?
Управление локализацией зарядовой и спиновой плотности в двойной квантовой точке на крае топологического изолятора как физическая основа операций с кубитами
Физика и техника полупроводников. 2025. Т. 59. № 6. С. 344–349.
Хомицкий Д. В., Лаврухина Е. А.
Исследованы методы управления пространственной локализацией и спиновой поляризацией состояний в модели двойной квантовой точки на крае топологического изолятора на основе квантовой ямы HgTe/CdTe, сформированной тремя магнитными барьерами. Обнаружены переходы в спектре под действием резонансного электрического поля, для которых начальные и конечные состояния отвечают различной пространственной локализации либо определенному знаку выбранной спиновой проекции. На их основе показана возможность кодирования информации для моделирования связанных зарядового и спинового кубитов, а также некоторых операций с ними, в том числе однокубитных NOT, Z и двухкубитной CNOT.
Задача о возбуждении бегущих фонон-поляритонных волн на поверхности полярного кристалла падающей извне световой волной (с частотой, близкой к частоте решеточных колебаний) решена теоретически только для бесконечной открытой поверхности кристалла. В случаях, когда часть поверхности покрыта металлической маской, препятствующей проникновению возбуждающего излучения к атомам среды, и эта маска имеет произвольную форму, общепризнанного решения неоднородной задачи нет. ...
Добавлено: 20 октября 2026 г.
Логвенков С. А., Известия РАН. Механика жидкости и газа 2026 № 3 С. 59–75
Решена задача об эволюции объемной концентрации клеток в сферическом агрегате,
состоящем из клеток, внеклеточного матрикса и жидкости. Агрегат окружен внеклеточным матриксом. Постановка задачи использует разработанную автором ранее модель многофазной биологической сплошной среды, образованной двумя активно взаимодействующими твердыми фазами
и жидкостью. Исследовано распространение сферического фронта клеток в вязком матриксе в результате деления клеток и активных взаимодействий клеток с ...
Добавлено: 20 октября 2026 г.
Lavrukhina E. A., Krasavin D. P., Krishtopenko S. S. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 22 Article 225414
Добавлено: 19 октября 2026 г.
Смерчанский П. С., Koledov V. V., Kamantsev A. P. и др., Physics of Metals and Metallography 2026 Vol. 127 No. 6-7 P. 689–693
Добавлено: 19 октября 2026 г.
Заикин А. Д., Kalenkov M. S., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 Article 214502
We propose a microscopic scheme that allows to describe ac Josephson effect in superconducting junctions
in terms of dissipative quantum dynamics of subgap Andreev bound states. This approach is particularly useful
for highly transparent junctions at subgap bias voltages in which case a nontrivial combination of Landau-Zener
tunneling between Andreev levels and their instability due to quasiparticle escape ...
Добавлено: 18 октября 2026 г.
Заикин А. Д., Kalenkov M. S., Physical Review Letters 2026 Vol. 137 Article 076004
With the aid of a microscopic theory we derive an effective Hamiltonian that controls quantum dynamics
of Andreev states in superconducting nanojunctions out of equilibrium. Resolving the corresponding
Schrödinger-like equation we obtain the “wave functions” for Andreev levels and evaluate electric current
across the junction in the presence of an external voltage bias.We demonstrate that quantum interference of
Andreev ...
Добавлено: 18 октября 2026 г.
Тукачев Н. В., Bataev V., Abramenkov A. и др., Computational and Theoretical Chemistry 2016 No. 1080 P. 23–32
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Тукачев Н. В., Bataev V. А., Godunov I. А., Journal of Quantitative Spectroscopy and Radiative Transfer 2016 Vol. 177 P. 291–300
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Тукачев Н. В., Bataev V. А., Godunov I. А., Journal of Quantitative Spectroscopy and Radiative Transfer 2017 Vol. 192 P. 30–41
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Тукачев Н. В., Bataev V. A., Godunov I. A., Computational and Theoretical Chemistry 2017 Vol. 1113 P. 82–93
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Тукачев Н. В., Maslennikov D., Sosorev A. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2019 Vol. 10 No. 12 P. 3232–3239
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Тукачев Н. В., Nuraliev M., Parashchuk O. и др., Journal of Chemical Physics 2020 Vol. 153 No. 17 Article 174303
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Тукачев Н. В., Sosorev A., Parashchuk O. и др., Physical Chemistry Chemical Physics 2021 Vol. 23 No. 29 P. 15485–15491
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Тукачев Н. В., González-Jiménez M., Ramakrishnan G. и др., Physical Chemistry Chemical Physics 2021 Vol. 23 No. 23 P. 13250–13260
Добавлено: 14 октября 2026 г.
González-Jiménez M., Barnard T., Russell B. и др., Nature Communications 2023 Vol. 14 Article 215
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Тукачев Н. В., Mali G., Tassieri M. и др., Journal of the american chemical society 2023 Vol. 145 No. 48 P. 26061–26067
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Горбунов А. А., Григорьев А. А., Демидов Л. Н. и др., Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика 2025 № 7 С. 20–24
Быстрое развитие технологии квантовых вычислений потенциально может произвести революцию в сложных вычислениях в
физических, химических и биологических областях за счет использования квантовой суперпозиции и запутанности. Квантовые компьютеры используют кубиты, способные существовать в нескольких состояниях одновременно, в отличие от классических битов.
Эта функция позволяет хранить и обрабатывать больше информации, что дает значительное преимущество при решении задач с
обширным пространством ...
Добавлено: 12 октября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Н. Новгород: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2025.
В учебном пособии излагаются элементы теории и описание избранных экспериментальных результатов, полученных в активно развивающейся физике топологических изоляторов. Рассмотрены наиболее простые модели поверхностных и краевых состояний в двумерных и трёхмерных топологических изоляторах, их структура в магнитном поле, а также основы топологических методов для определения их свойств. Обсуждаются модели квантовых точек, формируемых в топологических изоляторах. Приведены ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Запруднов Н. А., Физика и техника полупроводников 2022 Т. 56 № 10 С. 973–978
Исследована динамика туннелирования и спина для дырочных состояний в двойной квантовой точке на основе GaAs при наличии сильного спин-орбитального взаимодействия и периодического электрического поля. Рассмотрены режимы туннелирования с переворотом спина в условиях "медленной" эволюции, при которой частота поля меньше остальных энергетических параметров стационарной части гамильтониана. Обнаружено, что в таких условиях туннелирование с переворотом спина может ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Лаврухина Е. А., Тележников А. В., Физика и техника полупроводников 2023 Т. 57 № 7 С. 551–554
Разработана модель локализованных состояний в двойной квантовой точке на крае топологического изолятора на основе квантовой ямы HgTe/CdTe, сформированной тремя магнитными барьерами. Исследованы особенности энергетического спектра, плотности вероятности и спиновой плотности квантовых состояний в зависимости от ориентации векторов намагниченности магнитных барьеров. Изучена локализация волновых функций слева и справа от точки антикроссинга в спектре и сделан вывод ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.