?
СВЧ монолитная интегральная схема усилителя мощности на основе кремниевой технологии с выходной мощностью 1 Вт на частоте 800 МГц
С. 577–582.
Будяков А. С., Савченко Е. М., Пронин А. А., Козынко П. А.
Представлены результаты измерения СВЧ монолитной интегральной схемы усилителя мощности на основе кремниевой технологии с выходной мощностью 1 Вт на частоте 800 МГц. Описываются основные проблемы проектирования монолитных интегральных СВЧ усилителей мощности на основе кремниевой технологии и способы их решения.
В книге
М.: ИППМ РАН, 2010.
Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А., В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2021 (МЭС-2021)Вып. 4.: М.: ИППМ РАН, 2021. Гл. 86 С. 2–6.
Добавлено: 31 октября 2021 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., , in: 2020 36th Semiconductor Thermal Measurement, Modeling & Management Symposium (SEMI-THERM).: IEEE, 2020. P. 56–60.
Добавлено: 14 февраля 2021 г.
Мадера А. Г., Труды НИИСИ РАН 2018 Т. 8 № 2 С. 26–28
Потребляемая микросхемой мощность преобразуется в тепло, которое приводит к нагреванию микросхемы. В силу значительной зависимости электрических параметров микросхемы от температуры ее мощность потребления подвергается изменению, которое, в свою очередь, изменяет температуру и, как следствие, мощность потребления. Взаимно-обусловленное взаимодействие и влияние параметров электрического и теплового режимов друг на друга, возникающее в процессе работы микросхемы, называется тепловой ...
Добавлено: 29 октября 2018 г.
K. Petrosyants, E. Orekhov, I. Kharitonov и др., Proceedings of SPIE (США) 2012 Vol. 8700 P. 16.1–16.6
In this paper we performed 2D and 3D device simulations to analyze the impact of technology scaling on the lattice heating in n-channel bulk silicon and silicon-on-insulator MOS transistors with gate lengths from 0.5 to 0.1 um. Maximum lattice temperatures and transistor thermal resistances for different gate lengths and bias voltages were calculated. The increase ...
Добавлено: 23 января 2014 г.
Солнцев В. А., Шульга А. И., В кн.: Электроника и микроэлектроника СВЧ, Всероссийская конференция Санкт-Петербург, СПбГЭТУ, 3-6 июня 2013 г.: СПб.: СПбГЭТУ, 2013..
Работа направлена на линеаризацию передаточных характеристик СВЧ-усилителей мощности, компенсацию ИМИ, что позволяет существенно повысить верность передачи информации, улучшить энергетические показатели, сузить рабочие полосы и увеличить надежность систем связи различного назначения. ...
Добавлено: 15 декабря 2013 г.
Петросянц К. О., Кожухов М. В., В кн.: Труды международной научно-практической конференции "International Scientific – Practical Conference" INNOVATIVE INFORMATION TECHNOLOGIES", Prague, 2013, April 22-26Т. 3.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2013. С. 320–326.
В работе исследуется воздействие нейтронного и γ-излучения на характеристики Si БТ и SiGe ГБТ. Представлены SPICE-макромодели, учитывающие влияние нейтронного и γ-излучения на характеристики Si БТ и SiGe ГБТ. Показано что результаты моделирования хорошо согласуются с экспериментом. ...
Добавлено: 29 апреля 2013 г.
Солнцев В. А., Шульга А. И., В кн.: Микроэлектроника СВЧ: Сборник трудов всероссийской конференции, Санкт-Петербург, СПбГЭТУ, 4-7 июня 2012 г.Т. 2.: СПб.: ООО "Технолит", 2012. С. 128–132.
Дано обобщение квазистационаного метода анализа многочастотных режимов усилителей СВЧ. Проведен сравнительный расчет подавления паразитных комбинационных составляющих на выходе твердотельных и вакуумных усилителей СВЧ при воздействии на их характеристики сигнала огибающей усиливаемых колебаний. Показана возможность подавления комбинационных третьего порядка на 6-19 дБ в зависимости от режима работы усилителя. ...
Добавлено: 26 февраля 2013 г.
Шульга А. И., T-Comm: Телекоммуникации и транспорт 2012 № 10 С. 130–135
Дан анализ подавления нелинейных искажений в усилителе путем воздействия на его характеристики сигнала огибающей усиливаемых ВЧ колебаний. Медленное в масштабе ВЧ колебаний изменение характеристик приводит к появлению дополнительных частотных составляющих колебаний, компенсирующих нелинейные искажения исходного сигнала. Описаны различные варианты включения компенсирующего сигнала. Описаны критерии применения усилителей на лампе с бегущей волной и твердотельных усилителей. Рассмотрен ...
Добавлено: 17 января 2013 г.
Солнцев В. А., Шульга А. И., Радиотехника и электроника 2012 Т. 57 № 2 С. 219–229
Дан анализ подавления нелинейных искажений в усилителе путем воздействия на его характеристики сигнала огибающей усиливаемых ВЧ колебаний. Медленное в масштабе ВЧ колебаний изменение характеристик приводит к появлению дополнительных частотных составляющих колебаний,компенсирующих нелинейные искажения исходного сигнала. Рассмотрены различные варианты включения компенсирующего сигнала как с использованием цепей обратной связи в транзисторных усилителях, так и без таких цепей ...
Добавлено: 12 апреля 2012 г.
, Торговников Р. А., Вологдин Э. Н. и др., , in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11).: Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 267–270.
С помощью Synopsys TCAD промоделированы эффекты воздействия нейтронного излучения на кремниевые и SiGe биполярные транзисторы. В модель включена деградация времени жизни от облучения. Результаты моделирования согласуются с результатами экспериментальных исследований. ...
Добавлено: 12 апреля 2012 г.
Харитонов И. А., , in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11).: Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 271–274.
Представлены дополнения к стандартной методологии определения параметров моделей мощных Биполярных и МОП транзисторов для учета эффектов саморазогрева. Для биполярных транзисторов дополнения включены в маршрут для модели VBIC. Для МОП транзисторов добавлен специальный генератор тока для учета увеличения тока с ростом температуры транзистора. ...
Добавлено: 12 апреля 2012 г.