов С. С., Mukhin S., Physical Review A: Atomic, Molecular, and Optical physics 2026 Vol. 113 No. 6 Article 063706

Добавлено: 13 августа 2026 г.

Analytical solution of coupled self-consistency and linearized Usadel equations for dirty superconductors near 𝑇𝑐 and with the proximity effect

S. S. Seidov, N. G. Pugach, Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 7 Article 074504

Добавлено: 13 августа 2026 г.

Hadrons in N = 2 supersymmetric QCD from non-Abelian string on 2D black hole

Ievlev E., Marshakov A., Sumbatian G. и др., Physical Review D - Particles, Fields, Gravitation and Cosmology 2026 Vol. 114 Article 046006

Добавлено: 13 августа 2026 г.

Quarter-Wave Unit Cell With Grounded Log-Periodic Spiral for a Sub-THz Reconfigurable Intelligent Surface With Sector Beam

Шураков А. С., Рожкова П. В., Беликов И. И. и др., IEEE Antennas and Wireless Propagation Letters 2026 Vol. 25 No. 2 P. 706–710

Добавлено: 5 февраля 2026 г.

Study of planar microcavity structure with In0.63Ga0.37As quantum dots and non-absorbing Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As mirrors

Babichev A. V., Papylev D. S., S. D. Komarov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2024 Vol. 17 No. 3.1 P. 233–237

Добавлено: 14 мая 2025 г.

Исследование активных областей на основе многопериодных сверхрешеток GaAsN/InAs

Бабичев А. В., Пирогов Е. В., Соболев М. С. и др., Физика и техника полупроводников 2022 Т. 56 № 10 С. 1002–1010

Представлены результаты исследования азотсодержащих активных областей на основе сверхрешеток, выращенных на подложках GaAs. Активные области на основе чередующихся слоев InAs и GaAsN сформированы методом молекулярно-пучковой эпитаксии c плазменным источником азота. На основе анализа рентгенодифракционных кривых качания проведены оценки толщин и среднего состава слоев сверхрешеток. Исследование темнопольных изображений, полученных методом просвечивающей электронной микроскопии, показало наличие интердиффузии ...

Добавлено: 1 ноября 2024 г.

Исследование структурных и оптических свойств InGaAs-квантовых точек

Бабичев А. В., Надточий А. М., Блохин С. А. и др., Физика и техника полупроводников 2024 Т. 58 № 6 С. 318–325

Проведена отработка режимов формирования квантовых точек InxGa1−xAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Показано, что снижение содержания индия в структурах с InGaAs-квантовыми точками приводит к уменьшению длины волны излучения основного состояния и насыщению зависимости. Использование квантовых точек, сформированных из слоя In0.5Ga0.5As, позволяет реализовать фотолюминесценцию при температуре 13 K с максимумом вблизи 995 нм и характерной полушириной пика ФЛ ...

Добавлено: 23 октября 2024 г.

Оптические свойства трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы

Крыжановская Н. В., Драгунова А. С., Комаров С. Д. и др., Оптика и спектроскопия 2021 Т. 129 № 2 С. 218–222

Методами спектроскопии фотолюминесценции (ФЛ) выполнено исследование оптических свойств трех- мерных квантово-размерных островков InGaPAs, сформированных методом замещения фосфора на мышьяк в слое InGaP, осажденном на GaAs непосредственно в процессе эпитаксиального роста. Линия ФЛ сформи- рованного массива островков лежит в диапазоне 950−1000 nm при комнатной температуре. Исследования ФЛ в диапазоне температур 78−300K свидетельствуют о существенной неоднородности массива ...

Добавлено: 3 июня 2024 г.